基于石墨烯的毒死蜱分子印迹电化学传感器的制备及对毒死蜱的测定

利用分子印迹技术,以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,使用自由基热聚合法在石墨烯修饰的玻碳电极表面合成毒死蜱( CPF)分子印迹聚合膜,制得了CPF分子印迹电化学传感器。采用循环伏安法、线性扫描伏安法和电化学交流阻抗法等,考察了此CPF分子印迹膜的电化学性能。在最佳检测条件下,传感器的峰电流与CPF浓度在2.0×10-7~1.0×10-5mol/L范围内呈线性关系,线性方程为Ip(μA)=-7.1834-0.2424C (μmol/L),相关系数r2=0.9959,检出限为6.7×10-8 mol/L(S/N=3)。构建了CPF分子印迹电化学传感器的动力学吸附模型,测得印迹传感器的印迹因子β=2.59,结合速率常数k=12.2324 s。传感器表现出良好的重现性和稳定性,并成功用于实际水样和蔬菜样品中CPF的测定,加标回收率为94.1%~101.4%。     

基于纳米氧化铜修饰的异戊巴比妥的新型电化学传感器的制备与应用

在纳米氧化铜修饰的玻碳电极表面电聚合一种能够快速检测尿液中异戊巴比妥(AMB)的分子印迹敏感膜,研究了该敏感膜的最佳成膜条件及最佳工作条件.通过扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)研究了印迹膜的表面形貌及性能.电化学实验结果表明,纳米氧化铜能提高传感器对AMB的灵敏度.在最佳实验条件下,铁氰化钾分子探针的差分脉冲伏安(DPV)峰电流响应值与AMB的浓度在1.0×10-7~1.4×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9966);检出限为2.1×10-9mol/L(S/N=3).此印迹传感器可用于尿液中AMB的检测,加标回收率为94.00%~104.67%.     

纳米镍修饰的氧化铜掺杂的异戊巴比妥电化学传感器制备与应用

先将合成的纳米镍修饰裸玻碳电极,再在修饰电极表面热聚合一种以甲基丙烯酸为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂、纳米氧化铜掺杂的异戊巴比妥分子印迹敏感膜。研究了印迹电极的最佳成膜条件及其最佳实验条件。采用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)对印迹传感器的电化学性能进行表征。使用红外光谱和扫描电镜分别探究此印迹敏感膜的结构及表面形貌。在最佳实验条件下,以K3Fe(CN)6为分子探针的差分脉冲伏安法(DPV)峰电流响应值与异戊巴比妥的浓度在6.5×10-8~1.8×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9986);检出限为1.1×10-9mol/L(S/N=3)。传感器能用于猪肉中残留异戊巴比妥的检测,加标回收率在96.5%~103.2%之间。     

石墨烯修饰的三唑磷分子印迹电化学传感器的制备

采用石墨烯作为电极增敏材料,制备三唑磷(TAP)分子印迹电化学传感器。采用自由基聚合法,在石墨烯修饰电极(GR/GCE)上合成分子印迹聚合物膜(MIP)。利用微分脉冲伏安法、电化学阻抗谱对不同修饰电极进行电化学表征,利用微分脉冲伏安法考察了MIP和非分子印迹聚合物膜(NIP)传感器的电化学性能。在最优实验条件下,TAP浓度在1.0×10~(-7)～2.0×10~(-5)mol·L~(-1)内和MIP膜传感器峰电流呈线性关系,检出限为4.3×10~(-8)mol·L~(-1)(S/N=3)。建立MIP膜传感器的动力学吸附模型,测得结合速率常数k为9.0580 s。     

