ON THE ASYMPTOTIC BEHAVIOUR OF THE STEADY SUPERSONIC FLOWS AT INFINITY

This paper studies the asymptotic behaviour of steady supersonic flow past a piece-wise smooth corner or bend. Under the hypothese that both vertex angle and the total variation of tangent along the boundary are small, it is shown that the solution can be obtained by a modified Glimm scheme, and that the asymptotic behaviour of the solution is determined by the velocity of incoming flow and the limit of the tangent of the boundary at infinity.     

阿尔泰山哈纳斯湖地区的大型真菌

报道了阿尔泰山哈纳斯湖地区大型真菌200种.其中扇形小香菇Lentinellus flabelliformis(Bolt.Fr.)S.Ito为中国新记录种,新疆首次记录种138种.按其经济价值计,有食用菌98种,毒菇为27种,药用菌28种,菌根菌63种,木腐菌49种,抗癌菌30种.并从不同的环境及垂直分布进行了分析研究.     

小长径比垂直管气液两相流动特性分析

实验观察了小长径比垂直上流管内流型及特点,并对管入口处的压力波动特性和系统的压差波动特性进行了试验研究.结果表明:小长径比(L/D)垂直管内流型表现为泡状流、塞状流、乳沫状流、环状流和液束环状流;分别增加管线中的气量、液量,或者同时增加气液流量,均会造成垂直管入口处压力波动的均值和最大压力的增加;压力信号的概率密度(PDF)大部分呈双峰分布,也存在单峰和多峰分布;差压信号的概率密度符合正态分布,其功率谱密度同压力信号相比具有频率波动范围宽、幅值小的特点.     

相空间中相互垂直的相干态迭加态以及相应的双模纠缠态研究

相干态是最接近经典态的量子态，而广泛研究的相干迭加态——如奇偶相干态、Schleich的镜像迭加相干态等——则显示更多非经典效应。另外，双模及多模迭加态，特别是所谓的纠缠态，在量子信息处理如量子隐形传态和量子密码术中扮演重要角色。我们就相空间中相互垂直的相干态的迭加态进行讨论，研究其非经典特性，如光子数统计分布、正交分量压缩效应、Wigner分布函数的负性以及由此引入的非经典判别子。结果表明，这一类相干迭加态在满足某种条件下具有亚泊松光子统计分布和正交分量的压缩效应，并且参数变量在一定范围内这两种非经典效应同时存在；这些迭加态的Wigner分布中存在不同程度的负值区域．并与奇偶相干态做出了比较．计算相廊的Wigner函数积分判别子可以定最地分析其负性的深度。     

拉长截面等离子体垂直位移不稳定性及其动力稳定

本文研究了拉长截面Tokamak上等离子体的垂直位移不稳定性。计算表明,其快速振荡部分由周围导体中感生的涡流稳定;其慢速漂移部分则需由主动稳定系统予以控制。本文提出一种动力稳定的方法。它在物理上是可行的,并具有技术上简单、较低的功率要求及有利的频率效应等优点。这些说明,这种动力控制方法是一种有吸引力的控制垂直位移不稳定性的手段。     

理论研究电流注入对垂直腔面发射激光器多横模行为的影响

从包含时空变量的速率方程出发,针对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(VCSELs),利用空间积分法分析了典型电注入参数对VCSELs多横模行为的影响,在不降低模型准确性的前提下提高了仿真效率。仿真结果表明,注入盘孔径和注入环越小、注入强度越低以及电流扩散越弱时,VCSELs更易实现单横模工作;反之,VCSELs高阶横模开始出现并呈现较强的模式竞争,引发了载流子空间烧孔效应,并导致基模强度降低。进一步得出,在环形注入方式下,高阶模式更容易出现且彼此间的竞争较盘形注入时强。     

场效应管并联作为托卡马克垂直场反馈系统调节器的研究

一、引 言 利用垂直场反馈控制等离子体位移是所有托卡马克装置运行的重要组成部分。对于中小型的托卡马克装置,人们曾倾向于用大功率晶闸管作反馈系统的调节器。它所遇到的主要困难有:第一需要有一个较大功率的中频电源。无论是中频发电机或者是逆变器都需要有较大的投资。另一方面受到中频电源的频率及晶闸管的关断时间的限制使反馈系统的时间响     

高反射率p-GaN欧姆接触电极

根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。     

SSCH3光解离的多参考理论计算

摘要运用多参考微扰理论(Multireference MΦller-Plesset theory)计算了SSCH3垂直激发能及其S-C与S-S两种断键方式的绝热(Adiabatic)与非绝热(Diabatic)的基态和激发态势能曲线, 研究了在193nm激光作用下SSCH3的光解离过程, 理论计算值与实验值相符.