| X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 周劲,杨志坚,唐英杰,张国义.X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜[J].发光学报,2001,22(Z1):79-82. |
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| 作者姓名： | 周劲 杨志坚 唐英杰 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，69876002， |
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| 摘 要： | 氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.
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| 关 键 词： | GaN 氢化物汽相外延 X射线分析 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0079-04 |
| 修稿时间： | 2001年3月17日 |
X-ray Analysis of GaN Film Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy |
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