全文获取类型
收费全文 | 3175篇 |
免费 | 1180篇 |
国内免费 | 899篇 |
专业分类
化学 | 878篇 |
晶体学 | 184篇 |
力学 | 72篇 |
综合类 | 44篇 |
数学 | 15篇 |
物理学 | 4061篇 |
出版年
2024年 | 30篇 |
2023年 | 113篇 |
2022年 | 145篇 |
2021年 | 137篇 |
2020年 | 94篇 |
2019年 | 121篇 |
2018年 | 80篇 |
2017年 | 130篇 |
2016年 | 130篇 |
2015年 | 185篇 |
2014年 | 372篇 |
2013年 | 241篇 |
2012年 | 218篇 |
2011年 | 316篇 |
2010年 | 254篇 |
2009年 | 231篇 |
2008年 | 289篇 |
2007年 | 197篇 |
2006年 | 202篇 |
2005年 | 207篇 |
2004年 | 217篇 |
2003年 | 186篇 |
2002年 | 157篇 |
2001年 | 144篇 |
2000年 | 87篇 |
1999年 | 100篇 |
1998年 | 80篇 |
1997年 | 83篇 |
1996年 | 69篇 |
1995年 | 82篇 |
1994年 | 86篇 |
1993年 | 51篇 |
1992年 | 59篇 |
1991年 | 49篇 |
1990年 | 50篇 |
1989年 | 35篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 4篇 |
排序方式: 共有5254条查询结果,搜索用时 453 毫秒
1.
设计了一种在室温工作的太赫兹热探测器.探测器由片上天线和温度传感器耦合而成.天线由NMOS温度传感器的栅极组成,吸收入射的太赫兹波将其转化为焦耳热,生成的热量引起的温度变化由温度传感器探测.整个探测器的探测过程分为电磁辐射吸收、波-热转换、热-电转换三个过程,并分别进行了建模分析,仿真得到天线吸收率为0.897,热转换效率为165K/W,热电转换效率为1.77mV/K.探测器基于CMOS 0.18μm工艺设计,工艺处理后将硅衬底打薄至300μm.探测器在3THz太赫兹环境下,入射功率为1mW时,电压响应率仿真值为262mV/W,测试值为148.83mV/W. 相似文献
2.
4.
透过复杂介质获取目标物体图像精细信息的能力是光电图像采集处理的一大难点, 选用CMOS光电图像传感器, 设计了CMOS成像系统以及后端读取和处理电路, 透过毛玻璃对目标物体成像, 将采集的图像信息传送到计算机中进行处理。该系统按照相机光学成像系统原理制作, 采用通用CMOS图像传感器芯片完成电路设计, 加之红外激光辅助照明拍摄采集图像, 由远及近不同距离分别对同一目标物成像, 对成像图像进行迭代图像增强算法优化, 可以解决毛玻璃非匀质问题, 使光源重建精度大大提高, 得到的可见光图像轮廓清晰, 与一般CCD成像系统相比, 识别率超过95%, 远大于一般成像系统, 且成像性能良好。 相似文献
6.
利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中。扫描电子显微镜(SEM)结果表明, ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,纳米棒的直径减小,密度增加。XRD结果表明,In和Ga共掺杂引起ZnO晶格常数增大,导致(002)衍射峰向低角度方向偏移。同时,ZnO的光学性质受到In和Ga共掺杂的影响。与纯ZnO相比, 共掺杂ZnO纳米棒的紫外发射峰都出现轻微红移,这是表面共振和带隙重整效应综合作用的结果。I-V特性曲线表明,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结具有更好的导电性。 相似文献
7.
针对未来空间天文学应用的超分辨率光谱成像仪器的需求,对低噪声柱面微通道板(MCP)的制备方法及其性能进行了研究. 提出了一种将光学抛光与热成型相结合的新的柱面MCP制备方法,利用不含放射性元素的低噪声MCP玻璃,制备出曲率半径为400mm、尺寸为30mm′46mm、长径比为80:1、通道直径12.5mm、通道间距15mm的柱面MCP,并将其与感应电荷楔条形阳极(WSA)组成光子计数探测器,对其暗计数率、分辨率进行了检测,暗计数率约为0.1counts/cm2×s. 相似文献
8.