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氮化铝薄膜的光学性能 总被引:5,自引:4,他引:1
分别使用X衍射仪和紫外(190 nm~800 nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10 k~293 k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致. 相似文献
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本文研究的问题是确定f(p,B)的值,也就是给定顶点数p和带宽B,求满足最大度不超过B的连通图的最小边数,本文给出了一些f(p,B)的值及相应极图。 相似文献
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本文阐述了伺服系统结构设计中估算系统固有频率的必要性,介绍了一种分析和计算经纬仪方位伺服系统扭转振动固有频率的方法。 相似文献
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本文对遥测NQR谱中的偏离共振效应作了较详细地研究,发现14N谱线的强度随偏离共振效应而变化。当偏离共振强度与射频场强度接近时,测得的谱线强度最大。该效应可用来增强14N遥测NQR谱仪的灵敏度。上述实验现象在理论上采用脉冲的激发带宽方法作了解释和讨论。 相似文献