α-AlPO4晶体弹性温度特性的研究

研究了用缓慢升温法生长的α-AlPO₄晶体的弹性温度特性。测量采用传输法,测温范围为-30—150℃;用最小二乘法拟合弹性-温度曲线;用电子计算机处理数据。给出了弹性常数c_ij和s_ij(i,j=1,2,…,6)的温度特性方程以及T₀=25℃时的一级、二级和三级温度系数。 关键词：     

利用超声脉冲回波重合法测定铌酸锂单晶弹性常数C_(ij)~E和C_(ij)~D

本文从基本的压电Christoffel方程出发导出三角晶系3m点群压电晶体弹性常数的表示式。并采用10MHz射频超声脉冲回波重合法测量了沿LiNbO_3不同对称方向传播的声速,结合e_(ij)和ε_(ij)~5给出了LiNbO_3全部弹性常数C_(ij)~E和C_(ij)~D。它们是 C_(11)~E=19.89,C_(12)~E=5.25,C_(13)~E=7.81,C_(14)~E=0.96, C_(33)~E=25.44,C_(44)~E=6.10,C_(66)~E=7.32×10~(10)N/m~2, C_(11)~D=21.51,C_(12)~D=3.65,C_(13)~D=7.91,C_(14)~D=-1.41, C_(33)~D=26.10,C_(44)~D=9.62,C_(66)~D=8.93×10~(10)N/m~2。     

石墨烯力常数和弹性波波速随温度变化规律研究

在哈里森键联轨道法框架下,考虑到原子的短程相互作用和原子的非简谐振动,建立石墨烯弹性模型并求出原子振动的简谐系数和非简谐系数.在此基础上,确定了石墨烯的力常数随温度和形变势参量的变化关系式,以及弹性波波速随温度和形变势参量的变化关系式,并探讨了原子非简谐振动对它们的影响.结果表明:(1)石墨烯的力常数和弹性波波速均随温度升高而非线性减小,但有不同的变化特征:在C_(11)、C_(12)、C_(44)这三个力常数中,以C_(12)随温度的变化最大,以C_(44)的变化最小;纵波波速随温度的变化要大于横波;(2)石墨烯的三个力常数随形变势参量的变化有不同的特征:C_(11)随η和γ的增大而增大、而C_(12)则随η的增大而减小,随γ的增大而增大;C_(44)随η的增大而增大,而几乎不随γ而变;(3)若不考虑原子振动的非简谐项,则石墨烯的力常数和弹性波波速均为常数.考虑到非简谐项后,不仅它们均随温度的升高而减小,而且,非简谐情况的力常数C_(ij)和弹性波波速v_i与简谐近似的值C_(ij)~0、v_i~0的差|C_(ij)-C_(ij)~0|、|v_i-v_i~0|均随温度的升高而增大,即温度愈高,非简谐效应愈显著.     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.12006054374用PLD法在MgO(100)衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性=Structural and optical properties of ZnOfil ms de-posited on MgO(100)substrates by PLD[刊,中]/苏凤莲(安徽大学物理与材料科学学院.安徽,合肥(230039)),汪洪…//安徽大学学报(自然科学版).—2006,30(2).—67-70用脉冲激光沉积法在MgO(100)衬底上沉积了ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、550℃和700℃。利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究。X射线衍射的结果表明,在400℃和550℃下生长的ZnO薄膜具有高度c-轴择优取向,但是…     

集成光学 光波导参数测试

TN252 2005053605 硅树脂材料热光特性的测试与分析=Test and analysis for thermo-optic effect of silicon resin[刊,中]／张小康(华南理 工大学物理科学与技术学院．广东,广州(510640)),廖常 俊…∥光学学报．-2005,25(5)．-629-632 用激光-V棱镜装置测得耐热型硅树脂在632．8 nm和 650 nm波长上的热光系数分别为-3．3×10-4／℃和-3．6× 10-4／℃。以石英玻璃为衬底,用该材料制作了平板波导, 用棱镜耦合法测量了不同温度下波导的有效折射率,利用 平板波导模式本征方程求解出不同温度下导波层的膜厚 与折射率,分析了有效折射率随温度变化的特点。根据导 波层折射率与厚度的变化和高分子材料的克劳修斯-莫索 提公式,分析出该材料的极性分子较大,是引起负热光系 数大的原因。图4表3参10(杨妹清)     