分子印迹电化学传感器测定赛诺吗嗪残留北大核心CSCD

以邻苯二胺为功能单体,赛诺吗嗪为印迹分子,采用电化学聚合法在石墨烯修饰的金电极上制备了可快速测定赛诺吗嗪的分子印迹电化学传感器。考察了功能单体的选择、石墨烯修饰金电极、扫描圈数等参数对该传感器性能的影响,利用循环伏安法、差分脉冲伏安法和电化学阻抗法对该传感器进行表征。赛诺吗嗪的线性范围为6.0×10^(-9)~6.0×10^(-4) mol·L^(-1),检出限(3s/k)为1.0×10^(-9) mol·L^(-1)。加标回收率在88.0%~102%之间,测定值的相对标准偏差(n=5)在2.0%~3.5%之间。     

磁性石墨烯修饰辛基酚印迹传感器制备及应用研究

以辛基酚(4-OP)为模板分子,多巴胺为功能单体,采用电聚合技术在磁性石墨烯修饰碳电极表面制备对辛基酚具有高选择性与灵敏性的印迹电化学传感器。采用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)对此印迹传感器的电化学性能进行详细表征;采用扫描电子显微技术对修饰电极的形貌进行表征。结果表明,此印迹电化学传感器对辛基酚具有良好的特异识别性能。采用 DPV 法考察了孵化时间和洗脱溶剂对印迹传感器性能影响,结果表明,最佳孵化时间为14 min。此印迹电化学传感器的响应电流(△IR )与辛基酚在5.0×10-6~5.0×10-9 mol/ L 范围内浓度的负对数(-lgC)呈良好的线性关系,线性方程为△IR ( mA)=-0.25lgC(mol/ L)+2.35,检出限为3.64×10-10 mol/ L (S/ N=3)。此印迹电化学传感器对辛基酚具有良好的选择性和灵敏性,成功用于实际水样中辛基酚的检测,回收率为96.0%~104.0%。     

分子印迹电化学传感器测定赛诺吗嗪残留

以邻苯二胺为功能单体,赛诺吗嗪为印迹分子,采用电化学聚合法在石墨烯修饰的金电极上制备了可快速测定赛诺吗嗪的分子印迹电化学传感器。考察了功能单体的选择、石墨烯修饰金电极、扫描圈数等参数对该传感器性能的影响,利用循环伏安法、差分脉冲伏安法和电化学阻抗法对该传感器进行表征。赛诺吗嗪的线性范围为6.0×10~(-9)~6.0×10~(-4) mol·L~(-1),检出限(3s/k)为1.0×10~(-9) mol·L~(-1)。加标回收率在88.0%~102%之间,测定值的相对标准偏差(n=5)在2.0%~3.5%之间。     

抗坏血酸分子印迹电化学传感器的研制与应用

以抗坏血酸(AA)为模板分子,邻苯二胺(o-PD)为功能单体,采用循环伏安法(CV)在玻碳电极表面电聚合形成聚邻苯二胺(PPD)膜,经水将模板分子洗脱后,制得抗坏血酸分子印迹膜电极。优化的分子印迹条件为:以0.20 mol/L HAc-NaAc(pH 5.2)缓冲溶液为反应介质,o-PD和AA的摩尔比为1∶2,扫描电位为0~0.8 V,扫描速度为50 mV/s。利用CV、方波伏安法(SWV)和电流-时间曲线法(I~t)对该分子印迹传感器的电化学性能进行评价。该传感器的响应电流与AA浓度在低浓度区(1.0×10-6~1.0×10-3mol/L)和高浓度区(1.0×10-3~4.5×10-3mol/L)分别呈良好的线性关系,检出限为4.9×10-7mol/L。运用建立的方法对市售橙汁中的AA进行测定,并用2,6-二氯酚靛酚滴定法进行验证,结果表明,该传感检测技术快速、准确、成本低,适用于橙汁等食品中AA的测定。     

