1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。     

In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga

本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．     

后退火对InxGa1—xAs单层量子点光学性质的影响

研究了以ＧａＡｓ和Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ为基体,当铟的摩尔分数（ｘ）不同时,后退火对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ单层量子点光致荧光（ＰＬ）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（ｘ＝０．２３,０．３７,０．５０,１．０）的ＰＬ谱线宽度变窄和蓝移。对于ＧａＡｓ基体,在７００℃退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移与退火３０分钟相似;（仅当ｘ＝０．２３时,退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移小于３０分钟）。对于Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ基体,在７００℃退火３０分钟和９０分钟,其ＰＬ谱蓝移是不同的。     

抗癌药物铂络合物构效关系的物理方法研究

本文用Ｘ射线衍射、傅里叶变换红外光谱、差热分析等物理方法研究了抗癌药物铂络合物特性、结构以及构效关系．研究结果表明：ｃｉｓ－［Ｐｔ（ＮＨ３）２Ｃｌ２］属简单斜方晶系,晶格常数ａ＝０．９２２１ｎｍ,ｂ＝０．８７７１ｎｍ,ｃ＝０．６８９０ｎｍ．草酸二氨合铂的结构为斜方晶系,其晶格常数为：ａ１＝１．０７２１ｎｍ,ａ２＝０．６４０２ｎｍ,ａ３＝１．８５７０ｎｍ,并用傅里叶变换红外光谱、差热分析、元素分析等方法对它们理化特性进行了研究     

LP－MOCVD生长InGaAs／InP应变量子阱的研究

本文研究了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ对不同ｘ值的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ／ＩｎＰ生长条件，并且生长了压缩应变为０．５％三个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，利用７７ＫＰＬ光谱分析了能级同阱宽的关系，实现最窄阱宽为４．４ｎｍ，最小全半高峰宽为１７．０ｍｅｖ。     

高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs／AlGaAs应变双量子阱？…

采用金属有机化合物气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ＧＲＩＮ）异质结构的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变双量子阱激光器。该器的波长为９７０－９８２ｎｍ,室温连续工作阈值电流密度为１４０Ａ／ｃｍ＾２,工作在０．９Ａ时单面连续输出光功率为５２０ｍＷ,工作在２．０时,连续输出光功率为１．４９Ｗ,最高功率可达２．４Ｗ,微分量子效率高达０．８３Ｗ／Ａ。     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ⁺在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ_0.3Ｇ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。 关键词：     

AlxGa1—xAs／GaAs异质结材料的XPS研究

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的Ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。     

高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器

采用金属有机化合物气相淀积（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ Ｇ Ｒ Ｉ Ｎ）异质结结构的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ａｌ Ｇａ Ａｓ 应变双量子阱激光器。该激光器的波长为 ９７０～９８２ ｎｍ ,室温连续工作阈值电流密度为１４０ Ａ／ｃｍ ２, 工作在０．９ Ａ 时单面连续输出光功率为５２０ ｍ Ｗ , 工作在２．０ Ａ 时, 连续输出光功率为 １．４９ Ｗ , 最高功率可达 ２．４ Ｗ 。微分量子效率高达０．８３ Ｗ ／ Ａ。     

x3振荡器的周期的一种计算方法

用量纳分析的方法获得了ｘ＾３振荡器的周期，并通过数值计算出了ｘ－ｔ的关系曲线。     

Sr1-xLaxTiO3的高温高压合成及XPS研究

 利用高温高压方法合成了有稀土元素La掺杂的钙钛矿氧化物Sr_1-xLa_xTiO₃。XRD测试表明，在x≤0.5时，样品基本为单相，呈立方相；晶胞体积随x的增加而增加，在x=0.4时开始减小。XPS测量发现，样品中存在Ti离子的变价。讨论了Ti离子价态的变化对晶格参数的影响。     

A Lower Bound on Longitudinal Structure Function at Small x from a Self-Similarity Based Model of Proton

Self-similarity based model of proton structure function at small x was reported in the literature sometime back. The phenomenological validity of the model is in the kinematical region 6.2 × 10-7 ≤ x ≤ 10-2 and 0.045 ≤ Q2 ≤ 120 GeV2. We use momentum sum rule to pin down the corresponding self-similarity-based gluon distribution function valid in the same kinematical region. The model is then used to compute bound on the longitudinal structure function FL（X, Q2） for A1tarelli-Martinelli equation in QCD and is compared with the recent HERA data.     

