钯涂怪石墨炉原子吸收热处理分离测定环境水样中的As^3＋…

本文提出了一种较为简便的测定环境水体中Ａｓ＾３＋和Ａｓ＾５＋的方法。在研究了钯涂层石墨管性能的基础上，利用ＡｓＣｌ３的低沸点，高挥发性，在石墨炉升温过程中，使Ａｓ＾３＋在灰化阶段分离；改变化温度可以测定总Ａｓ含量，从而对Ａｓ＾３＋／Ａｓ＾５＋分别定量。     

YAG晶体中Cr~（3＋）→Tm~（3＋），Er~（3＋）→Tm~（3＋）的能量

研究了加入敏化离子Ｃｒ３＋和Ｅｒ３＋的Ｔｍ：ＹＡＧ晶体的吸收谱和荧光谱，计算了Ｃｒ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋离子的２Ｅ、４Ｉ１３／２、３Ｆ４能态的平均寿命及能量；转移效率、转移速率．得出Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋转移效率为８０％，转移速率为２．１×１０３ｓ－１．由（Ｅｒ，Ｔｍ）：ＹＡＧ的荧光谱可见存在Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋的有效的能量转移．讨论了Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋和Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋能量转移的不同．     

Ca3Al2M3O12（M=Si,Ge）石榴石中Ce^3＋离子的荧光光谱

本文研究了Ｃａ３Ａｌ２Ｍ３Ｏ１２（Ｍ＝Ｓｉ，Ｇｅ）石榴石中Ｇｅ＾３＋离子的荧光光谱。在这两种石榴石中，Ｃｅ＾３＋的发射光谱均为Ｃｅ＾３＋的５ｄ→４ｆ能级跃迁发射宽谱带，但有很大差异。在锗酸盐中，Ｃｅ＾３＋的发射强度很弱，而在硅酸盐中发射强，２９５和７７Ｋ下在Ｃａ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２中Ｃｅ＾３＋的荧光寿命分别为４６和４９ｎｓ。Ｇｄ＾３＋和助溶剂的引入可提高Ｃｅ＾３＋的发射强度。     

氟锆酸盐玻璃中Tm^3＋和（Tm^3＋＋Ho^3＋）离子的光谱研究

给出氟锆酸（ＺＢＬＡＮ）玻璃中＾Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋离子的Ｑｔ参量，并与氧化物玻璃中Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋的Ｑｔ参量进行了比较，用３７５ｎｍ和４６８ｎｍ波长激发单掺ＺＢＬＡＮ中Ｔｍ＾３＋离子，获得来自Ｄ，２，＾３Ｈ４，Ｇ４能级不同发射波长的发光强度随掺杂浓度的变化，而用小于１μｍ的激发波长激发发单掺Ｔｍ＾３＋或Ｈｏ＾３＋样品，获得近红外区发射光谱。文中给出掺杂浓度对于Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾＋近红外区     

原子吸收光谱法测定有机锗（Ge—132）中的锗及其杂质

火焰原子吸收法测定有机锗（Ｇｅ－１３２）中的锗，线性浓度范围为０－１．２５ｍｇ／ｍＬ，方法精度为１．２％，相对标准偏差〉２％，平均回收率为９９．５％，杂质Ｐｂ和Ａｓ用塞曼石墨炉原子吸收测定，Ｐｂ用（ＮＨ４）２ＨＰＯ４＋Ｍｇ作改进剂，Ａｓ用Ｐｄ作改进剂，特征质量分别为８．２ｐｇ和８ｐｇ，相对标准偏差分别为２．１％和２．２％，并讨论了有关机理问题。     

1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。     

原子吸收光谱法测定有机锗（Ge─132）中的锗及其杂质

火焰原子吸收法测定有机锗（Ｇｅ．１３２）①中的锗，线性浓度范围为０－１．２５ｍｇ／ｍＬ，方法精度为１．２％，相对标准偏差＜２％，平均回收率为９９．５％。杂质Ｐｂ和Ａｓ用塞曼石墨炉原子吸收测定，Ｐｂ用（ＮＨ_４）_２ＨＰＯ_４＋Ｍｇ作改进剂，Ａｓ用Ｐｄ作改进剂，特征质量分别为８．２ｐｇ和８ｐｇ，相对标准偏差分别为２．１％和２．２％，并讨论了有关机理问题。     

Effect of OH－ on Fluorescence Lifetime and Laser Performance of Er~（3＋） Glass

ＥｆｆｅｃｔｏｆＯＨ－ｏｎＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅＬｉｆｅｔｉｍｅａｎｄＬａｓｅｒＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＥｒ~（３＋）Ｇｌａｓｓ￥（ＡｌｓｏｗｉｔｈＳｈａｎｇｈａｉｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓａｎｄＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉｃｓ，Ａｃａｄｅｍｉ?..     

