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对n区掺砷、p区为铟加百分之一镓、快速合金而成的锗隧道二极管做老化实验,发现某些二极管当加正向偏压时,过剩电流增加。这类二极管典型的伏安特性,如图1所示。由图可知,77°K时,峯值出现在234mV处,比我们实验用的一般锗隧道二极管的峯值电压大。在正向电压80mV处出现拐点d~2I/dV~2=0。反向隧道电流小。室温下,加正向电流50mA,老化结果,伏安特性曲线不变。高温下,正向老化结果,过剩电流单调增加。图2表示正向伏安特性的变化。曲线1,2,3和 4分别表示高温(95℃)正向5O 相似文献
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本通过对伏安法测二极管特性实验中一个特殊现象的分析,提出了环境电磁波对实验的影响;通过对实验现象的深入分析,能够提高学生观察问题和分析解决问题的能力。 相似文献
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电桥法测二极管的伏安特性 总被引:1,自引:0,他引:1
电桥法测二极管的伏安特性高伟(安徽芜湖师专物理系241008)电桥法测电阻一种是公认的较精确地测量电阻的方法.本文介绍利用电桥平衡原理测量二极管的伏安特性的电路,能明显提高测量的准确度.一、羽量电路原理二极管伏安特性的坝量是普通物理学的基础实验之一,... 相似文献
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用FD-UI-A非线性元件伏安特性实验仪测量了稳压二极管的正向和反向伏安特性,研究结果表明,稳压二极管的正向和反向伏安特性都呈现出非线性,但其正向和反向的lnI-Ud呈良好的线性关系,其斜率反映了二极管材料的导电特性. 相似文献
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浅谈伏安法测二极管的特性 总被引:1,自引:1,他引:0
高等学校试用的《普通物理实验》一书中,关于伏安法测二极管的特性实验(以下简称伏安特性实验),是通过测出二极管反向饱和电流I_e、正向各种偏压U_D及其对应的电流I_D,算出二极管温度等效电压的倒数(q/kT),再与室温时的理论值比较,让学生了解二极管的正向伏安特性。该实验和一些较能精确测定半导体PN结电流-电压关系的方法相比,不仅具有方法简单,直观性强,数据易处理等优点,而且使学生能够运用普物实验手段,认识半导体二极管这一重要特性,它是大学低年级可以开设的基础实验之一,但是如按课本上的要求测量,误差很大(只有理论值的一半左右),达不到比较满意的效果,本文通过分析误差产生的主要根源,谈谈原实验方案的弊端及改进意见。 相似文献
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本文提供测量隧道二极管伏安曲线二次微商与直流偏压关系的谐波分析法。着重讨论测量原理,电路设计和误差对结果的各种影响。同时,指出进行这项工作对隧道二极管应用和它的物理性质研究的意义。文中介绍了典型测量结果。并对隧道二极管作低电平检波器应用的价值作了一些定量的讨论。 相似文献
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本文首次测量了非晶态锂离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3(x=0.05及0.15)在0.000 1~0.80 GPa压力下的离子电导率及激活体积,发现激活体积在一定压力下由负变正,并用离子迁移通道的物理图象给出初步的微观解释。此外,还比较了整片非晶与粉末压片的异同,以及氧化铝组分不同对压力相变点的影响。观测到压力增强及卸压后电导率的弛豫现象——减至常压后离子电导比加压前提高10.4倍。 相似文献
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自五十年代以来,对亚声速及超声速喷注噪声有大量的研究工作,但对阻塞喷注的湍流噪声研究甚少。作者曾于文献[1]中提出阻塞喷注湍流噪声的压力关系。本文是以前工作的继续,作者发现只要将文献[1]中所提出的关系式略加修改,适用范围便可以延至亚声速喷注。并得到湍流喷注噪声的发生机理。根据这个关系,可以推论喷注中的湍流噪声,无论是阻塞或非阻塞,来源都是湍流脉动的四极子源,只是在阻塞喷注中湍流速度继续随驻点压力增加,虽然气流的平均速度不再改变。作者还提出了湍流速度变化的规律,它的合理性及导出的噪声公式为实验结果所证明。 相似文献
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在室温(15~35℃),大气气氛中研究了InGaAsP/InP双异质结发光二极管的退化特性。有二种慢退化类型,连续工作104小时后,InGaAsP/InP发光二极管的电学参数、光学参数(除原有暗结构的B型慢退化器件,老化初期光功率下降10~20%外)均无明显变化。用红外电视选行扫描仪观察了老化过程中发光区的EL图象。研究了该器件的退化特性与EL图象的变化规律,找出了它们的对应关系。用扩展缺陷模型解释了InGaAsP/InP双异质结发光管的退化机理。 相似文献