全文获取类型
收费全文 | 13870篇 |
免费 | 5671篇 |
国内免费 | 6922篇 |
专业分类
化学 | 7926篇 |
晶体学 | 457篇 |
力学 | 843篇 |
综合类 | 707篇 |
数学 | 5403篇 |
物理学 | 11127篇 |
出版年
2024年 | 127篇 |
2023年 | 432篇 |
2022年 | 486篇 |
2021年 | 475篇 |
2020年 | 384篇 |
2019年 | 454篇 |
2018年 | 403篇 |
2017年 | 522篇 |
2016年 | 564篇 |
2015年 | 691篇 |
2014年 | 1254篇 |
2013年 | 1118篇 |
2012年 | 1111篇 |
2011年 | 1236篇 |
2010年 | 1195篇 |
2009年 | 1251篇 |
2008年 | 1348篇 |
2007年 | 1163篇 |
2006年 | 1136篇 |
2005年 | 1058篇 |
2004年 | 1059篇 |
2003年 | 998篇 |
2002年 | 972篇 |
2001年 | 1000篇 |
2000年 | 798篇 |
1999年 | 610篇 |
1998年 | 588篇 |
1997年 | 575篇 |
1996年 | 496篇 |
1995年 | 458篇 |
1994年 | 462篇 |
1993年 | 417篇 |
1992年 | 391篇 |
1991年 | 348篇 |
1990年 | 326篇 |
1989年 | 299篇 |
1988年 | 59篇 |
1987年 | 66篇 |
1986年 | 43篇 |
1985年 | 31篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 18篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 2篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 203 毫秒
1.
2.
数学学习有别于其他学科的学习,使得数学阅读也有其独特性,它需要阅读者有较强的数学思维能力,在数学阅读过程中,学生不仅要知道数学概念、规则等的自然语言,也要知道它的数学语言所表达的含义,还要理清它的结构、数学思想、积累的经验. 相似文献
3.
通过引入参数,构造了一个全平面上的、含双曲函数的非齐次核函数。利用正切函数的有理分式展开,建立了最佳常数因子与正切函数高阶导数相关联的Hilbert型积分不等式。 作为应用,通过赋予参数不同的值,建立了一些有意义的特殊结果。 相似文献
4.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。 相似文献
5.
UJ24型电位差计使用时出现的故障,可以利用数字万用表排查故障,提出排查方案,进行维修与调节,使它尽快恢复到最佳工作状态,这样既节省厂家的维修时间又节省学校的维修费用。 相似文献
6.
吸附法是去除水中重金属离子的重要方法,开发新型吸附剂一直是研究热点.利用浸渍法和水热法制备了片状和无定形的纳米CeO2吸附剂,探讨其对六价铬的吸附性能,分析pH、吸附时间、六价铬初始浓度等因素对其吸附性能的影响,并通过循环吸附实验考察纳米CeO2吸附剂的再生能力.结果表明:厚度30 nm、直径大小约为400 nm的片状CeO2吸附剂具有更强的吸附能力和更快的吸附速率,80 min时基本达到吸附平衡;两种吸附剂的最佳吸附pH为3;吸附动力学均符合伪二级动力学方程,Langmuir模型和Freundlich模型均能很好地拟合等温吸附过程,表明纳米CeO2对六价铬的吸附以单层吸附为主.片状CeO2四次吸附-解吸实验之后吸附率稍有下降,表明片状CeO2吸附剂有较好的再生能力,因而,该片状CeO2吸附剂适用于与酸性Cr(Ⅵ)废水的处理. 相似文献
7.
8.
兰军 《数学物理学报(A辑)》2022,(2):463-469
采用变分方法证明了一类带反周期边界条件的二阶Duffing方程解的存在性和多重性. 相似文献
9.
在本工作中,我们成功制备了层状过渡金属磷族化合物BaMnBi2单晶样品,并研究了该化合物的磁学性质和电学输运性质.准二维化合物BaMnBi2具有四方晶体结构,主要包含有两个Bi四方格子层和一个共边的MnBi4四面体层.磁化率显示BaMnBi2在TN =288 K以下发生反铁磁相变,并表现出很强的磁各向异性.在反铁磁相变温度TN 以上,磁化率随温度呈线性关系,暗示体系在顺磁态具有很强的反铁磁关联.电阻率随温度变化曲线和在磁场下电阻率随角度的变化曲线都表明BaMnBi2具有准二维的电子结构.磁场导致的金属-绝缘体转变和低温下大的非饱和线性磁阻,与Bi四方格子层存在狄拉克费米子是一致的. 相似文献
10.
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,本文研究了高压对β-InSe弹性常数、机械性能和电子结构的影响.在0~20 GPa范围内,随着压力的增大,β-InSe的晶格常数、晶胞体积逐渐减小,结构参数a/a_0、c/c_0、V/V_0单调减小.在0~12 GPa范围内,弹性模量G、E、B和泊松比v随着压力增大而增大,在16 GPa时大幅减小,G、E、B分别减小了34.9%、53.3%、82.9%.随着压力增大,Se-In和In-In原子之间的电荷密度增大,Se-In原子之间的共价键增强,层间距减小.而且,β-InSe在20 GPa时带隙消失,发生了半导体向半金属的相变. 相似文献