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用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
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光电子技术在205所40年的发展 总被引:1,自引:0,他引:1
扼要介绍205所自1962年以来在各个发展阶段的主要技术定向及科研任务。着重论述光电子系统总体技术、微光夜视技术、光纤技术及光电计量测试技术的发展状况、研究成果及应用前景.阐述205所在我国光学领域各个主要方面所处的领先地位及科研能力,分析、论证光电子技术在现代兵器中的重要作用及205所在新形势下的努力方向和发展前景。 相似文献
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