多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析

本语文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ 直晶为主，表现粗糙、呈多节状；晶面以β－ＳｉＣ为主要晶型，少量α－ＳｉＣ孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明，多主ＳｉＣｗ为ＶＳ生长机理。     

稻壳SiC晶须合成的热力学基础及VLS催化生长机理

本文对稻壳合成ＳｉＣ晶须及ＳｉＣ颗粒进行了热力学分析，确定了基元反应，设计了ＳｉＣＷＶＬＳ生长的新型复合催化剂。研究表明：在稻壳合成ＳｉＣＷ的反应中，ＳｉＣｐ的生成是不可避免的；在新型复合催化剂作用下，ＳｉＣＷ的主在率可达３０％以上；ＳｉＣＷ的生长为粗糙界面生长机制，ＳｉＣＷ表面光滑，为β－ＳｉＣ单晶。     

β—SiCW合成工艺及反应机理的研究

本文研究了β－ＳｉＣｗ合成工艺参数和反应历程，提出了合成工艺优化参数，确定了反应进行了步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析，表明本方法合成的β－ＳｉＣｗ具有较高的质量水平。     

ZrO2（Y2O3）团聚状态对ZrO2增韧金刚石—SiC超硬复相陶瓷结构,性？…

用恒沸水解方法（ＢＨ）制备了颗粒度均一（０．１μｍ）的纳米晶（９ｎｍ）２．２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２（以下简称：２．２Ｙ－ＺｒＯ２），用化学共沉淀方法（ＣＰ）制备了松散团絮状的纳米晶（２０ｎｍ）２．２Ｙ－ＺｒＯ２。对这两类ＺｒＯ２粉体增韧ＳｉＣ中介金刚石超硬复相陶瓷进行了ＸＲＤ、ＳＥＭ、及韧性、耐磨性分析测定。结果表明，超高压烧结后，水解法ＺｒＯ２在ＳｉＣ是介相内以均一的粒度（０．１μｍ）均匀分     

利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si（100）上合成局域异质外延金刚 …

本文利用发射电子法经由热灯丝ＣＶＤ在Ｓｉ（１００）上获得了局域异质外延金刚石膜。由Ｒａｍａｎ背散射强度（在１３３２ｃｍ＾－１处）旋转角依赖关系表明，金刚石膜与Ｓｉ（１００）的定向关系为ｄｉａ（１００）∥Ｓｉ（１００）和ｄｉａ〔１１０〕∥Ｓｉ〔１１０〕。在金刚石膜的成核阶段，位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压，获得的金刚石膜用扫描电镜和Ｒａｍａｎ谱表征。对实验结果进行了简要的讨论。     

离心倾液法与初晶Si的生长

本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法－离心倾液法。用该方法获得了过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶的Ｓｉ的生长形貌，发现了初晶Ｓｉ存在错台阶生长机制，并且，借助该生长机制成功地解释了初晶Ｓｉ的分枝和初晶Ｓｉ包裹共晶组织的形成机理。此外，观察到了共晶体包裹初晶Ｓｉ生长的过程。     

化学气相沉积工艺制备碳化硅晶须的研究

在外加热的化学气相沉积(CVD)炉中,以H2为载气,甲基三氯硅烷(MTS)为源气,氩气为稀释气体,在反应烧结碳化硅基底上,采用CVD工艺制备了碳化硅晶须,研究了沉积温度和稀释气体对产物形貌的影响。分别用XRD、SEM分析了沉积物的相组成和形貌。SEM分析结果表明:1100℃时的沉积物完全由晶须组成,1150℃时的沉积物由晶须和部分晶粒组成;1100℃和1150℃相比,沉积温度较高时,晶须的平均直径增大;随着稀释气体的加入,在1100℃时,晶须直径的分布变窄,弯曲缺陷减少,在1150℃时晶须中颗粒沉积物明显减少。XRD分析表明,1100℃下制备的晶须为β-SiC晶须。此外,还进一步对晶须的生长机理和沉积物形貌变化的原因进行了分析。     

热灯丝射频等离子体CVD法立方氮化硼薄膜某些性质的研究

本文研究了热灯丝射频等离子体ＣＶＤ法合成的立方氮化硼薄膜，反应气体是Ｂ２Ｈ６和ＮＨ３，衬底材料为Ｓｉ单晶。通过扫描电镜、红外吸收谱和Ｘ射线衍射分析指出，生长出的ｃ－ＢＮ薄膜的质量很好。     

燃烧火焰法沉积金刚石的晶体形貌

本文研究了在大气中用燃烧火焰法沉积出的金刚石的结晶形态。结果发现，所沉积出的金刚石除了同体和十四面体单晶外，还有尖晶石型、伪五角型、二十面体型及球型等多重孪晶颗粒（ＭＴＰＳ），并与实验模型进行了对比观察。所有ＭＴＰＳ大多是以｛１１１｝面为孪晶面。在｛１１１｝面上还有大量层错和显微孪晶。本文还对产生上述晶体形貌的原因进行了理论分析。     

异质粒子对高温高压下金刚石成核的影响

本文通过将一系列粉末粒子（包括Ｂ４Ｃ，β－ＳｉＣ，ＴｉＣ，ＴｉＢ２，结晶完整的石墨和Ｃ６０）定点地分别添加到溶媒－碳反应系里，就添加物质对金刚民核的影响进行研究。结果发现，所有这些添加粒子均具有明显的金刚石选择成核作用，在不同程度上促进金刚石的成核。在相同条件下，Ｂ４Ｃ可能是更为有铲的成核促进物质。     

