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基于PTCDA的有机/无机光敏二极管结构优化
引用本文:刘金凤,姚博,郑挺才,彭应全.基于PTCDA的有机/无机光敏二极管结构优化[J].发光学报,2014,35(2):218.
作者姓名:刘金凤  姚博  郑挺才  彭应全
作者单位:刘金凤:兰州大学物理学院 微电子研究所, 甘肃 兰州730000
姚博:兰州大学物理学院 微电子研究所, 甘肃 兰州730000
郑挺才:兰州大学物理学院 微电子研究所, 甘肃 兰州730000
彭应全:兰州大学物理学院 微电子研究所, 甘肃 兰州730000兰州大学 磁学与磁性材料教育部重点实验室, 甘肃 兰州730000
基金项目:国家自然科学基金(1097407); 教育部博士点基金(20110211110005)资助项目
摘    要:以p型硅和苝四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管。研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度有很大的影响。对比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度为100 nm时,光响应度最高达到0.3 A/W。进而采用最优化的100 nm厚的PTCDA薄膜制备硅基光敏二极管,对比不同Au电极厚度的器件性能。在Au厚度为20 nm时,器件的光响应度达到最优化的0.5 A/W。

关 键 词:有机/无机异质结  光电探测器  PTCDA  厚度优化
收稿时间:2013/9/22

Structure Optimization of Organic/Inorganic Photosensitive Diode Based on PTCDA
Abstract:
Keywords:organic/inorganic heterojunction  photodetector  PTCDA  thickness optimization
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