3D石墨烯修饰的猛杀威分子印迹电化学传感器的制备

以猛杀威为模板分子、丙烯酰胺( AM)为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯( EGMRA)为交联剂、自制的3D石墨烯(3D-rGO)为增敏材料,在玻碳电极表面合成分子印迹聚合物,制备检测猛杀威的分子印迹电化学传感器。运用扫描电镜(SEM)对自制3D石墨烯的形貌进行了表征,通过循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)和交流阻抗法(EIS)对猛杀威传感器的性能进行了研究。结果表明,猛杀威的浓度在8.0×10-8~8.0×10-6 mol/L范围内与响应电流值呈良好的线性关系,线性相关系数R=0.9954,检出限为7.3×10-8 mol/L (S/N=3),猛杀威分子印迹敏感膜的印迹因子β=3.88,且相对于3种结构类似物的选择因子α垌1,说明此传感器具有良好的选择性。将此传感器应用于生菜样品检测,加标回收率在96.7%~98.7%之间。     

纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其识别性能研究

为了提高苯巴比妥分子印迹传感器的灵敏度,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,热聚合了一种纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹传感器。分别采用循环伏安法( CV)、电化学交流阻抗法(EIS)、差分脉冲伏安法(DPV)、计时电流法(CA)对这种印迹传感器的电化学性能进行了研究。分别采用红外光谱、扫描电镜对此印迹传感器的结构及形貌进行了表征。结果表明,以铁氰化钾为分子探针的间接检测中,铁氰化钾的峰电流值与苯巴比妥的浓度在1.2×10-7~1.5×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9984),检出限(S/N=3)为8.2×10-9 mol/L。将此印迹传感器用于实际应用,回收率在96.5%~103.0%之间。     

基于抗原决定基的胰岛素分子印迹电化学传感器

采用抗原决定基法制备了胰岛素电化学分子印迹传感器.以胰岛素C端多肽作为模板分子,定向自组装在Au电极上,以邻苯二胺为功能单体,电化学聚合制备分子印迹聚合膜.以NaOH为洗脱液,洗脱模板分子,形成的与胰岛素C端多肽三维结构相匹配的分子印迹孔穴能特异性识别胰岛素.重吸附胰岛素分子后,以K3[Fe(CN)6]/K4[Fe(CN)6]为探针,通过测量探针在电极表面产生的电流大小实现胰岛素的间接测定.在1.0 × 10-14~5.0 × 10-13 mol/L浓度范围内,传感器的电流响应值与胰岛素浓度呈良好的线性关系,检出限为7.24 × 10-15 mol/L(3σ).此传感器具有较好的选择性和稳定性,并成功用于血清样品中胰岛素的测定.     

分子印迹电化学传感器检测水杨酸

以水杨酸(SA)为模板分子,邻苯二胺(o-PPD)及吡咯(Py)为复合功能单体,在石墨烯修饰的玻碳电极表面制备分子印迹电化学传感器(MIP/GO/GCE),用扫描电镜(SEM)观察印迹膜的表面形貌,方波伏安法(SWV)和循环伏安法(CV)对分子印迹传感器的性能进行表征。通过优化实验条件,显示SA浓度在1.0×10-8~1.0×10-2 mol/L范围内,分子印迹传感器峰电流与SA浓度负对数具有良好的线性关系,检出限为8.6×10-9 mol/L。该传感器对SA具有良好的选择性,样品回收率为101%~106%,相对标准偏差(RSD)为3.8%。SA分子印迹传感器的制备简单、抗干扰性好、灵敏度高、成本低廉,具有较好实用价值。     

An electrochemical sensor for rapid determination of ractopamine based on a molecularly imprinted electrosynthesized o-aminothiophenol film

A simple electrochemical sensor based on a molecularly imprinted polymer film as the recognition element was developed for ractopamine (RAC) detection. This is the first report of a RAC-imprinted film on a gold electrode surface, synthesized through an electrochemical method using o-aminothiophenol as the functional monomer. The imprinting mechanism and experimental parameters affecting the capability of the imprinted film are discussed here. The sensor was successfully applied with constant potential amperometry for RAC detection in an indirect process with potassium ferricyanide as an electrochemical probe. The sensor had a rapid equilibrium time (120?s), high binding affinity and selectivity towards RAC, and with good reproducibility and stability. Under the experimental conditions applied, a linear relationship between the relative amperometric response and RAC ranged from 2.0?×?10(-7) to 1.4?×?10(-6)?mol?L(-1), with a lower limit of detection (LOD) of 2.38?×?10(-8)?mol?L(-1) (signal to noise ratio?=?3). The sensor was tested with feed samples spiked with trace amounts of RAC, with good recoveries between 87.4 and 90.5?%.     