Ti中介的聚晶金刚石复合片（PDC）界面结构与性能研究

本文在高温、超高压条件下，制出了以Ｔｉ为中介物的金刚石聚晶与硬质合金衬底的复合片（Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｃｏｍｐａｃｔ，ＰＤＣ）用剪切、压溃、淬火急冷等方法测定了ＰＤＣ的结合性能及抗热冲击性能，用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等方法研究了复合界面处的结构，并分析了对ＰＤＣ复合性能的影响与Ｔｉ在界面的作用及存在形式。     

高质量ZnSe单晶的研究

本文报道了以Ｉ２作输运剂,用化学气相沉积法生长ＺｎＳｅ单晶的实验结果,其生长条件为升华温度８５０－９００℃,生长管内温差１５－２０℃,温度梯度小于２℃／ｃｍ并采用了特殊形状的生长管来控制原料的输运及生长速度。经过３０天左右的生长,得到了长３０ｍｍ,直径１５ｍｍ的桔黄色ＺｎＳｅ单晶。     

化学气相沉积金刚石薄膜成核机理研究

本文综述了在化学气相沉积（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ,ＣＶＤ）金刚石薄膜过程中非金刚石衬底表面金刚石成核机理研究进展。主要讨论了衬底表面缺陷诱导金刚石成核模型,指出最大原子团的存在决定了金刚石成核是否能够在衬底表面发生;分析了金刚石在非金刚石衬底成核时的过渡层问题,提出了过渡层存在机理;对于在等离子体ＣＶＤ中的偏压增强金刚石成核效应,提出的负偏压离子流增强成核模型和正偏压电     

光激电流法测量掺锗CZSi中的深能级

用光激电流法研究了Ｇｅ作为杂质掺入到Ｓｉ中可能引入的深能级，发现掺锗量小于或等于１．０ｗｔ％（重量比）时，不会在ＣＺＳｉ中引入与锗有关的深能级；锗的引入硅中点缺陷的深度。     

在H2—CH4—CO2气相系统中沉积金刚石薄膜

研究了在Ｈ２－ＣＨ４－ＣＯ２气相系统中金刚石薄膜的沉积情况。随着ＣＯ２浓度的增大，金刚石薄膜二次成核现象减少，晶体形态趋于完整，薄膜质量变化；随着ＣＯ２、ＣＨ４２的同时增大，金刚石薄膜农渐从完整晶体形态变为菜花状聚晶体，薄膜质量变差；在较高的ＣＨ４（约１５％）、ＣＯ２（约２０％）浓度下，仍可获得昌体形态貌良好的金刚石薄膜；在Ｈ２＿ＣＯ２气相系统中，不能沉积金刚石薄膜。     

基于电沉积技术的纳米晶材料晶粒细化工艺研究

纳米晶材料电沉积工艺是在传统电沉积工艺的基础上,通过控制适当的工艺条件,最终获得具有各种性能的纳米晶电沉积层的过程.研究表明,由电沉积工艺制备的纳米晶材料,晶粒细小且组织均匀,具有耐磨、耐蚀、耐高温氧化等特殊性能.本文分析了在电沉积过程中纳米晶形成的机理,探讨了工艺参数、复合电沉积和脉冲电沉积、有机添加剂以及采用其它工艺措施对晶粒细化过程的影响.介绍了电沉积纳米晶材料的各种性能及应用.     

多晶硅化学气相沉积过程气相与表面反应模拟验证

针对SiHCl3-H2体系下硅的化学气相沉积过程,采用边界层反应模型和Chemkin模拟软件,耦合不同气相与表面化学反应机理,对不同条件下硅的沉积速率,高温下HCl气体对硅表面的侵蚀速率进行了模拟计算.与文献报道的三组实验数据进行对比,验证现有反应机理的模拟精度,确定一套修正化学反应机理可以较为准确地预测工业级西门子多晶硅还原炉条件下多晶硅的沉积速率.     

赝三元热电烧结体材料制作技术的研究

本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。     

PECVD法制备不同衬底微晶硅薄膜的研究

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别在玻璃衬底和p型薄膜硅衬底上制备了微晶硅薄膜。使用拉曼谱仪、紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱仪等对微晶硅薄膜进行检测,重点研究了硅烷浓度、衬底温度对薄膜沉积速率和晶化率的影响。实验结果表明:两种衬底上薄膜的沉积速率均随硅烷浓度的增大、衬底温度的升高而变大。硅烷浓度对两种衬底的薄膜晶化率影响规律相同,即均随其升高而降低;但两种衬底的衬底温度影响规律存在差别:对玻璃衬底而言,温度升高,样品晶化率减小;而p型薄膜硅衬底则在温度升高时,样品晶化率先增大后减小。此外还发现,晶化率与薄膜光学性能及含氧量存在较密切关联。     

热丝法CVD在75Si—Fe上沉积金刚石膜

首次在工业７５硅铁上热丝法气相沉积出了较好的金刚石薄膜。ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ检测表明：金刚石薄膜有强烈的选择生长、初生硅区域（含硅９６ｗｂ％）金刚石成核生长缓慢、ＦｅＳｉ２区域成核密度约高前者一个数量级以上。本文对上述现象作了初步理论分析。