多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析

本语文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ 直晶为主，表现粗糙、呈多节状；晶面以β－ＳｉＣ为主要晶型，少量α－ＳｉＣ孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明，多主ＳｉＣｗ为ＶＳ生长机理。     

β—SiCW合成工艺及反应机理的研究

本文研究了β－ＳｉＣｗ合成工艺参数和反应历程，提出了合成工艺优化参数，确定了反应进行了步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析，表明本方法合成的β－ＳｉＣｗ具有较高的质量水平。     

热灯丝射频等离子体CVD法立方氮化硼薄膜某些性质的研究

本文研究了热灯丝射频等离子体ＣＶＤ法合成的立方氮化硼薄膜，反应气体是Ｂ２Ｈ６和ＮＨ３，衬底材料为Ｓｉ单晶。通过扫描电镜、红外吸收谱和Ｘ射线衍射分析指出，生长出的ｃ－ＢＮ薄膜的质量很好。     

低温化学气相沉积SiC的组成,组织结构及高温稳定性

利用Ｘ射线衍射、Ａｕｇｅｒ能谱、Ｒａｍａｎ光谱、扫描电和透射电等分析手段，对低温（１０００－１３００℃）化学气相沉积ＳｉＣ的化学组成、组织结构及高温稳定性进行了分析。实验结果表明，在本实验的沉积温度范围内，沉积物是由３Ｃ型β－ＳｉＣ和少量４Ｈ型的ａ－Ｓｉｃ组成，无游离Ｓｉ存在，这与高温条件下的实验结果存在明显差异。同时在沉积物的表面还有ＣＬ和Ｓ等吸附吸物等及ＳｉＯ２氧化膜存在。所得到的ＳｉＣ均为１     

离心倾液法与初晶Si的生长

本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法－离心倾液法。用该方法获得了过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶的Ｓｉ的生长形貌，发现了初晶Ｓｉ存在错台阶生长机制，并且，借助该生长机制成功地解释了初晶Ｓｉ的分枝和初晶Ｓｉ包裹共晶组织的形成机理。此外，观察到了共晶体包裹初晶Ｓｉ生长的过程。     

Ti镀层—金刚石界面结合强度与界面产物显微结构的关系

本文了磁控溅射Ｔｉ镀层与金刚石界面反应形成ＴｉＣ层的厚度，镀层与金刚石界面结合强度随热处理时间的变化关系；用ＳＥＭ观察了界面的反应形成的ＴｉＣ在金刚石表面上的分布特征；讨论了镀层－金刚石界面结合强度与ＴｉＣ显微结构特征的相关性。结果表明，镀层与金刚石界面反应首先在金刚石表面外延生成点状ＴｉＣ，点状ＴｉＣ沿镀层与金刚石界面生长，最后形成连续的ＴｉＣ薄膜，从而达到Ｔｉ镀层与金刚石界面最大结合强度。     

碳化硅晶须品质及影响因素

采用固相原料，加入适当的催化剂，在保护气氛中反应制备碳化硅晶须，得到的碳化硅晶肌以β晶型为主，兼有少量α晶型，晶须有白色，灰白色，灰绿色，深绿色等多种颜色，其颜色变化与原料中的硅炭比值有直接关系；晶须的光洁度受晶须生长局部范围内过饱和度与保护气氛等因素影响；反应晶料的堆积密度是影响晶须直晶度的主要因素，稻壳原料生长的晶须其直晶率较高。     

光激电流法测量掺锗CZSi中的深能级

用光激电流法研究了Ｇｅ作为杂质掺入到Ｓｉ中可能引入的深能级，发现掺锗量小于或等于１．０ｗｔ％（重量比）时，不会在ＣＺＳｉ中引入与锗有关的深能级；锗的引入硅中点缺陷的深度。     

杂质对SnO2纳米小晶粒生长的影响

本文研究了杂质对ＳｎＯ２纳米晶粒生长的影响。结果表明，掺入Ｌｉ２Ｏ有利于ＳｎＯ２晶粒的生长，ＮｉＯ对ＳｎＯ２晶粒的生长没有明显的影响，Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３在８００℃以下阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长；在更高温度时，杂质相结晶，它们将不再阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长。     

利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si（100）上合成局域异质外延金刚 …

本文利用发射电子法经由热灯丝ＣＶＤ在Ｓｉ（１００）上获得了局域异质外延金刚石膜。由Ｒａｍａｎ背散射强度（在１３３２ｃｍ＾－１处）旋转角依赖关系表明，金刚石膜与Ｓｉ（１００）的定向关系为ｄｉａ（１００）∥Ｓｉ（１００）和ｄｉａ〔１１０〕∥Ｓｉ〔１１０〕。在金刚石膜的成核阶段，位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压，获得的金刚石膜用扫描电镜和Ｒａｍａｎ谱表征。对实验结果进行了简要的讨论。     