对乙酰氨基酚在分子印迹膜修饰玻碳电极上的电化学行为及测定

以对乙酰氨基酚（PCT）为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体,采用光引发原位聚合法在玻碳电极（GCE）表面聚合成膜,以甲醇-甲酸将模板分子洗脱,制得对乙酰氨基酚分子印迹膜修饰电极（MIP-GCE）,建立了该电极直接测定PCT的分析方法。结果表明,该传感器具有较高的选择性和灵敏度,PCT浓度在5.0×10-5~1.0×10-3 mol?L-1范围内与其峰电流呈良好的线性关系,检出限为1.4×10-6 mol?L-1。应用该法测定药物中PCT的含量,在干扰物质共存情况下的回收率为96%~105%。     

L-色氨酸分子印迹传感器敏感膜的制备与性能

以L-色氨酸(L-Trp)为模板分子, 邻苯二胺(o-PD)为功能单体, 在金电极表面原位合成了分子印迹聚合物敏感膜; 通过循环伏安法(CV)、 差示脉冲伏安法(DPV)和电化学阻抗谱法(EIS)考察了该电极的性能. DPV测试结果表明, 在1×10^-8~2×10^-7 mol/L范围内, 峰电流与L-Trp的浓度呈线性关系, 检出限为0.3×10^-8 mol/L; 选择识别性实验结果表明, L-Trp印迹敏感膜的印迹因子达到3.72, 相对于干扰物的选择因子均大于1, 对与L-Trp结构相似的L-酪氨酸(L-Tyr)的选择因子也达到2.30, 说明该印迹膜对L-Trp具有良好的选择性; 识别过程动力学研究结果表明, 印迹膜对L-Trp的识别是一个两步连续发生的过程, 即快结合过程和慢吸附过程.     

盐酸雷尼替丁印迹聚合物膜电极的制备与应用

研究了盐酸雷尼替丁印迹聚合物离子选择性电极的制备、特性及应用。该电极在1.0×10-5～1.0×10-2mol/L范围内表现能斯特响应,斜率为-28.18mV/pC,检测下限为5.2×10-6mol/L,原料回收率为96.8%～104.6%。该电极与先前报道的电极相比,具有更高的选择性、灵敏性和抗干扰性。利用该电极对雷尼替丁原料、胶囊含量进行了测定,结果与药典法一致。     

银掺杂聚L-天冬氨酸修饰电极的制备及对肾上腺素的测定

利用循环伏安法,研究了银和L-天冬氨酸在玻碳电极表面电化学聚合的条件,制备了银掺杂聚L-天冬氨酸修饰电极。研究了肾上腺素在修饰电极上的电化学行为,建立了循环伏安法测定肾上腺素的新方法。在pH=3.5的磷酸盐缓冲溶液中,扫描速率为50mV/s时,肾上腺素在修饰电极上产生一对明显的氧化还原峰,峰电位分别为Epa=0.447V,Epc=0.387V。用循环伏安法测定时,氧化峰电流与肾上腺素浓度分别在8.00×10-8～1.00×10-5mol/L和1.00×10-5～1.00×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为8.0×10-9mol/L。     

水杨酸在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及其测定

用循环伏安法(CV)研究了水杨酸(SA)在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为,并初步探讨了反应机理.实验结果表明,水杨酸在该电极上为一个2e/H~+的完全不可逆过程.在pH=5.0的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,用循环伏安法在该电极上测定了水杨酸.方法线性范围为2.0×10~(-5)～1.0×10~(-3)mol/L,检出限为8.93×10~(-6)mol/L.将该电极用于药品分析,结果令人满意.