压力对GdoBr:Eu晶场参数的影响

 在室温下测量了GdoBr:Eu的常压和高压荧光谱，光谱范围在13 000~21 500 cm^-1之间，压力至12 GPa。由光谱数据得到了Eu³⁺晶场能级随压力的变化曲线。⁷F_0～5能级随压力的变化规律比较复杂，而⁵D_0~2各能均随压力的升高几乎线性地降低。在基态谱项⁷F的49个状态上进行了晶场拟合计算，所得常压下的5个非零晶场参数分别为：B₀²＝-1 124.0 cm^-1，B₀⁴＝-969.6 cm^-1，B₄⁴＝827.9 cm^-1，B₀⁶＝889.6 cm^-1，B₄⁶＝377.0 cm^-1。高压下的计算结果表明，B₀⁴、B₀⁶这两个晶场参数随压力的增加而增大，B₄⁶随压力的增加而减小，而B₀²、B₄⁴随压力的变化有些起伏。晶场强度在8 GPa以下随压力增加而减小，其后开始变强。     

高压下正戊烷的稳定性研究

 利用Raman散射光谱在碳硅石压腔下研究了常温下的正戊烷从0.07~4.77 GPa的稳定性。结果表明：正戊烷的 CH₃、CH₂对称和反对称伸缩振动2 877 cm^-1、2 964 cm^-1和2 856 cm^-1、2 935 cm^-1以及－(CH₂)_n －同步扭曲振动1 303 cm^-1均随压力增大而基本呈线性向高频方向移动,并在2.47 GPa附近发生过压凝固,这是一种平衡稳定态之外的亚稳态现象。另外推测正戊烷在高压下可能发生固－固相变,最后通过平衡的固液共存相确定了正戊烷的平衡凝固压力为(1.90±0.05) GPa。     

立方氮化硼的振动光谱及反射光谱的研究

 将黑色、黄色、棕色三种小于50 μm立方氮化硼粉末为样品，研究了其红外光谱、拉曼光谱、反射光谱，结果表明：（1）样品的红外光谱中，1 818 cm^-1和1 548 cm^-1属于cBN的晶格本征振动，而立方氮化硼的晶格本征振动外的晶体缺陷吸收则发生在~800 cm^-1，1 580 cm^-1~1 740 cm^-1和大于2 400 cm^-1处。（2）拉曼光谱测试表明，在1 052 cm^-1和1 304 cm^-1附近出现的散射与cBN不具有反演中心及cBN具有立方结构这样的事实相一致，并且这种散射伴随着布里渊区中心声子的横向和纵向发射。144 cm^-1附近出现的散射，被认为是由于局部振荡模式的出现，在反斯托克斯区造成的信号，这与晶格中杂质缺陷有关。（3）依据得到的反射光谱，计算了cBN单晶禁带宽度，发现这三种cBN都具有大于金刚石的禁带宽度值，分别为：E_g(黑)=6.21 eV，E_g(黄)=5.73 eV，E_g(棕)=5.71 eV。     

0.1~800 MPa压力下方解石拉曼光谱的实验研究

 利用石英的拉曼谱峰与温度和压力的关系，检验了在金刚石压腔中用方解石拉曼谱峰确定体系压力的可行性，并初步确定了在常温下方解石的拉曼谱峰与压力的关系。实验研究结果表明：在实验的压力范围内方解石稳定，且其1 085 cm^-1 谱峰约为石英464 cm^-1谱峰的3倍强度，因此非常适合作为热液金刚石压腔的压力标定物。在温度26 ℃、压力0.1~800 MPa条件下，方解石的拉曼谱峰（1 085 cm^-1）随着压力的增加，呈线形增大，其关系式为：p(MPa)=192×(ν_p－1 085)－21.8，1 085 cm^-1<ν_p<1 090 cm^-1。     

高组份Al值的AlxGa1-x As和AlxGa1-x As/GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs多层结构的MOCVD生长

用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al_xGa_1-xAs（其x值达0.83）,和Al_xGa_1-xAs/GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到十几μm可控,测试表明外延层晶格结构完整,x值调节范围宽,非有意掺杂低,高纯GaAs外延层载流子浓度n_300K=1.7×10¹⁵cm^-3,n_77K=1.4×10¹⁵cm^-3,迁移率μ_300K=5900cmcm²/V.S,μ_77K=55500cm²/V.S。用电子探针,俄歇能谱仪测不出非有意掺杂的杂质,各层间界面清晰平直。 对GaAs,AlGaAs生长层表面缺陷,衬底偏角生长温度及其它生长条件也进行了初步探讨。     