异质粒子对高温高压下金刚石成核的影响

本文通过将一系列粉末粒子（包括Ｂ４Ｃ，β－ＳｉＣ，ＴｉＣ，ＴｉＢ２，结晶完整的石墨和Ｃ６０）定点地分别添加到溶媒－碳反应系里，就添加物质对金刚民核的影响进行研究。结果发现，所有这些添加粒子均具有明显的金刚石选择成核作用，在不同程度上促进金刚石的成核。在相同条件下，Ｂ４Ｃ可能是更为有铲的成核促进物质。     

某些非线性光学配合物的晶体结构特征

ⅡＢ族金属卤化物ＭＸ２分别与ＰＯＭ，ＴＳＣ，ＡＴ反应形成了金属有机配合物。在这些配合物中，某些配合物具有 非线性光学特性；较高的熔点；；产大的晶体密度。本文对此做了一些讨论。     

化学气相沉积金刚石薄膜生长动力学模型

基于金刚石薄膜气相生长的反应机理，提出了一个动力学模型；建立了描述金刚石生长与无离碳沉积相互竞争机制的动力学演化方程；通过讨论该动力学方程的稳态解，细致刻划了不同Ｃ／Ｈ泫比率条件下金刚石无序碳的竞争生长过程。     

掺持TGS系列晶体的生长形态与表征的研究

采用水溶液缓慢降温法生长了８种掺质ＴＧＳ系列晶体，即ＬＶＡＴＧＳ，ＬＨＩＴＧＳ，ＬＡＳＴＧＳ，ＣＲＴＧＳ，ＤＬＳＥＴＧＳ，ＬＣＹＴＧＳ，ＬＭＥＴＧＳ和ＬＴＹＴＧＳ晶体。系统地研究了这８种掺质ＴＧＳ系列晶体的生长形态，并分别与纯ＴＧＳ进行了对比。利用Ｘ射线粉末衍射 外光谱分析确定掺质均已进入晶体。当掺质进入ＴＧＳ晶体后，虽然只引起民结构的微小变化，但显著地改变了晶体的生长形态，证明ＴＧＳ晶体结构在质     

Ti中介的聚晶金刚石复合片（PDC）界面结构与性能研究

本文在高温、超高压条件下，制出了以Ｔｉ为中介物的金刚石聚晶与硬质合金衬底的复合片（Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｃｏｍｐａｃｔ，ＰＤＣ）用剪切、压溃、淬火急冷等方法测定了ＰＤＣ的结合性能及抗热冲击性能，用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等方法研究了复合界面处的结构，并分析了对ＰＤＣ复合性能的影响与Ｔｉ在界面的作用及存在形式。     

赝三元热电烧结体材料制作技术的研究

本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。     

ZrO2（Y2O3）团聚状态对ZrO2增韧金刚石—SiC超硬复相陶瓷结构,性？…

用恒沸水解方法（ＢＨ）制备了颗粒度均一（０．１μｍ）的纳米晶（９ｎｍ）２．２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２（以下简称：２．２Ｙ－ＺｒＯ２），用化学共沉淀方法（ＣＰ）制备了松散团絮状的纳米晶（２０ｎｍ）２．２Ｙ－ＺｒＯ２。对这两类ＺｒＯ２粉体增韧ＳｉＣ中介金刚石超硬复相陶瓷进行了ＸＲＤ、ＳＥＭ、及韧性、耐磨性分析测定。结果表明，超高压烧结后，水解法ＺｒＯ２在ＳｉＣ是介相内以均一的粒度（０．１μｍ）均匀分     

合成β-SiCw的催化剂熔球机理研究

本文用扫描电镜(SEM)研究了合成β-SiCw的反应过程和晶须的生长机理.通过对催化剂熔球的元素含量分析,发现β-SiCw的形成过程属气-液-固(VLS)三相反应过程,反应体系中含硅、碳的物质熔解在催化剂熔球中反应生成SiC,SiC在催化剂熔球的定向修正作用下沿(111)面结晶形成β-SiCw.用此方法合成β-SiCw反应速度快,晶须质量好,晶须生成率高.     

葡萄糖为碳源的SiC-TiC复合粉末合成工艺研究

以硅溶胶、葡萄糖和TiO2为初始原料,采用碳热还原法在氩气气氛下合成SiC-TiC复合粉末.探讨了不同反应温度对SiC-TiC复合粉末的物相组成、粒径分布、显微形貌等方面的影响.采用X-射线衍射仪(XRD)、激光粒度分析仪、扫描电镜(SEM)等手段对所合成的SiC-TiC复合粉末进行表征.研究结果表明:SiC-TiC复合粉末适宜的合成条件为在1550℃保温2h.在1550℃下合成的SiC-TiC复合粉末主要由少量的片状颗粒、一定量的晶须以及大量的近似球状颗粒构成.粉末样品中SiC晶须的生长机理遵循气-固(VS)机理.     

B2O3对合成立方氮化硼的影响

本文通过掺杂Ｂ２Ｏ３的对比合成实验，研究了Ｂ２Ｏ３对用Ｍｇ系催化剂合成ｃＢＮ的影响。通过高温高压实验研究了Ｂ２Ｏ３同Ｍｇ系催化剂在高温高压下的反应。