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以4-羟基吲哚为原料,经吲哚环4位乙酰基化、3位亲电取代、酰胺化和还原加氢等反应合成目标化合物7.通过核磁共振氢谱及碳谱对化合物进行结构表征,并对目标化合物进行体外抗氧化生物活性测试.初步生物活性测试结果表明,化合物7a,7b,7c和7d对DPPH·均有很强的清除作用(清除率为85.25%~90.73%),7e,7f,7g,7h作用较差;目标化合物与Vc相比,对·OH的清除作用稍差,最高清除率25.66%(Vc的最高清除率为34.67),但各化合物整体水平相当;在清除O-2·能力上化合物7a,7d,7g,7h最大清除率(分别为19.34,35.35,27.93和31.74)均强于同等浓度的Vc(17.58). 相似文献
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为了提高材料表面的耐磨性和高温抗氧化性,利用激光熔覆技术在Q235钢表面制备了MoFeCrTiW高熵合金涂层,并采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和磨损试验机等研究了Si,Al添加对高熵合金涂层组织、相结构、耐磨性和高温抗氧化性能的影响。结果表明:激光熔覆MoFeCrTiW高熵合金涂层组织为等轴晶,单独添加等物质的量的Si或Al时,涂层分别为共晶组织或树枝晶,同时添加等物质的量的Si和Al时,涂层组织为细小的等轴晶。各高熵合金涂层的主体相均为BCC相,随着Si,Al的添加,BCC相的晶格常数减小。添加等物质的量的Al有助于抑制涂层中金属间化合物的形成,使涂层耐磨性降低;添加等物质的量的Si则会形成含Si的金属间化合物和一些未知相,提高涂层耐磨性。激光熔覆MoFeCrTiW高熵合金涂层在800℃的抗氧化性较高,Si、Al的添加可使涂层的高温抗氧化性进一步提高。 相似文献
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为寻找高效抗氧化剂,本文采用量子化学方法,在"万能抗氧化剂"硫辛酸的结构基础上,设计、研究了16种不同碳链长度、不同成环原子类型、不同成环原子个数的硫辛酸类似物。以X-Y键的解离焓DBE和分子电离势IP为理论指标评价了这些化合物的抗氧化性。研究结果表明,成环原子数目、分子碳链长度、成环原子类型对BDE和IP产生不同程度的影响。其中,成环原子数目、分子碳链长度对抗氧化性影响较小,成环原子类型影响较大。硫辛酸的含硒类似物有可能成为新型的高效抗氧化剂。HOMO能级顺序与IP数值预测的抗氧化性的顺序一致,较好的阐明了结构对硫辛酸类物质抗氧化性的影响。计算结果为新型抗氧化剂的设计、合成提供了理论支撑。 相似文献
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分别在B3LYP/6-31G(d,p)和B3LYP/6-311++G(d,p)水平下,对二氢硫辛酸及可能的解离途径中形成的自由基进行结构优化,采用S—H键解离焓(EBD)和分子的电离势(EIP)为理论指标,探讨了二氢硫辛酸可能的抗氧化性机理,并研究了溶剂(水和苯)效应的影响.结果表明,C(1)上S—H断裂形成的自由基b较易形成;以EBD和EIP为理论指标,可以较好的说明分子的抗氧化性及溶剂效应对抗氧化性的影响.随着溶剂的极性增加,EBD变化较小,而EIP则显著减小,表明溶剂效应对清除自由基的电子转移反应机理影响更大.分子最高占据轨道HOMO能级顺序与EIP数值所预测的抗氧化性顺序一致. 相似文献
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氧化型谷胱甘肽对还原型谷胱甘肽清除自由基的协同作用 总被引:8,自引:1,他引:7
利用分光光度法和基质辅助飞行质谱法研究了谷胱甘肽对1,1-二苯基-2-苦肼基(DPPH)自由基的清除作用.通过比较不同浓度和不同配比的还原型谷胱甘肽(GSH)和氧化型谷胱甘肽(GSSG)以及Na2SeO3混合溶液的自由基清除率,发现GSH/GSSG的配比对自由基清除率有明显影响.当GSH/GSSG的配比大于50∶ 1时,自由基清除率比同浓度的GSH大,且自由基清除率随GSH和GSSG的绝对浓度的增加而明显增加,说明适量的GSSG可协同催化GSH清除自由基过程.质谱测定结果表明: 此协同作用与GSSG 参与自由基清除过程中的自由基反应有关.Na2SeO3对GSH的清除自由基的影响主要是通过与GSH反应生成GSSG来调控GSH/GSSG配比的结果.通过测定和分析一定配比的GSH+GSSG混合溶液与DPPH作用前后的质谱图,提出了少量的GSSG共存下,GSH催化清除DPPH自由基的作用机理. 相似文献
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茶多酚对豆油及菜油抗氧化性的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
天然抗氧化剂茶多酚与合成抗氧化剂BHT比较,在使用量相同的条件下,茶多酚可以明显地延长豆油及菜油的保质期,其抗氧化效果优于BHT。 相似文献
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通过在导电银电子浆料中添加适量的金属锡铟粉末,得到一种新的抗氧化银浆,并采用丝网印刷技术制备银厚膜.探讨了厚膜在自然时效氧化和硫化氢气氛中硫化氧化的过程及机理,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对银厚膜表面的微观形貌和元素成分进行分析.结果表明,含金属锡铟的银厚膜比纯银厚膜具有更好的抗氧化性.热力学分析表明,添加的金属锡铟与氧气、硫化氢反应的Gibbs自由能比纯银的小,更易在厚膜的晶界/孔洞缺陷处发生氧化反应,延缓银的氧化,从而提高银厚膜抗氧化能力. 相似文献