Ti镀层—金刚石界面结合强度与界面产物显微结构的关系

本文了磁控溅射Ｔｉ镀层与金刚石界面反应形成ＴｉＣ层的厚度，镀层与金刚石界面结合强度随热处理时间的变化关系；用ＳＥＭ观察了界面的反应形成的ＴｉＣ在金刚石表面上的分布特征；讨论了镀层－金刚石界面结合强度与ＴｉＣ显微结构特征的相关性。结果表明，镀层与金刚石界面反应首先在金刚石表面外延生成点状ＴｉＣ，点状ＴｉＣ沿镀层与金刚石界面生长，最后形成连续的ＴｉＣ薄膜，从而达到Ｔｉ镀层与金刚石界面最大结合强度。     

RAP法生长KBr单晶反应机理的探讨

采用反应气氛法（Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ Ｐｒｅｃｅｓｓ，简称ＲＡＰ法）生长ＫＢｒ单晶，选取ＣＣｌ４与ＣＨ２Ｂｒ的混合物作为纯化ＫＢｒ熔体的试剂。探讨ＣＣｌ４，ＣＨ２Ｂｒ２在纯化过程中的反应机理。分析纯化试剂与含氧阴离子进行反应的可能性。采用ＲＡＰ法生长ＫＢｒ单晶的吸收系数比用普通方法生长的单晶吸收系数降低了两个数量级。     

ZrO2（Y2O3）团聚状态对ZrO2增韧金刚石—SiC超硬复相陶瓷结构,性？…

用恒沸水解方法（ＢＨ）制备了颗粒度均一（０．１μｍ）的纳米晶（９ｎｍ）２．２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２（以下简称：２．２Ｙ－ＺｒＯ２），用化学共沉淀方法（ＣＰ）制备了松散团絮状的纳米晶（２０ｎｍ）２．２Ｙ－ＺｒＯ２。对这两类ＺｒＯ２粉体增韧ＳｉＣ中介金刚石超硬复相陶瓷进行了ＸＲＤ、ＳＥＭ、及韧性、耐磨性分析测定。结果表明，超高压烧结后，水解法ＺｒＯ２在ＳｉＣ是介相内以均一的粒度（０．１μｍ）均匀分     

几种极性有机晶体的生长习性与形成机理：Ⅲ.晶体的习性预测与实 …

本文从ＢＦＤＨ法则、ＰＢＣ理论和分子间作用力出发，探讨了极性有机晶体的理论习性及其预测，并和实际晶形进行了比较，一方面加深了对极性有机晶体生长机理的理解，另一方面则利用这一机理探讨了极性有机晶体的习性调制。根据极性有机晶体的结构特征即晶体分子具有特殊的排列方式，使得晶体沿极轴方向上的两个极性界面的结构不同，和晶体生长界面与溶剂分子的相互作用的差异，探讨了通过溶剂效应和习性调制剂来实现晶体生长的形态     

溶胶凝胶法制备的莫来石晶须的形貌和生长过程研究

本文通过溶胶凝胶工艺制备了莫来石晶须，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＳＡＤＰ和ＥＤＡＸ等分析测试技术研究了莫来石晶须的形貌，晶相组成和晶须的成分，结果表明，莫来石晶须是通过气固相反应按位错机理生长的，气相成分的波动可能是部分晶须的轴向不稳定生长、两次生长和其表面出现缺陷的主要原因。     

稻壳SiC晶须合成的热力学基础及VLS催化生长机理

本文对稻壳合成ＳｉＣ晶须及ＳｉＣ颗粒进行了热力学分析，确定了基元反应，设计了ＳｉＣＷＶＬＳ生长的新型复合催化剂。研究表明：在稻壳合成ＳｉＣＷ的反应中，ＳｉＣｐ的生成是不可避免的；在新型复合催化剂作用下，ＳｉＣＷ的主在率可达３０％以上；ＳｉＣＷ的生长为粗糙界面生长机制，ＳｉＣＷ表面光滑，为β－ＳｉＣ单晶。     

富勒烯结晶特性研究

用扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）方法研究了不同Ｃ６０／Ｃ７０含量比的甲苯溶液在单晶硅表面大气环境条件下等温蒸发Ｃ６０６ Ｃ６０／Ｃ７０的结晶特点。纯Ｃ６０的结晶表面为层状扩展的生长过程，生成的晶粒具有完整的晶面。而Ｃ７０的存在影响Ｃ６０的结晶过程，破坏晶面的完整性、晶粒成核速度加快、晶体生长表现为典型的非平衡态多核竞争生长过程从而使结晶产物的出现明显的分形结构。     

陶瓷靶材对铁电薄膜的成分,结构和性能的影响

本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明，由１２００℃时烧结的靶所制备的薄膜中ＰｂＯ的含量偏低，而９００℃时的薄膜中ＰｂＯ的含量却大于１；由这两种靶材都获得了结晶性较好的多晶钙钛矿结构，但９００℃时烧结的靶所制备的铁电薄膜的结晶性能更好，具有较好的铁电性能，其典型的矫顽场和剩余极化强度分别为７３．２ｋＶ／ｃｍ和２５．９μＣ／ｃｍ＾２     

多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析

本语文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ 直晶为主，表现粗糙、呈多节状；晶面以β－ＳｉＣ为主要晶型，少量α－ＳｉＣ孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明，多主ＳｉＣｗ为ＶＳ生长机理。     

