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1.
2.
根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明,伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿,该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子,及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性;阐明了这两类俘获电荷的能阱分布,即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内,而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中.
关键词:
反极性电晕补偿充电法
铁电驻极体
充电电流
热刺激放电 相似文献
3.
总结两个保守映象不可逆地分段连续链接(称为类耗散系统)以及一个保守映象与一个耗散映象不可逆地分段连续链接(称为半耗散系统)情况下得到的五项共同动力学特征:不连续边界象集构成的随机网成为唯一的混沌轨道;由于某些相点具有两个逆象而导致的相空间塌缩(类耗散);由于系统的不连续不可逆性质而出现的胖分形禁区网;在具有吸引子共存时占据不连续边界象集随机网和胖分形禁区网区域的点滴状吸引域以及由此导致的吸引子不可预言性;即使在传统强耗散存在的情况下点滴状吸引域仍由类耗散机制主宰.以一个累积-触发电路为例,说明这五项系统动
关键词:
随机网
禁区网
点滴状吸引域 相似文献
4.
5.
叶增勇 《新疆大学学报(理工版)》2004,21(Z1):21
台湾地处亚热带,具备特殊地形地质,气候变化复杂,森林植被丰富,蕴育各种真菌资源.细胞粘菌广泛分布于自然界中,尤以森林土壤出现之种类最多.有关网柱细胞粘菌(dictyostelid cellular slime molds)生物多样性的调查,自1980年即陆续展开.目前自台湾平地至高山各地区之森林土壤样品中,所分离的网柱细胞粘菌物种多样性共已鉴定出1科3属18种,分别为细长纤管细胞粘菌(Acytostelium leptosomum)、巨大头网柱细胞粘菌(Dictyostelium macrocephalum)、布列菲氏网柱细胞粘菌(D.brefeldianum)、巨网柱细胞粘菌(D.giganteum)、金黄柄网柱细胞粘菌(D.aureo-stipes var.aureo-stipes)、浅紫网柱细胞粘菌(D.lavandulum)、单叉网柱细胞粘菌(D.monochasioides)、多头网柱细胞粘菌(D.polycephalum)、紫色网柱细胞粘菌(D.purpureum)、根足网柱细胞粘菌(D.rhizopodium)、纤细网柱细胞粘菌(D.delicatum)、淡紫柄网柱细胞粘菌(D.coeruleo-stipes)、细小网柱细胞粘菌(D.minutum)、棍棒头网柱细胞粘菌(D.clavatum)、微小型网柱细胞粘菌(D.exiguum)、透明轮生细胞粘菌(Polysphondylium pallidum)、伪纯白轮生细胞粘菌(P.pseudo-candidum)和紫色轮生细胞粘菌(P.violaceum).网柱细胞粘菌生态多样性的探讨,则于2000年10月至2001年8月,在台北阳明山地区鹿角坑生态保护区、小油坑芒草植被、及包箨箭竹林植被设立30个样区,每2个月采集土壤样品一次,结果鹿角坑生态保护区出现6个菌种,在3种植被样区中占最多数,且以8月份各菌种之出现频率最高.网柱细胞粘菌在阳明山出现频率以夏季出现频率较高,冬季出现频率较低.土壤样品之pH值亦影响网柱细胞粘菌在该地区之分布,包箨箭竹植被之土壤样品pH值最低为3.8,该植被区之菌种出现频率最低.透明轮生细胞粘菌(P.pallidum)普遍存在于3种植被样区中,出现频率随季节之变化小,为该地区最广泛分布之种类.此外,将台湾所分离而得的网柱细胞粘菌种类(纯培养菌株),抽取基因体DNA(genomicDNA),以二对引子(primer)从事核醣体DNA(rDNA)片段ITS1-5.8S-ITS2区域增幅作用,经DNA序列定序后,分析探讨台湾网柱细胞粘菌种类之遗传多样性和亲缘关系. 相似文献
6.
脉冲放电等离子体烟气治理技术具有流程简单,一次投资成本低,无二次污染,可同时脱硫脱硝,形成的副产物可回收利用等特点。 相似文献
7.
考虑一个奇异摄动罗宾问题在Bakhvalov-Shishkin网格上的迎风差分策略,得到在改进的Shishkin网格上迎风策略是关于ε一致的一阶L∞模收敛的.数值实验证实了此理论结果,显示估计是稳健的. 相似文献
8.
建立了一套用于产生瞬变物种的脉冲高压放电分子束装置,以N2气为例,对高压脉冲放电过程和整个荧光采集系统的工作效率进行了研究,从N2气的振动光谱中得到其激发态的振动温度为2257K。 相似文献
9.
现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害,因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量,而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子,使得第一壁材料可运行的时间大大缩减;同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以,必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭,并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。 相似文献
10.
研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和H2流量对a-CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底-阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低。用AFM观察了以该方法制得的448.4nm CH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下CH薄膜的UV-VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。 相似文献