| 掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响 |
| |
| 引用本文： | 陈贵楚,范广涵,陈练辉,刘鲁.掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响[J].发光学报,2004,25(4):379-382. |
| |
| 作者姓名： | 陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 |
| |
| 作者单位： | 华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631 |
| |
| 基金项目： | 国家科技攻关计划资助项目 ( 0 0 0 68) |
| |
| 摘 要： | 在AlGaInP四元系双异质结发光二极管(DH—LED)的材料生长过程中，限制层的Al组分与P型掺杂浓度的确定有较大的随意性，这对LED的发光不利。通过分析载流子在发光二极管(LED)双异质结中的输运情况，得到了在不同的P型掺杂程度下，限制层Al组分与LED发光效率的关系，从而可以探索P型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律，得到的结论对于LED的器件结构设计以及MOCVD材料生长有一定的指导意义。
|
| 关 键 词： | AlGaInP Al组分 p型掺杂 发光效率 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)04-0379-04 |
| 修稿时间： | 2003年5月19日 |
Effect of p-doping Density and Al Composition upon Luminescent Efficiency |
| |
| CHEN Gui-chu,FAN Guang-han,CHEN Lian-hui,LIU Lu.Effect of p-doping Density and Al Composition upon Luminescent Efficiency[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(4):379-382. |
| |
| Authors: | CHEN Gui-chu FAN Guang-han CHEN Lian-hui LIU Lu |
| |
| Abstract: | In the case of no determination of Al composition and p-doping density in MOCVD epitaxy of AlGaInP double heterostructure light emitting diodes,the relation of Al composition and luminescent efficiency is gotten under various p-doping density by analyzing carrier transportion in double heterojunction of LED,and the principle of doping density and Al composition vs. luminescent efficiency can be derived.So this conclusion would have a guide to device design and MOCVD epitaxy. |
| |
| Keywords: | AlGaInP Al composition p-doping luminescent efficiency |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
