排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
本文对具有化学腐蚀反射镜的条形Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP激光器(λ=1.3μm)进行了详细评述。这些激光器都是用液相外延生长的GaInAsP/InP晶片制作的。提出了一种一端为腐蚀镜和一端为解理镜的简单条形激光器结构。在腐蚀面上用Si_3N_4膜和金属镀层进行单片钝化。上述工艺不仅能提高腐蚀镜的反射率并能使其阈电流比未镀层的解理器件的低,而且还能解决芯片在吸热区的焊接问题。在室温条件下实现了连续运转。10微米条形电极器件的阈电流约为180—200mA。最后对短腔激光器和集成的监控探测器作了说明。 相似文献
2.
本文采用球元胞、中心力场、相对论费米统计近似,通过自洽场方法,应用平均原子模型计算了热稠密物质硅的类氖离子能级ZS→2P跃迁及其状态方程。 相似文献
3.
4.
本文采用球元胞、中心力场、相对论费米统计近似,通过自洽场方法,应用平均原子模型计算了热稠密物质硅的类氖离子能级2S→2P跃迁及其状态方程。 相似文献
5.
1