实用化微机全自动控制XG60-1型MOCVD装置的研制

本文介绍的是自行设计与制造的高度自动化MOCVD装置。该装置设有9路流量控制管路,6路源,1路HCl气源及氯气旁路,装置气密性好,8 kg/cm²正压时,用Snoop溶液检测无泄露。配有真空机组,反应室可抽至10^-5乇。反应室为高频加热,控温精度±0.2℃,有机源冷井控温精度±0.1℃,设有压力,H₂、AsH₃、PH₃报警及自动处置系统,有断水,断电保护,全部控制量均为数字显示,温度及全部流量的设置与调整均实现微机自动控制,配有GaAs,AlGaAs单层及多层结构生长工艺的专用软件,实现完全自动化生长。该装置性能稳定,重复性好,安全可靠,对操作者及环境无危害,设有手动及自动转换开关,适合于科研和生产使用。     

一种光电阴极导电基底

超快速变象管是诊断各种超快速发光过程的变象管相机的核心部件,而其光电阴极又是该器件的心脏.为了使超快速变象管光电阴极在强的光脉冲作用下能提供大的瞬态电流密度,又能获得高的动态空间分辨率,则要求光电阴极必须具有足够小的横向面电阻率.但是,常用的s型半导体光电阴极其横向面电阻率一般均大于10~6Ω/□。为了解决这一问题,超快速变象管的光电阴极通常制作在透明的导电基底上. 超快速变象管光电阴极所用的导电基底应满足如下要求:(1)和光电阴极相容,即它的存在不影响光电阴极的制作及其灵敏度的提高,在光电阴极制作之后其面电阻率不…     

GaAs晶片表面的光辐射清洁及红外测温

本文介绍了在超高真空系统中对GaAs晶片进行光辐射清洁。这个实验是在实际研制的象增强器第三代管转移铟封系统上完成的,已具有实用价值。用这套清洁方法所制作的反射式GaAs光阴极积分灵敏度已达750μA/lm。     

高组份Al值的AlxGa1-x As和AlxGa1-x As/GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs多层结构的MOCVD生长

用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al_xGa_1-xAs（其x值达0.83）,和Al_xGa_1-xAs/GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到十几μm可控,测试表明外延层晶格结构完整,x值调节范围宽,非有意掺杂低,高纯GaAs外延层载流子浓度n_300K=1.7×10¹⁵cm^-3,n_77K=1.4×10¹⁵cm^-3,迁移率μ_300K=5900cmcm²/V.S,μ_77K=55500cm²/V.S。用电子探针,俄歇能谱仪测不出非有意掺杂的杂质,各层间界面清晰平直。 对GaAs,AlGaAs生长层表面缺陷,衬底偏角生长温度及其它生长条件也进行了初步探讨。