关于运动电荷所产生的位移电流

本文指出运动电荷产生的电场和磁场间存在着紧密关系，并由此给出其位移电流和位移电流密度的一种新的表述．据此，对运动电荷的位移电流、位移电流密度以及位移电流线进行了简要的讨论，并给出了位移电流线的物理图象．     

关于运动电荷所产生的位移电流

本文指出运动电荷产生的电场和磁场间存在着紧密关系，并由此给出其位移电流和位移电流密度的一种新的表述。据此，对运动电荷的位移电流、位移电流密度以及位移电流线进行了简要的讨论，并给出了位移电流线的物理图象。     

再论运动电荷周围的位移电流

我在《大学物理》84年第3期写的《运动电荷周围的位移电流》一文中.有两个问题需要更正,请读者鉴谅. 1.关于位移电流密度大小的计算问题 如图1所示,设一点电荷q以速度v沿x轴方向运动.若v《C(光速),则运动电荷q的周围住一点电场的电位移位移电流密度关于位移电流密度的大小jc在原文中是根据来计算的.因为以,关于位移电流密度的大小人的计算应更正如下,因为而所以 (i、j分别为x轴、y轴方向上的单位矢径)(1)式中等号右边的第一项(1)式中等号右边的第M项将(2)(3)两式代入(1)式得上式等号右边第一项,显然就是运动电荷q周围电场中任一点位移电流…     

关于位移电流激发的磁场──兼谈位移电流的实验验证

作者在前文[1]中曾经证明,在似稳条件下位移电流对磁场的总贡献为零。本文是该文思想的进一步发展。文中指出:如果计及位移电流,则可将似稳情况下的毕奥-萨伐尔定律推广至迅变场情况,根本勿需考虑推迟效应。如果利用推迟势,则计算磁场时,就无需考虑位移电流了。位移电流与传导电流的纵向部分(无旋部分)对磁场的贡献为零,从而在一些位移电流实验验证工作中[2],其理论根据是不充分的。 一、推广的毕奥-萨伐尔定律令jc表示传导电流密度,JD=表示位移电流密度,j=jc+jD为全电流密度,则 __xOD,_..__.-.___…、,_。___。,, 合]。表示传导电流密度,…     

运动电荷周围的位移电流

相对于观察者来说,电荷运动时要引起周围空间各点的电场发生变化,而变化的电场就是位移电流,因此,运动电荷的周围是有位移电流存在的。那么,空间里任一点位移电流密度的方向如何确定?大小如何确定?下面准备针对这两个问题谈一谈自己的一些看法。 一、位移电流密度的方向 设电荷q以速度υ向右运动,拿运动方向上任一点p来说,由于运动电荷q距p点愈来愈近,p.点的电位移在△t时间内由D1增至D2,增加了△D(△D=D2-D1),其增量△D的方向,与υ一致,向右。从位移电流密度的定义式jc=来看,位移电流密”“”’“““”““”””‘’ gi”’””””“…     

带有质量的Wilson费米子的格点Schwinger模型中M_V对m的变化率的计算

用变分法计算带有质量的Ｗｉｌｓｏｎ费米子的格点Ｓｃｈｗｉｎｇｅｒ模型中矢量介子的质量Ｍ，从而求出Ｍ、对费米子质量ｍ的变化率Ｍｖ／ｍ（ｍ＝０处），结果与连续理论的准确解十分接近．     

小于1的折射率

介质折射率小于１的事实导致这样的疑问：介质中光速会比真空中光速ｃ还大吗？事实上，光在介质中的传播速度可分为三种：相速ｖ、群速ｖｇ、信号速度ｖσ．ｖ和ｖｇ可以等于Ｃ，也可以小于Ｃ或大于Ｃ．ｖσ恒小于ｃ，其极限值为ｃ．     

LaH2分子基态（C2V,A1）的势能函数

在ＱＣＩＳＤ水平上基于相对论紧致有效势（ＲＣＥＰ：Ｒｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｐｏｔｅｎ－ｔｉａｌ）方法优化出ＬａＨ２分子的基态为Ｃ２ｖ（Ｘ＾２Ａ１）构型,其〈ＨＬａＨ－１２４４°、平衡核间距Ｒｅ＝２．１９４５Ａ和离子解能Ｄｅ＝５．５９９ｅＶ,并计算出谐振频率：ｖ１＝１２１６．５２１ｃｍ＾－１、ｖ２＝１０８７．４１７ｃｍ＾－１和ｖ３＝２１５６．９５７２ｃｍ＾－１。     

磁场强度H的场源特征

为了澄清对磁场强度H场源的错误认识,用矢量场原理讨论了H线的场源特征。介质的磁化状态决定了H线的通量源的分布,传导电流和位移电流决定了H线的涡旋源的分布。并用典型的例子作了详尽的说明。     

麦克斯韦怎样提出电位移与位移电流假设

电位移和位移电流是电磁学中两个重要的物理量。历史上是由麦克斯韦提出的。在现代教科书中定义电位移矢量(?)=ε_0(?) (?),它是电场强度和介质电极化强度的线性组合。并无直观的物理意义。而位移电     

三道相似计算题的解法分析

例1　已知小红在第一段路程中的步行速度为ｖ1,在第二段路程中的速度为ｖ2,如果前后两段的路程相等,求小红在整个路程中的平均速度为多少?解:根据平均速度的定义,其值的大小应等于总路程和总时间的比值.由于路程相等,所以总路程为2ｓ,总时间应为两段路程的时间之和如图1所示,而其时间分别为ｓｖ1,ｓｖ2,故列方程可知:图1ｖ=ｓ总ｔ总=2ｓｔ1+ｔ2=2ｓｓ/ｖ1+ｓ/ｖ2=2ｖ1ｖ2ｖ1+ｖ2例2　已知两金属的密度分别为ρ1,ρ2,质量均为ｍ,求两金属制成的合金的密度.解:平均密度的计算仍然要抓住“两总”,即总质量、总体积.由图2可知,总质量为2ｍ,总体…     

