由软X辐射强度确定CT-6B装置中杂质氧的含量及有效电菏Z_(eff)

在研究热核聚变的实验装置内,获得高温等离子体的主要困难之一是在纯氢等离子体中混进了各种杂质.其存在,增加了辐射能量损失,降低了等离子体温度.通常用有效电荷Zeff来表示杂质对氢等离子体的污染程度.它的定义如下:其中Nk为第k种离子的浓度,Z k为它的电荷.　为对所有种类离子     

对天体等离子体中铝发射谱的理论研究

超强超短脉冲激光产生的高温、高密、强磁场等离子体与天体等离子体在许多方面都有很强的相似性,这使得某些天体物理过程的实验室模拟成为可能.对天体等离子体中的铝发射谱进行了理论模拟,结果显示,利用激光等离子体的发射光谱,可以在实验室获得天体上难于观测的光谱范围并为天体物理学研究提供丰富的信息. 关键词： 实验室天体物理 激光等离子体 发射谱     

喷气Z箍缩内爆动力学过程的数值模拟研究

在分析了喷气Z箍缩内爆等离子体物理过程的基础上，作了必要的假定和简化，给出了物理模型和相应的数学方程组.研制了一维三温辐射磁流体动力学的数值模拟程序，对氖喷气Z箍缩内爆产生高温高密度等离子体过程进行了总体数值模拟，得到了等离子体各参量在内爆过程中的时空分布，再现了该内爆动力学整体过程，并与GAMBLE-Ⅱ装置的实验结果进行了比较.计算结果表明，在对热传导系数和等离子体电阻率作适当调整后，得到的计算结果是自洽的，其中内爆到心时刻、x射线辐射脉冲的脉宽和总能量等宏观量与实验结果比较接近.同时对喷气Z箍缩内爆过 关键词： 喷气Z箍缩 x射线辐射 辐射磁流体动力学     

强磁场中修正URCA过程的中微子产能率

基于n-p-e模型并考虑修正URCA过程中的质子分支,研究了强磁场对中子星核心区域修正URCA过程中微子产能率的影响.结果表明,强磁场使修正URCA过程的中微子产能率产生明显振荡;与中子分支相比,强磁场对质子分支中微子产能率的影响偏弱,但是它将提高总的中微子产能率.所得结论将有助于进一步研究中子星的冷却机理. 关键词： 中子星 强磁场 修正的URCA过程     

Z箍缩Al等离子体X特征辐射谱线数值模拟及考虑叠加效应后的修正

采用基于细致能级的非局域热动平衡模型,对"强光一号"装置10174发次Z箍缩铝等离子体特征辐射谱进行细致的分析和计算,提取电子密度约为3.5×1021cm-3.数值计算结果显示,采用单一等离子体状态参数不能很好地描述等离子体辐射特征谱线.在进一步的分析计算中,本文初步考虑高温区域和低温区域等离子体特征辐射谱线的叠加效应,将等离子体划分为高温高密度和低温低密度两部分,分析了两部分等离子体辐射对总辐射谱的贡献,并给出了修正后的等离子体辐射谱线.考虑叠加效应后,Heα伴线显著增强,计算结果改善明显.     

Z箍缩内爆等离子体研究新进展

目的,快过程Z箍缩内爆等离子体可以把储存的脉冲功率加速器内155的电能转化为大能量、高功率的X射线源,美国Sandia实验室的Z装置已经产生了总能量为1.8MJ、功率为290TW和黑腔湿度超过200eV的X射线源,这些进展正在用于惯性约束聚变（ICF）实验研究,并对它的后续装置X－1正在进行概念性设计,文章概要地叙述了Sandia实验室近五年来在Z装置上进行Z箍缩实验所取得的进展。     

强光一号装置单氘丝中子发射实验研究

 介绍了利用飞行时间技术测量Z箍缩装置单氘丝中子发射。实验发现，Z箍缩中子发射过程中,伴随产生很强的硬X射线，利用铝丝阵产生硬X射线的实验，建立较好的硬X射线屏蔽,大大减弱了它的辐射强度。所采用的双闪烁探测器中子探测系统，进行了3个发次的单氘丝负载实验，确认产生了聚变氘氘中子。4172发次实验测量结果表明，中子产额1.5×10⁹，中子能量为(2.45±0.26) MeV。实验结合分幅照相数据分析认为，峰电流和负载未能很好匹配，等离子体存在不稳定现象。     

欧洲新的放射性核研究装置

稳定的原子核中的质子数Z与中子数N有着一定的比例,那些N/Z与稳定核相差很大的核(具有很多过剩的中子或质子)称为N/Z处于极端条件下的核。这些核是不稳定的,将通过发射正电子或电子而衰变。各种核中过剩中子或质子的数目有一极限值,超过这一极限,原子核不能存在。由于极端条件下的核的寿命很短,生成的截面又很低,需要特殊的设备———放射性核束装置来进行研究。最近欧洲德国重离子研究所GSI的FAIR计划和法国国家大型重离子加速器装置(GANIL)的SPIRAL2计划获得批准。SPIRAL2的主要目的是探索具有过剩的中子或质子的原子核存在的…     

HL-1M托卡马克中的中子通量和辐射剂量当量测量

用5台带有慢化剂(聚乙烯)的BF3₃正比计数管中子探测器测量中子通量和剂量当 量.4台 置于HL_1M装置的四周,分别测量了在氘等离子体条件下,因欧姆加热和波加热产生的热核聚 变中子产额、中子通量和剂量,以及氢等离子体条件下因高能x射线引起的光致核反应而产生 的光致中子. 另一台流动于其他6个观察点,主要监测中子剂量当量. 在D_D聚变条件下,实测 中子产额与计算值作比较,两者在数量级上大体一致. 中子辐射剂量当量远低于国家和部颁 标准,更低于国际防护委员会推荐的中子辐射允许剂量当量 关键词： 3正比计数管')" href="#">BF3₃正比计数管 光致中子 氘_氘聚变中子 剂量当量     

脉冲强磁场高频电子自旋共振装置的研制

国内第一套脉冲强磁场高频电子自旋共振(ESR)装置由武汉国家脉冲强磁场科学中心研制成功.该装置的频率范围为210-370 GHz,样品温度范围为2-300 K, 磁场强度为0-50 T.在脉冲强磁场ESR装置上进行了红宝石ESR实验,获得了Cr³⁺ 离子的ESR谱.