Mg:Fe:LiNbO3晶体的生长及光学性能研究

在Fe:LiNbO₃中掺进MgO和Fe₂O₃以提拉技术生长Mg:Fe:LiNbO₃晶体.对晶体进行极化和还原处理.测试晶体的吸收光谱,Mg:Fe:LiNbO₃晶体吸收边相对Fe:LiNbO₃晶体发生紫移.测试晶体的红外光谱,Mg:(5 mol%)Fe:LiNbO₃晶体OH^-吸收峰由Fe:LiNbO₃晶体的3482 cm^-1移到3534 cm^-1.采用锂空位模型阐述Mg:Fe:LiNbO₃晶体,吸收边和OH-吸收峰移动的机理.测试晶体的抗光致散射能力.Mg:(5 mol%)Fe:LiNbO₃晶体抗光致散射能力比Fe:LiNbO₃晶体提高一个数量级以上.测试晶体的衍射效率和响应时间.Mg:Fe:LiNbO₃晶体响应速度比Fe:LiNbO₃晶体提高四倍.     

水在钠长石熔体中溶解类型的实验研究

 根据对含水钠长石玻璃的FTIR光谱研究,认为水在钠长石熔体中同时以OH^-和H₂O形式存在,这分别对应于FTIR光谱中的4 500 cm^-1及5 200 cm^-1谱峰。此外,研究表明在溶解初期水主要以OH^-存在于熔体中,随着熔体中水含量的升高,H₂O分子则成为主要的溶解类型。而且,水的溶解类型变化与熔体粘度变化特征是一致的。     

高山宇宙线荷电强子流强的负正比

在海拔3220米的实验室里,用磁谱仪动量予选装置和多板云室,对落在0.23m²面积上的单根荷电强子进行了观测.考虑到各种可能的修正以后,得出在10—20 GeV/c之间,荷电强子的负正比为:N^-/N⁺=0.53±0.05.当认为N⁺只包含有P和π⁺,N^-是π^-,而且N_π+/N_π-=1时,推算出N_π-/N_p=0.9±0.1.若π^-积分谱的形式为j（>p）=Kp^-r,估算出在5—20 GeV/c的动量范围,r（?）2.3.本文也对荷电强子的积分流强作了粗略的估计,其结果是:j_⊥^p+π（>12 GeV/c）=（7.4±0.7）×10^-5cm^-2·st^-1·s^-1.     

Gd2O2S:Eu荧光谱及能级的高压研究

 在21 500~11 500 cm^-1光谱区间内测量了Gd₂O₂S:Eu的荧光光谱，测量是在室温和液氮条件下进行的，对122条低温谱线和96条常温谱线进行了指认。识别了Eu³⁺离子⁵D_0~2及⁷F_0~6的39个斯塔克能级中的35个能级。在0~15 GPa压力范围内，研究了Gd₂O₂S:Eu高压下的发射光谱。在压力作用下，发现所有观测到的谱线都红移，强度降低。6个⁵D_0~2能级下降速度大于⁷F_J，⁵D₂、⁷F_2~5多重态的斯塔克劈裂变大，而⁵D₁和⁷F₁的劈裂变小。     

对带电轻子质量公式的一些猜测

本文建议轻子电磁自能通过（（δm）/m）=（1/（2π））n^-b 与量子数 n 联系起来,其中 b 为待定常数.并建议动量截断值 M 与引力常数 k 和精细结构常数α的联系为 M=（?）.得到了带电轻子质量公式（?）.利用 e^-和μ^-质量的实验值和α值作输入,给出计算值 k=（6.67231±0.00026）×10^-8 cm³g^-lsec^-2和m_τ=（1782.306±0.078）MeV,与观察值 k=（6.6720±0.0041）×10^-8cm³ g^-1sec^-2和 m_τ=(1782_-4⁺³)MeV 很好符合.公式预言第四个带电轻子质量应为 m=（11725.47±0.51）MeV 可以在最近的实验中检验。本文还对所建议的质量公式和结果进行了讨论.     

