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采用反应气氛法(Reaction Atmosphere Precess,简称RAP法)生长KBr单晶,选取CCl4与CH2Br的混合物作为纯化KBr熔体的试剂。探讨CCl4,CH2Br2在纯化过程中的反应机理。分析纯化试剂与含氧阴离子进行反应的可能性。采用RAP法生长KBr单晶的吸收系数比用普通方法生长的单晶吸收系数降低了两个数量级。 相似文献
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坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5~6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5;Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2多晶材料.用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出φ22×80mm的AgGaSe2单晶锭.晶体外观完整,在10.6μm附近红外透过率达62.4;,吸收系数低于0.01cm-1,对10.6μm CO2激光实现倍频,能量转换效率达12;. 相似文献
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利用压力辅助法合成批量、高纯CdSe多晶原料,进行籽晶定向高压布里奇曼法生长,制备出φ(50 ~ 55) mm×(80 ~ 100) mm高品质单晶棒,加工出多相位匹配角度、多规格尺寸(6 ~8)2×(40 ~50) mm3晶体元件.元件在2.1 μm、2.6 μm、10.8 μm等多波段o、e偏振光测试下,吸收系数分别≤0.02 cm-1、≤0.02 cm-1、≤0.01 cm-1,通过光参量振荡实验,元件在10.1~10.8 μm波段实现1.05W长波红外激光输出. 相似文献
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本文报道了用激光加热基痤法生长钛宝石单晶光纤中,激光功率、熔区形状、拉速及直径比等因素对光纤质量的影响。系统地研究了绿光吸收系数对于生长气氛和源和源棒浓度的依赖关系。 相似文献
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采用Li3N和hBN为原料,在静态高温高压条件下合成出大颗粒cBN单晶.利用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)对合成块断面、大颗粒cBN单晶形貌及其周围物相进行了表征.结果表明:在大颗粒cBN单晶周围主要存在hBN、cBN及Li3BN2等物相.HRTEM在大颗粒单晶周围发现了纳米尺寸的cBN微颗粒,并发现该微颗粒处在Li3BN2物相包裹中.由此可以推测,高温高压状态下,hBN与Li3N发生共熔反应生成Li3BN2,而Li3BN2作为触媒中间相促使cBN的形成.同时结合SEM结果分析表明,一旦cBN微颗粒形成,在随后的生长过程中,cBN在Li3BN2熔体中以扩散的方式进行台阶生长,从而形成宏观可见的cBN单晶. 相似文献
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