深度非弹性散射中小x区物理新进展

简单评述了近几年来轻子一核子(核)深度非弹性散射(1–N(A)DIS)在小x区的单举实验数据和唯象分析方面的进展.     

Plasmon excitation in the x ray absorption process

A simple approach is developed to study the excitation of a plasmon due to valence electronic correlations in the x ray absorption process. Assuming a complete separation between the core and the valence electrons, we introduce the plasmons in the system Hamiltonian externally according to the Bohm-Pines collective formalism and carry out the corresponding canonical transformations to separate the x ray photonplasmon-electron term. According to our calculations, the relative intensity of the plasmon process with respect to the main absorption, which represents single particle excitations is 0·12 times the interelectronic separation measured in Bohr radii. The theoretical estimates of the plasmon intensity agree satisfactorily with the experimental values for the Mn K and the Re L_III absorption discontinuities. The shape of the plasmon absorption band resembles the main absorption edge, if the wave vector dependence of the plasmon frequency is neglected. The intensity of the second plasmon harmonic is about 3 per cent of the first plasmon satellite spectrum. The electron plasmon interaction modifies the shape of the plasmon spectrum.     

X光激发氮氧化铝膜层电子特征能量探测与分析

本文报告了用Ｘ光电子能谱法（ＸＰＳ）对氮氧化铝／铁膜内层电子特征能量的探测与分析,获得了膜层中不同深度的元素成分及化学结构．结果表明：ＸＰＳ方法是研究氮氧化铝选择性吸收膜的有效方法．     

基态BBrx(x=0,-1,+1)分子离子的势能函数与稳定性

用原子分子反应静力学原理推导出了BBrx(x=0,-1,+1)分子离子的基态电子状态及其离解极限.在CC-PVDZ水平基础上,用B3LYP方法计算了BBrx(x=0,- 1,+1)分子离子的基态电子状态的平衡几何Re和离解能De分别为BBr+:0.176 6 nm、3.530 7 eV; BBr-:0.221 7 nm、1.500 0 eV,并在计算出来的一系列单点势能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数(Be、αe、ωe、ωeχe),计算结果分别为:BBr+:0.577cm -1、0.004 8 cm-1、932.513 0 cm-1和6.506 5 cm-1;BBr-:0. 360 2 cm-1、0.005 5 cm-1、348.428 3 cm-1和3.541 7 cm-1, 计算值与实验和文献值基本一致,计算表明BBrx(x=0,-1,+1)分子离子是可稳定存在的,其稳定性次序为BBr>BBr+>BBr-.     

14MeV中子引起的Pb(n,x)203Hg, W(n,x)182Ta和W(n,x)183Ta的核反应截面测量

利用活化方法测量了14MeV中子引起的Pb(n,x)²⁰³Hg,W(n,x)¹⁸²Ta和W(n,x)¹⁸³Ta的反应截面.中子注量由监督反应⁹³Nb(n,2n)^92mNb给出,中子能量利用⁹⁰Zr(n,2n)^89m+gZr和⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应的截面比来确定.     

推广x重新标度模型重标度参数公式与轻子-核DIS过程的核效应

与原子核的平均结合能相联系，给出了部分子的推广x重新标度模型的重标度参数公式.利用该公式给出的重标度参数值，计算了铝核、钙核、铅核分别与碳核DIS过程的平均结构函数之比，结果表明理论计算与实验数据符合较好.     

GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性

应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性．变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别，而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性．最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征．