MgCu4Sn型稀土镁合金相力学和热力学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了典型立方结构合金相LaMgX4(X=Co, Ni, Cu)的力学特性和热力学特性。根据广义胡可定律计算了合金相的单晶弹性常数;根据单晶弹性常数和Hershey’s averaging方法计算了合金相的多晶弹性模量、泊松比、Zener各向异性因子和德拜温度。采用基于准谐近似的Gibbs2代码计算了LaMgX4(X=Co, Ni, Cu)合金相的吉布斯自由能、熵和等体热容与温度的关系。LaMgNi4的计算结果与其他文献计算结果及实验结果符合的很好。结果表明：LaMgX4 (X= Co, Ni, Cu)合金均为延展性、塑性和弹性各向异性材料。德拜温度按以下顺序递减：LaMgNi4>LaMgCu4>LaMgCo4。     

周期性Hubbard模型密度矩阵函数的研究

在晶格密度泛函理论(LDFT)的框架内研究了哈巴德(Hubbard)模型,当考虑晶格内位置的单粒子密度矩阵γij、自旋S时,这个模型的相互作用能w[γij,S]为密度矩阵γij、总自旋S的函数.且当所有最近邻的γij=γ12时,对环状系统的w[γij,S]可获得精确的数值计算结果;文中同时还讨论了w[γij,S]函数在弱电子关联(γ102)和强电子关联(γi∞j)以及在γ1∞2<γ12<γ012区域限制下的性质.以非关联能w0[γ0ij,S]为单位标度的w[γij,S]表明的赝普适行为与g12=(γ12-γ1∞2)/(γ012-γ1∞2)函数一样.另外,w[γij,S]函数对不同总自旋S有一定的依赖.     

荧光法研究牛血清白蛋白与三羟基苯基荧光酮-钼(Ⅵ) 配合物探针的作用机理

用荧光光谱法研究了三羟基苯基荧光酮(TH-PF)-钼(Ⅵ)配合物与牛血清白蛋白的结合反应。探讨了TH-PF-Mo(Ⅵ)配合物对蛋白质内源荧光的猝灭机理,并测定了不同温度下的结合常数,温度为25 ℃时,荧光猝灭法测得该反应的结合常数为K=4.78×104 L·mol-1,温度为40 ℃时,荧光猝灭法测得该反应的结合常数为K=3.72×104 L·mol-1。根据Frster非辐射能量转移理论,确定了给体-受体之间的作用距离和能量转移效率(E=0.314),并根据热力学参数确定了TH-PF-Mo(Ⅵ)配合物与牛血清白蛋白之间的作用力类型,以静电引力为主。     

Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究

本文用反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡研究了不同生长温度下Si(111)分子束外延的生长动力学过程,生长温度高于520℃(生长速率约0.15?/S)时,Si(111)外延为“台阶流”生长模式,生长温度低于475℃时,外延为“二维成核”双原子层生长模式,在较低温,甚至室温时,其外延仍为双原子层模式,但是镜向弹性散射束振荡和非弹性散射束振荡的叠加会造成RHEED强度在生长的最初阶段出现“类单原子层”模式的振荡特性。 关键词：     

Dy与Co对HDDR粘结磁体的温度稳定性与磁性能的影响

添加微量元素Dy和Co后可使HDDR工艺制备的各向同性NdDyFeCoB粘结磁体的温度特性、磁性能以及微晶结构显著改善,从而得到一种具有实用价值的低温度系数、高内禀矫顽力粘结磁体.结果表明:添加适量的Dy和Co可使25—80℃时的磁通可逆温度系数α在-0043%℃左右,25—155℃时的磁通可逆温度系数α=-0056%℃;经155℃老化处理12h不可逆损失hirr为35%;最高内禀矫顽力Hci>1600kAm-1时,最大磁能积(BH)max仍可获得一个较好值. 关键词： HDDR工艺 温度特性 微结构 内禀矫顽力     

双套管式光纤Bragg光栅温度传感器的仿真设计与研制

光纤传感器测量温度变化时为消除外加应力应变对温度产生的影响,设计了双套管式光纤Bragg光栅(FBG)温度传感器,双层结构用来隔离外加应力应变。对温度传感器建立平衡态模型,并进行有限元热分析,仿真结果分析表明,当温度从20℃跃变到70℃、70℃跃变到20℃时,温度响应时间分别为t0.9=50±1s、t0.9=60±1s。并与水浴法测温实验结果(t0.9=52s、t0.9=63s,灵敏度为9.8410-3nm/℃,线性度为99.88%)相比较,时间偏差小于3s。     

退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.     

