全文获取类型
收费全文 | 126篇 |
免费 | 90篇 |
国内免费 | 5篇 |
专业分类
化学 | 4篇 |
晶体学 | 3篇 |
力学 | 2篇 |
综合类 | 1篇 |
物理学 | 211篇 |
出版年
2023年 | 6篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 5篇 |
2019年 | 7篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 16篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 13篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 14篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 24篇 |
2007年 | 13篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 7篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 8篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 2篇 |
1995年 | 5篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 5篇 |
1990年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 2篇 |
排序方式: 共有221条查询结果,搜索用时 140 毫秒
2.
3.
模拟研究了过模矩形波导WR10中n型硅探测芯片对TE10模亚毫米波的响应。针对过模波导WR10中内置n型硅芯片的亚毫米波探测结构,推导了基模工作时的灵敏度表达式。采用三维电磁场时域有限差分方法,模拟计算了过模波导中300~400GHz频带的TE10模亚毫米波与硅芯片的相互作用,分析了探测结构中电压驻波比和芯片内平均电场随硅芯片参数变化的规律。结果表明,在相同的芯片参数下,过模探测结构并不影响电压驻波比和芯片内平均电场的大小,但两者随频率变化的波动程度增大。在300~400GHz工作频带内,优化得到了性能较优的过模探测结构,其电压驻波比不大于2.75(335~380GHz频带内不大于1.8),线性工作区的相对灵敏度约为0.127kW-1,频率响应的波动范围在±20.5%内,最大承受功率约为0.53kW,响应时间为100ps量级,满足亚毫米波大功率脉冲的直接探测需求。 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
基于当前的COB封装LED芯片,分析了芯片的热阻模型,推导出发光结在理想温度下工作时的基板温度。针对大功率LED存在的散热问题,基于课题组双进双出射流冲击水冷散热系统,设计了一种模糊控制器,选取温度变化和温度变化率为控制输入量,并对各控制输入量的范围设定进行了说明。根据设计的控制器进行程序编写,下载到控制芯片中进行实际验证,在20℃环境温度下,芯片基板温度最终维持在35.5~36.5℃之间,保证了灯具正常、稳定工作,为大功率LED散热系统提供了一种控制器设计方案,具有一定的实际意义。 相似文献