几种材料的等效粘性系数、初始可动位错密度和拖曳应力

 基于LY12铝、MB₂镁、铅、2^#铁和不锈钢等几种材料的弹性前驱波幅度随传播距离衰减的实验结果，应用含位错参量的速率相关本构方程，按照Gilman提议的位错运动速度的热激活模型，得出了LY12铝、MB₂镁、铅的可动位错密度N₀和拖曳应力τ₀的下限值分别为10⁶ cm^-2和0.1 GPa量级，不锈钢的N₀和τ₀为10⁸ cm^-2和1.5 GPa量级。根据弹性前驱波幅度衰减曲线，还得出了2^#铁、不锈钢的有效粘性系数μ的上限值为10⁴ Pa·s量级。LY12铝、MB₂ 镁的有效粘性系数μ的上限值为10³ Pa·s量级。     

激光产生蒸汽羽的干涉研究

 根据拍摄1.06 μm长脉冲钕玻璃激光与LY12铝靶耦合产生蒸汽羽的干涉分幅照片，测出在t<50 μs空气冲击波速度约为473 m/s而蒸汽羽阵面扩散速度约为162 m/s。运用蒸汽羽等离子体的有关热力学特性方程组，得到蒸汽羽等离子体的电子密度、电子温度、电离度和吸收系数的最大值分别为N_e≈3.1×10¹⁷ cm^-1，T≈6 096 K，η≈0.014，α_(1.06μm)≈0.03 cm^-1的结果。     

常温高压下水的拉曼谱峰标定压力的研究

 利用金刚石压腔测定了26 ℃高压下水的O—H伸缩振动拉曼谱峰的变化,并对其进行分峰处理,初步确定了水的拉曼拟合峰ν_{3 244}的峰位置与体系压力的关系,且论证了利用水的拉曼拟合峰ν_{3 244}的变化标定金刚石压腔压力的优点以及应用上的局限性。实验结果表明：26 ℃时,在实验的压力范围内,由水的拉曼谱峰拟合得到的ν_{3 244}峰位置随着体系压力的增加呈线性减小。其关系式为p (MPa)=32.9(ν_p)_{3 244}+200.7（3 215 cm^-1< ν_{3 244}<3 244 cm^-1）。     

海拔3220米动量大于4 GeV/c的μ子垂直积分动量谱

我们在云南海拔3220米高山上,利用G-M计数管磁谱仪,测量了动量大于4 GeV/c的宇宙线μ子垂直积分动量谱.实验给出的谱可用一指数函数表示:I（>P）=Q（p+4）^1.86±0.06(cm^-2·sr^-1·s^-1),其中动量P以GeV/c为单位,Q为常数.同时测量了动量在4—23 GeV/c范围μ子的荷电比为N_μ⁺/N_μ^-=1.26±0.11.另外对本谱仪的动量误差问题作了讨论和计算.     

低密度硅橡胶冲击雨贡纽曲线测量

 采用阻抗匹配法测量了两种低密度（ρ₀＝0.45 g/cm³和ρ₀＝0.47 g/cm³）硅橡胶在2.5~15 GPa压力范围内的冲击雨贡纽参数，p-u_p和u_s-u_p曲线，并采用最小二乘法拟合出C₀，λ′和λ″的值。实验结果与理论预估值符合较好。     

相对论性电磁束缚系统（π±μ干）、（K±μ干）的库仑裂解与衰变

本文应用复合粒子量子场论的微扰展开式和相对论性的（π^&;#177;μ^?）、（K^&;#177;μ^?）的B.S.波函数,计算了在原子核屏蔽库仑场中高能（π^&;#177;μ^?）、（K^&;#177;μ^?）原子的裂解能谱和截面。在极端相对论近似下,对大多数原子核,它们的裂解截面分别约为10^-18cm²和10^-17cm²。利用同样的波函数,还计算了（π^&;#177;μ^?）→π⁰+v_μ（v_μ）,（K^&;#177;μ^?）→K⁰+v_μ（v_μ）,以及（π^&;#177;μ^?）→μ⁺+μ^-+v_μ（v_μ）,（K^&;#177;μ^?）→μ⁺+μ^-+v_μ（v_μ）的衰变几率。     

Investigation of PL properties of C-doped SiO2/Si samples after high energy Pb ion irradiation