具有二氧化硅温度补偿层的薄膜体声波谐振器的建模与分析(英文)

薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受到外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个典型Mo-AlN-Mo三层结构的FBAR进行了温度-频率漂移特性的仿真,得到其在[-50℃,150℃]温度范围内的频率温度系数(TCF)约为-35×10-6/℃。在FBAR叠层薄膜结构中添加了一层具有正温度系数的二氧化硅温度补偿层,分析了该补偿层厚度对FBAR的温度-频率漂移特性、谐振频率和机电耦合特性的影响。设计了具有一层二氧化硅温度补偿层的FBAR叠层,由Mo/AlN/SiO2/Mo多层薄膜构成,仿真得到其频率温度系数为0.872×10-6/℃;与没有温度补偿层的FBAR相比,温度稳定性得以显著改善。     

温度对二氧化硫紫外差分吸收特性影响的实验研究

为应用差分吸收光谱法(DOAS)技术于火电厂等固定污染源的排放监测,需要研究温度等因素对SO2污染气体紫外差分吸收特性的影响。对SO2在其紫外280-320 nm差分特征波段,温度从30-400℃差分吸收特性进行的实验研究表明,温度升高使得差分光谱峰值减小峰谷值上升, 210℃与390℃相对于30℃的差分吸收计算浓度相对误差为 -40％和-70％左右,但整个差分结构吸收频率没有发生变化。     

ZnS电致发光磷光体制备过程中掺入微量Cu和Mn对微晶结构的影响

本文用X射线粉末衍射法研究了在600—1200℃范围内煅烧制成的纯ZnS,以及掺杂有不同浓度激活剂Cu和Mn的ZnS微晶结构,用X射线绝标法确定ZnS中α相(六角)和β相(立方)的重量比,并标定ZnS的绝标法常数K_β^α,结果表明,低温β相到高温α相的相变温度对纯ZnS为1020℃,与公认的一致,当加入Cu量超过1×10^-3后,相变温度明显向高温移动;当Cu量为2×10^-3时,相变温度已高于1200℃,这可被解释为当在Z     

He和D2分子相互作用转动激发研究

用T.T(K.T.TangandJ.Peter.Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法计算了E=0.1eV和E=0.2eV时,00-00弹性碰撞及00-02、00-04、00-06非弹性碰撞,得出D2分子转动激发分波截面,并得到了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律.     

颗粒帘换热器中气粒两相换热特性实验研究

根据某1 t/h燃煤工业锅炉空气预热器的热力参数,设计并搭建了一套颗粒帘空气预热器模拟实验系统,研究了不同进气温度Tg0(150~300℃)、进气速度Vg0(0.9~1.5m/s)、颗粒帘进口厚度b0 (60~180 mm)、颗粒粒径dp(150~212μm)以及不同颗粒质量流量ms (550~2150 g/s)工况条件下热空气与进口温度tp0=20℃的硅砂颗粒帘间的换热特性。结果表明:影响颗粒帘换热器中气粒两相换热特性因素的重要性次序为进气温度、进气速度、颗粒质量流量、颗粒粒径、颗粒帘进口厚度;换热端差最低可至4.5℃,最大可达87℃;颗粒帘及颗粒帘出口气流的温度沿颗粒下落方向在前期上升迅速(186~475℃/m)而后期上升比较缓慢(60~108℃/m),并且在0~0.5 m和0.5~1.0 m的高度范围可分别用线性和对数方程来描述。     

InP衬底上GaInAsSb的液相外延生长及其性质的研究

用内插法和电负性差法估算了GaInAsSb的晶格常数,并用液相外延法在665℃—625℃的温度范围内第一次成功地生长了品格匹配于(100)和(111)B取向的InP衬底的GaInAsSb外延层。测得固体组分的范围为0.46相似文献   

黏弹性流体基铜纳米流体流动与传热实验研究

成功建立了流体流动阻力和换热性能测试实验台,在45℃的流体温度下,对不同铜粒子体积分数和基液浓度的纳米流体在湍流状态下的对流换热特性和流动阻力进行了实验测量。实验结果表明:黏弹性流体基液中添加纳米粒子后,在降低对应基液减阻率的同时能明显增强传热性能.例如,将1.0%体积分数的铜纳米粒子添加到质量分数为6×10~(-4)的基液中所形成的黏弹性流体基纳米流体其综合性能指数K=0.47,表现了很好的传热强化和减阻性能.     

薄膜光学 制膜技术与装置

O484.12006054416LPCVD法制备碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究=Deposition of carbon nanotubes fil mby LPCVDand relatedfield emission property[刊,中]/陈婷(华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心.上海(200062)),孙卓…//光学学报.—2006,26(5).—777-782采用低压化学汽相沉积法(LPCVD)在镍片上直接制备碳纳米管(CNTs)薄膜,系统地研究了生长温度(500~800℃)对碳纳米管薄膜形貌、结构及场发射性能的影响,并对此方法的生长机理进行了分析。当温度从500℃升高到650℃时,碳纳米管的生长速率随着温度升高而增大,而温度继续…