| 等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗 |
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| 引用本文： | 薛进敏.等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗[J].光谱实验室,1997,14(1):38-40. |
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| 作者姓名： | 薛进敏 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所!北京市海淀区中关村前三街8号，100080 |
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| 摘 要： | 本文阐述了用等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗的方法。试验了三种样品制备方法，结果表明，样品溶解于硝酸加氢氟酸中，除云硅后直接测定锗的方法最好，其检出限是0.0237μg/mL，合成样品的回收率为99.9%－100.2%，相对标准偏差小于3.6%。
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| 关 键 词： | 锗 单晶硅 ICP－AES 半导体材料 测定 微量分析 电感耦合等离子发射光谱法 |
Determination of Trace Germanium in Monocrystalline Silicon by ICP-AES |
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| XUE Jingmin.Determination of Trace Germanium in Monocrystalline Silicon by ICP-AES[J].Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory,1997,14(1):38-40. |
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| Authors: | XUE Jingmin |
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| Keywords: | Germanium Monocrystalline Silicon ICP-AES |
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