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应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量。 相似文献
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利用传输矩阵方法对纤锌矿型量子级联激光器有源区的界面与受限声子进行了研究.计算结果显示:在纵光学频域有一组界面声子与二组受限声子存在,而且最低频率的两个界面声子在一定条件下能转变为受限模式.通过比较界面声子与受限声子的色散及声子势发现两者有很大不同,且计算电声散射速率可以发现由这两种声子引起的散射率是可比拟的. 相似文献
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Comparison of Gain Properties with Electron--Electron and Electron--LO-Phonon Interactions in Quantum Cascade Structure 下载免费PDF全文
The gain properties of (A1N)m/(GaN)n superlattice-based quantum cascade structure axe investigated by using a nonequilibrium Green's function (NGF) theory. In this theory, the electron-electron interaction and electron- LO-phonon interaction axe both considered. The gain spectra of QCL axe calculated from some current-driven items, which are derived from these two interactions. The results show that the effect of the electron-electron interaction is notable in the low-photon-energy range and the electron-LO-phonon interaction only takes effect in the high-photon-energy range, where photon energy is close to or larger than LO-phonon energy of GaN materials. 相似文献
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在MOCVD质量控制生长模式下 ,通过分析Ⅲ -V族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程 ,建立了一个实用的生长模型。此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的。针对Turbo -Disc反应体系 ,分析了Turbo -Disc的传热以及质量传送模式后 ,建立了Turbo -Disc的生长模型。在此模型中建立了输入反应室的参数 (IPs)和边界层的生长参数的关系。在对组分匹配的GaInP/GaAs三组分生长体系进行分析时 ,发现此模型是非常有效的 ,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合。应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层。 相似文献
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利用传输矩阵方法对纤锌矿型量子级联激光器有源区的界面与受限声子进行了研究.计算结果显示:在纵光学频域有一组界面声子与二组受限声子存在,而且最低频率的两个界面声子在一定条件下能转变为受限模式.通过比较界面声子与受限声子的色散及声子势发现两者有很大不同,且计算电声散射速率可以发现由这两种声子引起的散射率是可比拟的. 相似文献
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