显示屏表面空气式静电放电实验特性

显示屏是人机交互的重要部件,当人体静电放电发生在显示屏表面时,有可能导致软硬故障。为了研究显示屏空气式静电放电实验特性,通过一个自制的装置对显示屏空气式静电放电电流和通过显示屏的位移电流进行了实验测量。研究发现:放电电流峰值随接近速度的增加而增加,上升时间随接近速度的增加而减小。在±10~±12 kV电压范围,受电弧长度的影响,上升时间增大,电流峰值变小。随着测量点与放电点之间距离的增大,位移电流波形峰值减小、上升时间增大,正极性放电峰值更大且扩散范围更广,而负极性放电上升时间增大更加明显。由位移电流波形及其分布可以计算出电荷密度。电荷密度随距离放电位置距离的增大而减小。与正极性相比,尽管负极性放电电流峰值较低,但电荷密度较高,说明负极性放电具有造成更高等级损伤风险的危害。     

全电流定律是怎样得出的?

程守洙、江之永主编《普通物理学》第二册(第三版)第335页,是这样得出全电流定律的: “由传导电流或运流电流产生的磁场,满足如下安培环路定律:式中H1是传导电流或运流电流产生的磁场中的磁场强度。对于位移电流产生的磁场,如用H2表示其磁场强度,则由安培环路定律可得 在一般情况中,磁场可以由传导电流、运流电流和位移电流共同产生,我们用H表示总磁场强度,显然H将等于H1和H2的矢量和,根据上述两式,可得如下全电流定律: 这样得出全电流定律是不妥的。 虽然,H等于HI和HZ的矢量和是正确的,而且由此还可以得到但是,以下二式只有当传导电流…     

论匀速运动有限长带电直导线的位移电流

通过研究匀速运动有限长带电直导线的位移电流,发现了位移电流和传导电流之间密切关联.     

持续光谱烧孔和三维光信息存储

持续光谱烧孔（Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒａｌ ｈｏｌｅ ｂｕｒｎｉｎｇ）简你 ＰＨＢ．将 ＰＨＢ应用于光信息存储，可以使光的频率成为新的存储维，将传统的二维（ｘ，ｙ）光信息存储发展成为三维（ｘ，ｙ，ｖ）光信息存储．与目前的光盘系统（记录密度限为．１０８ｂｉｔ／ｃｍ２）相比较，ＰＨＢ的三维光信息存储（以下简称ＰＨＢ存储）在理论上可以使记录密度提高三至四个数量级．本文介绍了ＰＨＢ和ＰＨＢ存储的基本原理，ＰＨＢ材料及其研究现状．     

共轭链长及羰基位置对分子二阶极化率的影响

采用引入外场微扰的ＣＮＤＯ／Ｓ－ＣＩ方法，计算一系列二苯基烯酮类化合物的分子二阶极化率（或二阶非线性光学指数）γβｖｃｃ值选取了苯环上含不同取代基团的化合物，从羰基在共轭链中的位置及共轭链长度方面，探讨了其微观二阶非线性光学效应的变化规律，结果表明，共轭链中羰基位置对βｖｃｃ值得重要的影响，并且呈现出一定的规律性，对于苯环上取代相同基团的化合物，其分子二阶非线性光学系数随共轭链长度的变化成指数关系     

Fermi—Dirac关联与Q~（－v）K_v（Q）分布

根据非微扰理论提出一种源分布─—Ｑ－ｖＫｖ（Ｑ）分布．由此计算两质子的Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ关联．拟合的曲线与实验数据吻合得较好，这是Ｑ－ｖＫｖ（Ｑ）分布比Ｇａｕｓｓ源分布优越之处．由全同质子的Ｆ—Ｄ关联计算出发射源半径及Ｆｅｒｍｉ场的反常量纲．     

Br2分子里德堡态的高分辨转动谱研究

用窄线宽（０．０８ｃｍ＾－＾１）脉冲可调谐紫外激光和（２＋１）多光子电离方法测量了Ｂｒ２的里德堡（Ｒｙｄｂｅｒｇ）态光谱,在７００００－７１５００ｃｍ＾－＾１范围内,获得了溴分子［П３／２］４ｄ振动系列,测量（ｖ＇,ｖ”）＝（１,０）,（２,０）的高分辨振转谱,得到其转动常数Ｂ’７９－８１分别为０．０８８３２和０．０８８０５ｃｍ＾－＾１,并提出此系列的角动量量子数Ω应为１。     

关于Dirac方程非相对论近似的两点注记

本文改进了Ａ．Ａ.CoknoB推导Ｄｉｒａｃ方程非相对论近似的工作，并证明了在用微扰法求体系能量精细结构（ｖ２／ｃ２级）时，常见的两种近似方程形式是等价的．     

真空中的“位移电流”和传导电流以同样规律激发磁场吗？

本文认为“位移电流’和传导电流按相同规律激发磁场”的说法欠妥。所谓“传导电流激发磁场”和“位移电流’激发磁场”应是同一磁场产生的两种不同的描述：前老是指产生磁场的“源”，后老是指电磁作用的传播过程；而不是传导电流和“位移电流”各自激发了一个磁场．