掺Ce~（3＋）、Tb~（3＋）的M_3Y_2（BO_3）_4（M＝Ca，Sr）

采用固相反应的方法；经二次灼烧合成了掺Ｃｅ（３＋）、Ｔｂ（３＋）的Ｃａ３Ｙ２（ＢＯ３）４和Ｓｒ３Ｙ２（ＢＯ３）４磷光体；分析了合成过程中铈的还原情况．用Ｘ－射线衍射分析确定了它们的结构均为正交晶系，空间群Ｐ２１ｃｎ测定了Ｃｅ（３＋）和Ｔｂ（３＋）在两种基质中的光谱，得到Ｃｅ（３＋）波长位移的某些规律，观察到Ｃｅ（３＋）对Ｔｂ（３＋）的敏化作用．     

类锗离子R_u~（12＋）到Cd~（16＋）4s~24p~2，4s4p~3，4s~24p5s组态能级、波长和振子强度的理论计算

用ＭＣＨＦＲ自洽场方法，结合自行设计的最小二乘拟合程序，计算了与软Ｘ射线激光研究有关的类锗离子Ｒｕ１２＋到Ｃｄ１６＋的４ｓ２４ｐ２，４ｓ４ｐ３，４ｓ２４ｐ５ｓ组态能级、波长和振子强度。计算结果与实验进行了比较。     

KAlF4：Ce,Tb磷光体的发光特性及Ce^3＋对Tb^3＋的敏化作用

采用溶液反应法和高温固相反应法合成了ＫＡ１Ｆ４基质化合物及ＫＡ１Ｆ：Ｃｅ，Ｔｂ磷光体，测定了磷光体的激发光谱和发射光谱，研究了在碱金属氟铝酸盐基质中Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋的能量传递，根据Ｃｅ＾３＋，Ｔｂ＾３＋在ＫＡｌＦ４中的能级关系，分析了其发光特性和Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋能量传递过程。     

石墨炉原子吸收光谱法测定食品添加剂中微量As,Cd,Cu和Pb

用于灰化法处理，石墨炉原子吸收光谱法测定食品添加剂复合粉中微量Ａｓ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｐｂ。结果满意，相对标准偏差为５．２％；回收率为９０～１０２％。方法灵敏、准确、快速。     

Al^（10＋）的电子碰撞激发和电离

用扭曲波方法计算了Ａｌ￣（１０＋）离子基态和第一激发态的１ｓ、２ｓ和２ｐ电子的激发和电离截面。激发截面与文献［３］的结果符合很好。同时，２ｓ电离截面与文献［４］的结果也是一致的。在电离阈值处实现了激发截面（乘以“态密度”）与电离能量微分截面的光滑联接。     

YAG：Nd~（3＋）晶体的发光研究

在３０～８４０Ｋ的温度区间内研究了ＹＡＧ：Ｎｄ３＋荧光谱线（由斯塔克能级Ｒ１、Ｒ２向Ｚｉ（ｉ＝１，５）跃迁所辐射的荧光）的相对强度随温度的变化。同时，还研究了该晶体的多光子荧光过程。     

He（2^3S）与N2O（X）Penning电离中的N2O^＋（A^2Σ^＋）生成速率及相…

在分子束条件下测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２Ｏ（Ｘ）→Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的Ｐｅｎｎｉｎｇ电离光学光谱，求得了Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）态的初生态相对振动布居。以Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２（Ｘ）→Ｎ＾＋２（Ｂ＾２Σ＾＋ｕ）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－为参考反应，测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋ＢＮ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的速率常数ＫＮ２Ｏ＾＋（Ａ）     

2＋1维SU（3）O^＋＋胶球质量

提出变形集团展开法研究２＋１维ＳＵ（３）格点规范场的胶球质量,这种方法采用相边空心图的线性组合作为试探波函数,并引入了Ｗｉｌｓｏｎ圈图的平均值。计算结果表明,变形集团展开的真空能量比普通集团展开法方法的真空能量低,０＾＋＋胶球质量ｍ／ｅ＾２的二阶和三阶结果在耦合常数β＝４．５－８．０区间,表现出较好的标度行为和良好的收敛性。     

类铍Ar^14＋和类镁Ar^6＋离子双激发态能级的计算

用相态相互作用方法计算了类铍Ａｒ＾１４＋离子双激发态１ｓ＾２３ｌ３ｌ＇和类镁Ａｒ＾６＋离子双激发态１ｓ＾２２ｓ＾２２ｐ＾６４ｌ４ｌ＇的能级。两个外层电子与内层原子实１ｓ＾２或１ｓ＾２２ｓ＾２２ｐ＾６电子的作用用模型势表不。Ａｒ＾１４＋的双激发态可用量子数Ｋ，Ｔ和Ａ标记，而Ａｒ＾６＋的某些组态却不能用上述量子数表示。     

类镍Hf~（44＋）、Ta~（45＋）、W~（46＋）、Re~（47＋）、Pt~

本文用多组态Ｄｉｒａｃ－Ｆｏｃｋ（ＭＣＤＦ）法计算了类镍Ｈｆ４４＋、Ｔａ４５＋、Ｗ４６＋、Ｒｅ４７＋、Ｐｔ５０＋、Ａｕ５１＋能级的精细结构和ｎ＝３—４偶极跃迁辐射的振子强度，得到了和实验符合得相当好的结果（对有实验数据的跃迁波长而言），并对组态的选取、核模型的影响、Ｂｒｅｉｔ修正和ＱＥＤ效应作了讨论指出对于本文研究体系，ＱＥＤ效应对跃迁的贡献可以忽略。     

四维模型空间中硼离子B^＋关联能的多体微扰计算

在（２ｓ＋２ｐ＋３ｓ）２四维模型空间中，利用由Ｂ—Ｓｐｌｉｎｅ构造的有限基集［３］，进行了硼离子Ｂ＋基态关联能的计算。在二阶微扰近似下，所得关联能为实验值［５］的９７．２％。     

Concentration dependent fluorescent characteristics of Ti~（3＋） ion doped sapphire crystal

ＣｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＴｉ￣（３＋）ｉｏｎｄｏｐｅｄｓａｐｐｈｉｒｅｃｒｙｓｔａｌＬＩＵＪｉａｎｈｕａ；ＤＥＮＧＰｅｉｚｈｅｎ；ＧＡＮＦｕｘｉ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔ...