全文获取类型
收费全文 | 9616篇 |
免费 | 3049篇 |
国内免费 | 4146篇 |
专业分类
化学 | 5355篇 |
晶体学 | 536篇 |
力学 | 1151篇 |
综合类 | 347篇 |
数学 | 1880篇 |
物理学 | 7542篇 |
出版年
2024年 | 70篇 |
2023年 | 288篇 |
2022年 | 339篇 |
2021年 | 344篇 |
2020年 | 290篇 |
2019年 | 331篇 |
2018年 | 246篇 |
2017年 | 339篇 |
2016年 | 441篇 |
2015年 | 436篇 |
2014年 | 924篇 |
2013年 | 656篇 |
2012年 | 671篇 |
2011年 | 777篇 |
2010年 | 726篇 |
2009年 | 732篇 |
2008年 | 987篇 |
2007年 | 748篇 |
2006年 | 754篇 |
2005年 | 699篇 |
2004年 | 702篇 |
2003年 | 626篇 |
2002年 | 532篇 |
2001年 | 525篇 |
2000年 | 446篇 |
1999年 | 392篇 |
1998年 | 345篇 |
1997年 | 352篇 |
1996年 | 336篇 |
1995年 | 298篇 |
1994年 | 302篇 |
1993年 | 218篇 |
1992年 | 225篇 |
1991年 | 206篇 |
1990年 | 201篇 |
1989年 | 172篇 |
1988年 | 42篇 |
1987年 | 43篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 8篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 250 毫秒
1.
2.
以轻烧白云石粉、氯化铵和二氧化碳为原料,在未使用晶型控制剂的情况下,通过蒸氨-沉钙过程制备出了似立方体状碳酸钙。研究了反应温度、溶液中钙离子浓度、通气速率、搅拌速度以及陈化时间对碳酸钙中方解石相含量以及晶体形貌的影响,并探索了沉钙反应的晶型控制机理。结果表明,在反应温度40 ℃、钙离子浓度0.05 mol/L、通碳速率100 mL/min、搅拌速度400 r/min和陈化时间2 h的条件下,制备出形貌规整、粒径分布均匀的似立方体状碳酸钙,平均粒径为5~10 μm。该研究为提升白云石的使用价值、生产高附加价值的碳酸钙产品,以及提高白云石资源的利用率提供理论基础。 相似文献
3.
在石墨烯的化学气相沉积工艺中,铜箔是决定石墨烯薄膜质量的重要因素。传统铜箔由于制备工艺的限制,存在大量的缺陷,导致石墨烯薄膜的成核密度较高。本工作选用抛光铝板、抛光不锈钢板、微晶玻璃和SiO2/Si作为基材,用热蒸镀法制备了不同粗糙度的铜箔,并详细讨论了以该系列铜箔生长高平整度石墨烯薄膜的条件及铜箔对石墨烯薄膜品质的影响。实验结果表明,铜箔以(111)取向为主,与基材分离后,表面具有纳米级平整度。在生长石墨烯后,从SiO2/Si剥离的铜箔成核密度是4种基材中最小的。同时,从SiO2/Si剥离的铜箔晶体结构变化最不明显,具有良好的结晶性,表面几乎不存在铜晶界缺陷。当压强为3 000 Pa,氢气和甲烷流速分别为300 mL/min和0.5 mL/min时,可以获得约1 mm横向尺寸的石墨烯单晶晶畴。 相似文献
4.
通过简单的溶剂热法成功制备出了g-C3N4-W18O49复合光催化剂,采用XRD、SEM、TEM以及PL对所得催化剂的物相结构及形貌和光学性能进行了表征,通过降解甲基橙和光解水产氢实验研究所得催化剂的催化性能及其催化机理.由实验可知,W18O49的含量为50;时所得g-C3N4-W18O49复合光催化剂的降解性能最好,其降解率比纯g-C3N4纳米片提高48;;为进一步研究复合光催化剂的电子-空穴传输机理,我们又进行了光解水制氢实验.结果表明:单一的W18O49无产氢活性,它的复合明显降低了g-C3N4的产氢速率,说明复合结构中光生电子是从g-C3N4传递到了W18O49,表现出明显的Ⅱ型异质结复合特征,而不是部分文献所提出的Z型方式. 相似文献
5.
9.
设计了一种在室温工作的太赫兹热探测器.探测器由片上天线和温度传感器耦合而成.天线由NMOS温度传感器的栅极组成,吸收入射的太赫兹波将其转化为焦耳热,生成的热量引起的温度变化由温度传感器探测.整个探测器的探测过程分为电磁辐射吸收、波-热转换、热-电转换三个过程,并分别进行了建模分析,仿真得到天线吸收率为0.897,热转换效率为165K/W,热电转换效率为1.77mV/K.探测器基于CMOS 0.18μm工艺设计,工艺处理后将硅衬底打薄至300μm.探测器在3THz太赫兹环境下,入射功率为1mW时,电压响应率仿真值为262mV/W,测试值为148.83mV/W. 相似文献