3D石墨烯修饰的猛杀威分子印迹电化学传感器的制备

以猛杀威为模板分子、丙烯酰胺( AM)为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯( EGMRA)为交联剂、自制的3D石墨烯(3D-rGO)为增敏材料,在玻碳电极表面合成分子印迹聚合物,制备检测猛杀威的分子印迹电化学传感器。运用扫描电镜(SEM)对自制3D石墨烯的形貌进行了表征,通过循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)和交流阻抗法(EIS)对猛杀威传感器的性能进行了研究。结果表明,猛杀威的浓度在8.0×10-8~8.0×10-6 mol/L范围内与响应电流值呈良好的线性关系,线性相关系数R=0.9954,检出限为7.3×10-8 mol/L (S/N=3),猛杀威分子印迹敏感膜的印迹因子β=3.88,且相对于3种结构类似物的选择因子α垌1,说明此传感器具有良好的选择性。将此传感器应用于生菜样品检测,加标回收率在96.7%~98.7%之间。     

基于CdS敏化Fe∶TiO_2纳米片的光电传感器对Cu~(2+)的检测

以钛酸四丁酯(C_(16)H_(36)O_4Ti)和三氟化铁(FeF_3)为原料,用水热法制备了铁掺杂二氧化钛(TiO_2)纳米片,并将其修饰ITO电极表面。通过连续离子吸附与反应(SILAR)法制备了ITO/Fe∶TiO_2/Cd S光电传感器,并用于Cu~(2+)的检测。Fe~(3+)的掺杂使TiO_2的带隙宽度变窄,对光的吸收产生红移,基于CdS的敏化效应,与TiO_2结合后拓宽了可见光的吸收利用率,降低了电子-空穴的复合率,使光电信号显著增强。在0.2~4.0μmol/L和4.0~80.0μmol/L范围内,Cu~(2+)浓度与传感器检测的电流值呈良好的线性关系,检出限为85 nmol/L(S/N=3)。将传感器分别用于桶装水、自来水、邕江水中Cu~(2+)的测定,加标回收率为94%~111%。     

3D石墨烯/SiO2@Ru(bpy)2+3修饰电极电化学发光测定敌草隆的研究

利用敌草隆对三联吡啶钌电化学发光(ECL)的增敏作用,以3D石墨烯和二氧化硅固定三联吡啶钌纳米复合材料(SiO2@Ru(bpy)32+)修饰的玻碳电极为工作电极,建立了一种直接快速检测敌草隆的电化学发光新方法.通过一步水热法合成了3D石墨烯以促进电子传递,油包水微乳液法合成SiO2@Ru(bpy)32+以提高发光效率.在最佳实验条件下,敌草隆浓度的对数在9.08×10-11～9.08×10-7 mol/L范围内与其相对发光强度呈良好的线性关系(r2 =0.998 9),检出限(S/N=3)为1.18×10-12 mol/L.连续测定2.00×l0-8 mol/L敌草隆10次,发光强度值的相对标准偏差(RSD)为4.2％,表明该方法具有良好的重复性.用该方法对青菜进行检测,回收率为99.3％～ 110.8％,结果满意.     

基于Fe∶TiO2纳米片的光电化学传感器用于水中Cr6+的检测

建立了一种基于Fe∶TiO_2纳米片的光电化学(Photoelectrochemical,PEC)传感器检测Cr~(6+)的简单有效新方法。以钛酸四丁酯和三氟化铁为原料采用水热法合成Fe∶TiO_2纳米片,通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)和紫外可见吸收光谱(UV-Vis)对纳米片进行表征,采用电化学方法对修饰电极进行表征,考察了Fe掺杂量、Fe∶TiO_2浓度和偏置电压的影响。该传感器在光照射下,利用Fe∶TiO_2将Cr~(6+)还原为Cr~(3+),Cr~(3+)与OH~-反应生成Cr(OH)_3后沉积在电极表面,从而引起光电流的降低,达到检测的目的。研究表明,该传感器检测Cr~(6+)的线性范围为0.008～100μmol/L(r~2=0.999 5),检出限(S/N=3)为0.004μmol/L。方法具有良好的抗干扰性和稳定性,其加标回收率为99.3%～119%,RSD为2.3%～2.8%。表明该光电化学传感器可用于实际样品的检测。