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| 半导体光电二极管伏安特性的实验测定 | |
| 引用本文： | 朱世国,周积骏. 半导体光电二极管伏安特性的实验测定[J]. 物理实验, 2000, 20(2): 12-14 |
| 作者姓名： | 朱世国 周积骏 |
| 作者单位： | 1. 四川大学物理系,成都,610064 2. 成都气象学院,610041 |
| 摘 要： | 论述了半导体光电二极管的结构、工作原理、基本性能及其伏安特性测定技术。 |
| 关 键 词： | 半导体光电二极管 伏安特性 响应度 实验测定 |
| 修稿时间： | 1999-09-03 |
The experimental determination of semiconductor photodiode V-I characteristic |
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| Zhu shiguo. The experimental determination of semiconductor photodiode V-I characteristic[J]. Physics Experimentation, 2000, 20(2): 12-14 | |
| Authors: | Zhu shiguo |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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