| 用MOCVD技术在Al2O3衬底上外延GaN的光致发光研究 |
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| 引用本文： | 高瑛,缪国庆.用MOCVD技术在Al2O3衬底上外延GaN的光致发光研究[J].光子学报,1997,26(11):982-986. |
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| 作者姓名： | 高瑛 缪国庆 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所!长春，130021，中国科学院长春物理研究所!长春，130021，中国科学院长春物理研究所!长春，130021，中国科学院长春物理研究所!长春，130021，中国科学院长春物理研究所!长春，130021 |
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| 基金项目： | 国家863高技术项目，国家重点自然科学基金，中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助 |
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| 摘 要： | 本文通过变温和变激发强度的光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３上生长ＧａＮ单晶薄膜的带边发射，通过分峰拟合得到Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ四个谱峰，其中半峰宽分别为１３．８ｍｅＶ，１０．８ｍｅＶ，１５．６ｍｅＶ，和５０ｍｅＶ。Ａ对应自由激子谱，Ｂ，Ｃ为两种束缚激子的跃迁，Ｄ与氧杂质谱有关。
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| 关 键 词： | 单晶薄膜 光致发光 MOCVD 氮化镓 |
PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF GaN EPILAYERS GROWN ON Al_2O_3 SUBSTRATE BY MOCVD |
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| Gao Ying,Miao Guoqing, Lu Shaozhe,Yuan Jinshan,Huang Shihua.PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF GaN EPILAYERS GROWN ON Al_2O_3 SUBSTRATE BY MOCVD[J].Acta Photonica Sinica,1997,26(11):982-986. |
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| Authors: | Gao Ying Miao Guoqing Lu Shaozhe Yuan Jinshan Huang Shihua |
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| Abstract: | The photoluminescence spectra of band edge versus excitation intensity and temperature in GaN epilayers have been studied, which are due to sum of free exciton, bound excitons and oxygen impurity radiation transitions. An exciton-exciton interaction process is observed with high excitation intensities. Temperature depedence of PL peak energy and FWHM are obtained and explained. |
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| Keywords: | GaN thin Film Photoluminescence MOCVD |
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