| 金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究 |
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| 引用本文： | 邢海英,范广涵,杨学林,张国义.金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究[J].物理学报,2010,59(1):504-507. |
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| 作者姓名： | 邢海英 范广涵 杨学林 张国义 |
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| 作者单位： | (1)北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871; (2)华南师范大学光电子材料与技术研究所，广州 510631; (3)天津工业大学信息与通信工程学院，天津 300160；华南师范大学光电子材料与技术研究所，广州 510631 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：50602018)，广东省自然科学基金(批准号：06025083)，广东省科技攻关计划(批准号：2006A10802001)，广州市科技攻关重大项目(批准号：2005Z12D0071)，粤港关键领域重点突破项目(批准号：207A01501008)资助的课题. |
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| 摘 要： | 研究由MOCVD 技术制备的 GaMnN 外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加，在吸收谱低能区144 eV附近观察到吸收峰，吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致，结合理论计算分析认为144 eV附近的吸收峰源于Mn3+离子e态与t2态间的带内跃迁5T2→5E.
关键词：
GaMnN
MOCVD
密度泛函理论
光学性质
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| 关 键 词： | GaMnN MOCVD 密度泛函理论 光学性质 |
| 收稿时间： | 2/3/2009 12:00:00 AM |
Optical properties of GaMnN films grown by metal-organic chemical vapor deposition |
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| Xing Hai-Ying,Fan Guang-Han,Yang Xue-Lin,Zhang Guo-Yi.Optical properties of GaMnN films grown by metal-organic chemical vapor deposition[J].Acta Physica Sinica,2010,59(1):504-507. |
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| Authors: | Xing Hai-Ying Fan Guang-Han Yang Xue-Lin Zhang Guo-Yi |
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| Abstract: | Optical absorption spectra for a series of GaMnN samples with different Mn content grown by metal-organic chemical vapor deposition have been investigated. Compared with GaN,the absorption coefficient of Ga1-xMnxN increases in the UV region and an absorption peak can be observed near 1.44 eV. In addition,the absorption coefficient increases with the increase of the Mn content. The experimental results are in excellent agreement with theoretical data based on density functional theory. Associated with theore... |
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| Keywords: | GaMnN MOCVD density functional theory optical properties |
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