量子线,量子点和它们的激光器

介绍了半导体量子线、量子点的自组织生长法和掩膜表面选择局部生长法，讨论了量子线、量子点激光器的优点以及遇到的问题，指出了大小均匀性是实现量子线、量子点激光器的主要障碍．     

液相外延生长磷化镓 采用离心倾斜技术

目前,液相外延生长法是制造高质量GaP发光二极管材料的最成功的方法。离心倾斜技术就是以液相外延生长法为基础的。用这种技术产生的发光外延材料具有     

用汽相外延生长及锌扩散制造GaP发光二极管

最近几年,GaP被广泛地用于做发光二极管,特别是绿灯。GaP二极管绝大部分是用液相外延方法生长的,因为用这种方法能做出高效率的管子。 但汽相外延生长法却也有某些好的地     

具有化学腐蚀反射镜的GaInAsP/InP激光器—评述

本文对具有化学腐蚀反射镜的条形Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP激光器(λ=1.3μm)进行了详细评述。这些激光器都是用液相外延生长的GaInAsP/InP晶片制作的。提出了一种一端为腐蚀镜和一端为解理镜的简单条形激光器结构。在腐蚀面上用Si_3N_4膜和金属镀层进行单片钝化。上述工艺不仅能提高腐蚀镜的反射率并能使其阈电流比未镀层的解理器件的低,而且还能解决芯片在吸热区的焊接问题。在室温条件下实现了连续运转。10微米条形电极器件的阈电流约为180—200mA。最后对短腔激光器和集成的监控探测器作了说明。     

单量子势阱激光器的三元衬底生长

单量子势阱激光器的三元衬底生长日本富士实验室已研制出一种液体密封式切克劳斯基晶体生长法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ），用来生长高质量ＩｎＧａＡｓ晶体，继之用来生长单量子势讲ＩｎＧａＡｓＰ激光Ｍ极管。若能保证生长期间熔料的质量，就可改进块状晶体组份的均匀性...     

基于半导体激光的腔增强吸收光谱技术研究

用近红外可调谐分布反馈(DFB)半导体激光器作光源,用反射率为99.7%左右的平凹镜组成的稳定光学谐振腔作吸收池,建立了一套腔增强吸收光谱(CEAS)系统.根据系统工作时激光器与谐振腔的工作状态,将CEAS技术分为三类:控制波长法,控制腔长法及同时扫描波长和腔长法.以二氧化碳(CO2)和甲烷(CH4)为主要样品气体,用控制腔长法和控制波长法CEAS技术对CO2分子在1.573μm附近的吸收光谱做了测量;用扫描腔长和波长法CEAS技术对CH4气体在1.316μm附近的吸收光谱做了测量;考察了三种方法的探测灵敏度和在定量分析方面的能力.实验结果表明,CEAS技术是一种装置简单,操作方便,灵敏度高,稳定性好的定量吸收光谱技术,探测灵敏度达1.15×10-7cm-1.     

碲锡铅可调谐激光器的光谱特性

本文报道了用水平无籽晶气相生长法(HUVT)制造的可调谐二极管激光器的性能参数,在12K温度下,脉冲阈值电流密度为370A/cm~2,直流阈值电流密度为440A/cm~2.在13K温度下的电流调谐率为0.15cm~(-1)/mA.在400mA工作电流下的温度调谐率为2.3cm~(-1)/K.     

不同方法DKDP晶体生长和损伤阈值

生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方法对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长速度的影响效果正好相反,即由于生长溶液过饱和度的差别,点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍,但晶体损伤阈值下降了50%,且紫外波段透过性能下降明显。     

近化学计量比钽酸锂晶体生长及其周期极化

通过添加助熔剂K2O,制备了近化学计量比钽酸锂晶体。晶体没有开裂和孪晶现象。晶体的居里温度为(673±0.4)℃。通过在晶片表面形成占空比60%的聚酰亚胺周期结构并利用LiCl饱和溶液体电极施加极化电压,采用自动极化技术,制备出Z向切割0.5 mm厚的均匀周期极化化学计量比钽酸锂(SLT)晶片,晶片的畴反转占空比接近50%,并以1064 nm的Nd+3…YVO4激光器作为抽运源进行了光学实验。     