Amorphous SiO₂ thin films with about 400—500 nm in thickness were thermally grown on single crystalline silicon. These SiO₂/Si samples were firstly implanted at room temperature (RT) with 100 keV carbon ions to 2.0×10¹⁷, 5.0×10¹⁷ or 1.2×10¹⁸ ions/cm², then irradiated at RT by 853 MeV Pb ions to 5.0×10¹¹, 1.0×10¹², 2.0×10¹² or 5.0×10¹² ions/cm², respectively. The variation of photoluminescence (PL) properties of these samples was analyzed at RT using a fluorescent spectroscopy. The obtained results showed that Pb-ion irradiations led to significant changes of the PL properties of the carbon ion implanted SiO₂ films. For examples, 5.0×10¹² Pb-ions/cm² irradiation produced huge blue and green light-emitters in 2.0×10¹⁷ C-ions/cm² implanted samples, which resulted in the appearance of two intense PL peaks at about 2.64 and 2.19 eV. For 5.0×10¹⁷ carbon-ions/cm² implanted samples, 2.0×10¹² Pb-ions/cm² irradiation could induce the formation of a strong and wide violet band at about 2.90 eV, whereas 5.0×10¹² Pb-ions/cm² irradiation could create double peaks of light emissions at about 2.23 and 2.83 eV. There is no observable PL peak in the 1.2×10¹⁸ carbon-ions/cm² implanted samples whether it was irradiated with Pb ions or not. All these results implied that special light emitters could be achieved by using proper ion implantation and irradiation conditions, and it will be very useful for the synthesis of new type of SiO₂-based light-emission materials.     

高岭石的高温高压相图及其地学意义

 用阻抗匹配法和PZT压电探针技术,在100 GPa的冲击压力范围内测量了初始密度分别为1.375 g/cm³和2.001 g/cm³两种孔隙度叙永石样品的Hugoniot状态方程。根据其p_H-ρ_H线所给出的高温高压相变点,用Grüneisen状态方程计算其相变点压力所对应的温度,并结合常压下受热相变的温度值,建立了“高岭石/Al₂O₃+SiO₂+H₂O”的温度-压力相平衡图。通过该相图与线性地热线的交点推断：高岭石至少可在上地幔50 km深处作为一种含水（OH^-）矿物而稳定存在;或在俯冲板块中至少于133 km深处作为一种含水（OH^-）泥质沉积物的过渡相而存在。     

SU(2)×U(1)×S3模型及类K0-K0系统的混合和CP破坏效应

本文内容包括:(ⅰ)进一步给出SU(2)×U(1)×S₃模型的结果S₂≈S₃≈(m_s²)/(m_b²);sin δ≤(m_um_d)/(m_cm_s),并预言b夸克的主要衰变道是b→u+W,b夸克的寿命可能长到10^-9秒.(ⅱ)给出类K⁰-K⁰系统混合时的精确表达式ρ=错号事例数/对号事例数=(1/2)(|p/q|²+|q/p|²)([Γ²+(Δm)²]²-(γ1γ2)²)/([Γ²+(Δm)²]²+(γ1γ2)²);并给出CP破坏的精确表达式:A=(1-ρ')/(1+ρ')=(I_M12Γ₁₂^*)/(|M₁₂|²+1/4|Γ₁₂|²),这里ρ′=(负电错号事例数)/(正电错号事例数)。     

掺铒碲钨酸盐玻璃光谱性质的研究

合成了不同浓度Er³⁺掺杂的TeO₂-WO₃-Li₂O体系玻璃（TW glasses）,详细研究了掺杂浓度对这种碲钨酸盐玻璃光学特性的影响。计算了Judd Ofelt(J-O)强度参数,研究了掺杂浓度对15 μm发射带宽的影响,及不同掺杂浓度下Er³⁺的⁴I_11/2-⁴I_13/2和⁴I_13/2-⁴I_15/2无辐射跃迁过程。实验得到了在TW 玻璃中Er³⁺的⁴I_13/2-⁴I_15/2跃迁的浓度猝灭速率约为跃迁的浓度猝灭速率约为0.8×10^-18cm³·s^-1,这对寻求Er³⁺在碲钨酸盐玻璃中的合理掺杂浓度有一定的参考意义,这对寻求Er³⁺在碲钨酸盐玻璃中的合理掺杂浓度有一定的参考意义。实验发现Er³⁺的⁴I_11/2-⁴I_13/2无辐射弛豫速率在这种玻璃体系中约是不含WO₃的碲酸盐玻璃中的2倍,说明含WO₃的掺铒碲钨酸盐玻璃更有利于在980 nm激光泵浦下实现15 μm光放大。