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We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter. 相似文献
3.
在半导体光催化剂中,TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点,但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低,而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时,改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行,不符合节能原则。 相似文献
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利用球磨法制备石墨-六角氮化硼微晶混合物,并在6.1 GPa、800~1 500 ℃条件下与水进行高压反应,以便研究用水作触媒合成B-C-N三元化合物的可能性。通过对反应产物的XRD、XPS谱分析发现:高压下随着温度的升高,反应产物中出现再结晶石墨,其晶化程度逐渐提高;但没有出现再结晶六角氮化硼,也未出现立方氮化硼。在球磨不充分条件下,石墨-六角氮化硼混合物的XRD谱没有完全弥散,它们与水高压反应时,能观察到石墨与立方氮化硼分别结晶的现象,但都没有形成B-C-N晶化结构。 相似文献
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9.
制备了Er3 、Yb3 共掺的SiO2-A12O3-PbF2-CdF2系统玻璃,并进行相应的微晶化热处理,研究了氟氧化物微晶玻璃中Er3 离子的上转换发光特性.研究结果表明:原始玻璃经热处理后得到的β-PbF2相氟氧化物微晶玻璃,Er3 和Yb3 所在局域基质声子能量的降低,使微晶玻璃中Er3 上转换发光强度显著提高,而微晶化后Er3 、Yb3 离子局域环境发生变化,导致微晶玻璃中Er3 离子的绿光上转换荧光强度较强,而红光上转换荧光强度相对较弱. 相似文献
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