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1.
《义务教育数学课程标准(2011年版)》(以下简称《课标》)指出,数学教学活动,特别是课堂教学应激发学生兴趣,调动学生积极性,引发学生的数学思考,鼓励学生的创造性思维.这就要求教师在设计教学环节时,以学生经验为逻辑起点,以学生经验生长为目的,重视学生的多感官参与,拒绝单一的听中学,创设环节帮助学生体悟学习过程,关注学生的学习过程,具身学习正是通过身体的感觉运动系统与周围环境的互动,促使学习者的认知、心理和情感水平发生变化,为我们提供了一个引导学生学习方式转型的新视角。  相似文献   
2.
孙红 《中学数学》2015,(8):92-93
一、原题呈现例1(1)如图1,若BC=6,AC=4,∠C=60°,求△ABC的面积;(2)如图2,若BC=a,AC=b,∠C=α,求△ABC的面积;(3)如图3,在四边形ABCD中,若AC=m,BD=n,对角线AC、BD交于O点,它们所成的锐角为β,求四边形ABCD的面积.说明:这是《中学数学》(下)2014年第8期文1给出的一道关于三角函数方面的复习题.评析:本题源自高中课本,主要目的是引导学生经历从特殊到一般的过程去探索并发现三角形的面积公  相似文献   
3.
陈颖  李美洁  赵蒙  王建坤 《物理学报》2022,(10):413-421
基于全介质超构材料独特的电磁属性,提出了一种晶格扰动介质纳米孔阵列超构表面来激发近红外区域的多重Fano共振.结合群论深入探究了该超构表面在其原胞为方形晶格构型与方形晶格对称性被破坏两情况下多重Fano共振的形成机理及演变规律.研究表明,在方形晶格超构表面中,外部辐射连续体分别与由正入射平面波直接激发的双重简并模式共振干涉形成双重Fano共振,且该共振与原胞中是否含孔及孔的形状无关,在晶格扰动超构表面中,原本不耦合的非简并模式由正入射平面波激发出来并与外部辐射连续体干涉形成Q值更高的三重Fano共振.进一步探讨了正入射平面波的xy极化方向对上述五重Fano共振的影响,结果表明,双重简并模式Fano共振偏振无关,三重非简并模式Fano共振偏振依赖.本文将为利用方形晶格构型的超构表面实现多重Fano共振的激发及演变提供有效的理论参考.  相似文献   
4.
5.
孟现柱 《中国光学》2020,(2):381-395
为了研究史密斯-帕塞尔自由电子激光的输出频率和光栅槽深、光栅槽长、光栅槽宽的关系,对于基于矩形光栅的史密斯-帕塞尔自由电子激光利用粒子模拟软件进行模拟和理论分析。首先,利用粒子模拟软件模拟对于基于矩形光栅的史密斯-帕塞尔自由电子激光进行了研究,发现史密斯-帕塞尔自由电子激光的输出频率随光栅槽深、光栅槽长、光栅槽宽的增大而减少。接着,对史密斯-帕塞尔自由电子激光的光栅槽进行了理论分析,发现每个光栅槽都可以等效为一个LC谐振电路,并发现在史密斯-帕塞尔自由电子激光中存在两种辐射,一种是史密斯-帕塞尔辐射,另一种是LC振荡辐射。最后,对光栅槽的LC振荡辐射进行了估算,发现史密斯-帕塞尔自由电子激光输出频率的模拟值与光栅槽的LC振荡辐射估算值的数量级均为102 GHz,且变化规律上一致。据此推测决定史密斯-帕塞尔自由电子激光输出频率的应该是光栅槽,而不是谐振腔。  相似文献   
6.
电路过渡过程所列方程是微分方程,本文中采用的是方框图模型分析法,即将微分方程的复杂示解分解成最基本的加(减)、乘(除)、积分(微分)、增益等运算,采用VB设计用户界面产进行计算,并给出了一算例。  相似文献   
7.
间歇式高速同步相机新型全数字化微机控制系统   总被引:2,自引:2,他引:0  
曹剑中  高伟 《光子学报》1997,26(11):1050-1054
本文提出了一种间歇式高速同步相机的全新设计方法,介绍了系统的工作原理,硬件,软件设计以及核心控制算法,最后给出了实际应用结果。  相似文献   
8.
虚拟RLC电参量测试仪   总被引:1,自引:1,他引:0  
郑纹 《物理实验》2006,26(4):31-33
虚拟仪器在测试测量领域、自动控制和工业控制领域有着广泛的应用.为提高本科生普通物理实验训练的起点,北京大学基础物理实验中心将虚拟仪器引入到物理实验教学中.本文以虚拟RLC电参量的测量为例,介绍了虚拟仪器在物理实验中的具体应用.  相似文献   
9.
对纯电感电路,中等职业学校教材是这样分析“uL=-eL”:电路图如图1所示,假定通过线圈的电流是按初相等于零的正弦交流电,即i=Im sinωt,它将产生自感电动势eL,根据图1所假定的电压uL、小自感电动势eL、电流i的正方向,运用基尔霍夫回路电压定律,沿回路顺时针(或逆时针)方向绕行一周,  相似文献   
10.
宋李梅  李桦  杜寰  夏洋 《发光学报》2006,27(5):822-826
提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高压CMOS器件与0.8μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响。  相似文献   
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