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1.
通过对线间电容耦合模型的研究, 提出了一种基于互连线电容耦合的SR锁存电路设计方案. 该方案首先分析互连线间电容耦合关系, 利用MOS管栅极电容模拟互连线电容; 然后利用电容耦合结构与线计算特性, 设计或非逻辑门电路, 在此基础上实现基于互连线电容耦合的SR锁存电路; 最后在TSMC 65nm Spectre环境下仿真验证. 结果表明 所设计的电路逻辑功能正 确, 且具有低硬件开销特性.  相似文献   
2.
采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40~70 ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。  相似文献   
3.
Optics has already proved its meaningful application in information processing and computation, where the parallelism of light is exploited to achieve the desired result. In this communication a novel concept of all-optical memory unit based on phase encoding process is proposed. The unit is simple in architecture comprising phase sifters, mirrors (M′) and two blocks of Erbium doped fiber amplifier. The optical feedback is supported by use of beam splitters and mirrors. It is independent of intensity and therefore requires a small switching power and can work at a bit rate far above 100 Gb/s.  相似文献   
4.
针对纳米级工艺下瞬态故障引发的软错误可能造成电路失效这一问题,提出一种容软错误的流水线电路加固方案.该方案面向软错误的主要诱因——单事件翻转(single event upset,SEU),利用新型的容错结构锁存器(radiation hardened by design latch,RHBDL),构造高可靠性的触发器RHBD-DFF,对电路中原始时序单元进行加固,同时对流水线电路进行了软错率理论分析.考虑到加固所带来的附加开销,采取选择性加固的策略,对电路中的关键时序单元进行加固.实验结果表明,基于开销限制前提的选择性加固,能够达到以低开销代价换取高容错性能的目的.  相似文献   
5.
本文分析了由门级组成的两类锁存器, 并证明了传统的维持阻塞触发器即为由其中单轨输入锁存器设计的主从触发器.由于两个由时钟控制的与非门被主从两部分公用, 因此它的结构特别简单  相似文献   
6.
本文在分析多β晶体管工作原理的基础上,提出了利用多β晶体管结合ECL构成三值开关,并以此为基础设计了三值D型锁存器和三值主从型D触发器.本文还设计了三值全功能触发器,并讨论了三值全功能触发器的逻辑功能及其激励函数,最后应用全功能触发器对时序电路的实例进行了设计,实例设计表明应用该触发器可以简化电路结构,提高电路的工作速度.  相似文献   
7.
针对一般教科书缺乏对基本触发器、单稳态电路及多谐振荡器设计方法的论述问题,从电路存储信号需求出发,研究了基本触发器、单稳态电路及多谐振荡器间的内在联系,发现通过在基本触发器的支路中接入电容,由电容的充放电实现单稳态电路及多谐振荡器,从而提出了基本触发器、单稳态电路及多谐振荡器的统一设计方法,并在课堂上讲授。这不仅有利于学生学习和掌握这3种电路的设计方法,深入理解这3种电路的工作原理,而且可培养学生探索事物本质及其内在联系的能力。  相似文献   
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