激光器件 固体激光器

TN248.1 2004053343 用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器中的被动调Q=Passive Q-switching in a flash-lamp pumped Nd:YAG laser with ion-implanted GaAs wafer[刊,中]/王勇刚(中科院半导体研究所,北京(100083))。李朝阳…∥半导体学报。—2004,25(2)。—148-151     

亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器

设计并研制了室温连续工作的单模13 μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）,阈值电流为051 mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为029 W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al（Ga）As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO₂/TiO₂介质薄膜上反射腔镜形成13 μm VCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响. 关键词： 垂直腔面发射激光器 晶片直接键合 应变补偿多量子阱     

几种新型LD泵浦Nd∶YAG双频激光器

介绍了几种LD泵浦Nd∶YAG双频激光器 ,均应用双折射原理实现。一类是利用自然双折射效应 ,在激光谐振腔内加入自然双折射元件 ;另一类则是对YAG晶片加压力 ,使YAG晶片本身成为应力双折射元件。由于双折射效应使激光在谐振腔内产生偏振方向互相垂直的寻常光 (o光 )和非寻常光 (e光 )两种成分。因为o光和e光在双折射元件中有着不同的折射率 ,因此一个激光谐振腔变成了具有两个物理长度的谐振腔 ,从而产生双频激光。改变自然双折射元件或对YAG晶片施加的压力 ,可调谐频差。实验中获得 10 9Hz量级的大频差 ,合成波长可到几十毫米 ,适用于绝对距离干涉测量     

增益导引锁相列阵激光器实验及波导分析

用液相外延方法制做了十五个氧化物条形半导体激光器集成在一起的耦合多条形激光器,实现了锁相工作,脉冲峰值功率为4W/plane(300ns,5kHz).在对单条形激光器的模式特性完成数值分析的基础上,运用耦合模理论,对耦合多条形激光器的波导特性进行了数值分析和计算,计算结果和实验基本一致.     

离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜，在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模. 离子注入的能量为400keV的As+离子，注入剂量为1016/cm2，然后在600℃下退火20min. 当抽运功率为5W时, 脉冲平均输出功率为200mW, 调Q包络重复频率为50kHz, 半高宽为4μs，锁模脉冲重复频率为15MHz. 关键词： 离子注入GaAs 掺镱光纤激光器 被动调Q锁模     

晶片融合产生长波低阈值垂直腔激光器

日本NTT光电实验室的研究人员演示了一种以双InGaAs/InP-GaAs/AlAs分布式布喇格反射器为基础的1.55μm输出垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。靠晶片融合进行的设计,其不匹配位错密度低于InP/GaAs界面上的异质外延生长。这种直径为25μm的器件在23℃时的阈值电流为8.8mA,阈值?..     

LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究

报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.     

在半绝缘铟磷衬底上制作的槽状大光腔铟镓砷磷激光器

本文报道在半绝缘铟磷(InP)衬底上制作的槽状大光腔铟镓砷磷/铟磷(InGaAsP/InP)激光器.该结构采用了衬底开槽技术,用一步液相外延工艺来完成,制作简单,重复性好.这种器件将槽状激光器的完全隐埋实折射率导波机制与大光腔结构结合起来,既保持了槽状激光器的低阈值单模运转性能,又能发挥大光腔的高输出潜力.所制成的激光器阈值电流低达25mA,单面脉冲输出功率达200mW,并可实现单模运转.     

光注入半导体激光器产生可调谐高频微波

利用光注入半导体激光器产生的单周期振荡,实验获得了61—129 GHz范围内频率连续可调的微波光信号.同时利用半导体激光器速率方程,对光注入半导体激光器产生高频微波进行了数值模拟.模拟和实验结果均表明微波信号产生于注入光和激光器腔模之间的拍频现象,其频率随着注入光强度和波长失谐的增大而增大,模拟结果预测该方法可以产生频率大于40 GHz的高频微波. 关键词： 光通信 光生微波 拍频 半导体激光器     

Rb原子的激光囚禁

用饱和吸收光谱法对二极管激光器进行稳频,使激光器的有效线宽小于１ＭＨｚ,并利用声光调制器使激光的频移量得到控制,满足了激光冷却与因禁原子对激光频率生和频 量的 Ｒｂ原子的激光囚禁。     

键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响

采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗.通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法，计算了VCSEL的电势分布，进而求解热传导方程，得到VCSEL的温度分布.详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布、温度分布以及有源层中的注入电流密度、载流子浓度、结压降和温度沿径向分布的影响.