富勒铁复合材料中晶体的电镜分析

采用适当的激光热处理，使Ｃ６０／Ｃ７０涂层与４５钢基底发生复合并生成昌体相。通过ＳＥＭ、ＴＥＭ、波谱、ＳＴＥＭ能谱等手段，证实所制备的富勒铁复合材料中生成许多不同地Ｆｅ－Ｃ合金体系带常规析出物的多边形晶体，其中有三角形、四边形、五边形、六边形和八边形几种，尺寸为１０μｍ量级。对晶体形貌进行成分的初步鉴定和结构分析、表明这些晶体中部分为立方金刚石，其它为未知的新型结构的碳化物。     

大截面KDP晶体生长研究动态

介绍大截面ＫＤＰ晶体的应用背景及惯性来约束核聚变对ＫＤＰ晶体的需要，评述ＫＤＰ晶体快速生长方法。     

LPE InAsPSb外延层组分分布的均匀性的研究

本文采用ＬＰＥ生长技术，分析，研究了降温，恒温两种方法生长的ＩｎＡｓＰＳｂ外延层组分分布。实验结果表明，用恒温方法生长的外延层，Ｐ、Ｓｂ组分分布均匀不变。     

稀土铕掺杂BaPbO3的研究

在ＢａＰｂＯ３中掺杂Ｅｕ２Ｏ３多晶粉末。通过ＥＸＡＦＳ、ＩＣＰ、ＸＲＤ等手段，研究了稀土铕掺杂ＢａＰｂＯ３体系的晶相种类，掺要工艺，以及铕的两种可能的存在形式。掺杂铕中，大部分铕占据面体中心位置，且伴随氧空间的产生；小部分铕进入八面本周围的空隙中，可能以间隙形式存在。     

Ti/Au复合电极在CdZnTe (111)B面上的表面结构与性能研究

近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题。本文主要探讨了弱n型CdZnTe晶体(111)B面Ti/Au复合电极的欧姆接触性能,采用两步沉积工艺制备Ti/Au复合电极。通过AFM、FIB/TEM、XPS、I-V等测试方法研究了电极与CdZnTe的界面结构、化学成分和电学性能。结果表明,Ti过渡层的引入可以减轻和改善晶片抛光过程中形成的损伤层,增加了电极与晶体之间的欧姆特性。相比于CdZnTe (111)B面上的Cr/Au复合电极,Ti/Au复合电极的粗糙度更低、接触界面更平整,晶格失配层厚度也更低。Ti中间层促进了金/半界面的互扩散现象, 有利于增加黏附性和降低肖特基势垒,并且在Ti/Au复合电极与CdZnTe接触的界面上没有观察到氧元素的存在。I-V测试表明Ti/Au复合电极具有更加良好的欧姆特性和更低的肖特基势垒。     

KADP晶体生长研究

采用水溶液降温在法在以ＡＤＰ为主的溶液中生长了不同组成的ＫＡＤＰ晶体。测定了相应溶液的准稳定区，较系统地研究了溶液中ＫＤＰ含量对晶体形态的影响，初步探讨了晶体开裂的机理，提出了以ＡＤＰ晶体作籽晶时，ＫＡＤＰ晶体生长溶液中ＫＤＰ的最高浓度，以及进一步提高ＫＤＰ浓度的可能途径。所生长的ＫＡＤＰ晶体的波长３００－９００ｎｍ范围内的透过率均在７０％以上。     

C60单晶的生长形态观测

用气相沉淀法生长的Ｃ６０单晶是由（１１１）和（２００）单型形成的模型，与理论平衡形态相一致，用ＳＥＭ观测了Ｃ６０单晶的形态。     

异质粒子对高温高压下金刚石成核的影响

本文通过将一系列粉末粒子（包括Ｂ４Ｃ，β－ＳｉＣ，ＴｉＣ，ＴｉＢ２，结晶完整的石墨和Ｃ６０）定点地分别添加到溶媒－碳反应系里，就添加物质对金刚民核的影响进行研究。结果发现，所有这些添加粒子均具有明显的金刚石选择成核作用，在不同程度上促进金刚石的成核。在相同条件下，Ｂ４Ｃ可能是更为有铲的成核促进物质。     

压电层体积分数对BTO基复合薄膜磁电性能的影响

基于力学参数模型研究了NFO/BTO层状复合薄膜的磁电效应,发现当压电相的体积分数约为0.47时,磁电耦合性能最好.通过脉冲激光沉积法在掺0.7;Nb的(001)-STO衬底上生长了不同体积分数比的2-2型NFO/BCZT异质结构的磁电复合薄膜.XRD结果表明:NFO/BCZT磁电复合薄膜均为(00l)择优取向生长结构.通过锁相技术测试了NFO/BCZT复合薄膜的磁电耦合系数,测试结果表明压电相体积稍大于铁磁层体积时,磁电性能最佳.实验结果与理论结果存在一定差异,主要是由于材料实际参数与计算所用参数有差异、界面的非理想耦合无法得到准确的k值以及复合薄膜微观结构、应力等影响.     

NaCl（OH）^—）色心激光晶体的单晶生长研究

采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂，控制晶体中ＯＨ＾－的含量在１０８０ｐｐｍ，排除Ｋ＾＋，Ｌｉ＾＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）；（Ｆ２＾＋）Ｈ色心激光晶体的制备及激光运转奠定了良好的基础。     

化学气相沉积金刚石薄膜成核机理研究

本文综述了在化学气相沉积（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ,ＣＶＤ）金刚石薄膜过程中非金刚石衬底表面金刚石成核机理研究进展。主要讨论了衬底表面缺陷诱导金刚石成核模型,指出最大原子团的存在决定了金刚石成核是否能够在衬底表面发生;分析了金刚石在非金刚石衬底成核时的过渡层问题,提出了过渡层存在机理;对于在等离子体ＣＶＤ中的偏压增强金刚石成核效应,提出的负偏压离子流增强成核模型和正偏压电