硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究

低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料，是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一，有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布，纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。     

赤道不是轨道弧的n次多项式向量场的Poincaré紧化场之拓扑结构

本文证明了赤道不是轨道弧的n次多项式向量场的Poincare紧化场之拓扑结构包含赤道是轨道弧的n-1次多项式向量场的Poincare紧化场之拓扑结构;当n=2时,这种包含关系是相等的,且其Poincare紧化场有五种不同的拓扑结构;当n=2k+1(k=1,2…)时,这种包含关系是真子集。     

具Hardy-Sobolev临界指数的奇异椭圆方程多解的存在性

运用变分方法研究了下面问题-Δpu=μupx(s)s-2u f(x,u),x∈Ω,u=0,x∈Ω,多重解的存在性,其中Ω是一个具有光滑边界的有界区域.     

Locale的仿紧完全正则反射

1972年, Isbell利用locale中由正规覆盖构成的一致结构的完备化, 证明了仿紧完全正则locale范畴是locale范畴的满反射子范畴. 本文通过在locale的补零元理想格上做核映射的方法, 给出locale的仿紧完全正则反射的明确构造, 并证明locale的仿紧完全正则反射是locale的 Stone-Čech紧化的子locale.     

从 ${\cal B}^0$ 到 $E(p,q)$ 和 $E_0(p,q)$ 空间的复合算子

设 $\varphi$ 是单位园盘 $D$ 到自身的解析映射, $X$ 是 $D$ 上解析函数的 Banach 空间, 对 $f\in X$, 定义复合算子$C_\varphi $ : $C_\varphi (f)=f\circ \varphi$. 我们利用从 ${\cal B}^0$到 $E(p,q)$ 和 $E_0(p,q)$ 空间的复合算子研究了空间 $E(p,q)$ 和 $E_0(p,q)$, 给出了一个新的特征.     

一类拟线性椭圆方程边值问题弱解的研究

本文应用上、下解方法和 Leray-Schauder不动点定理 ,证明了一类拟线性椭圆方程边值问题弱解的存在性 ,并且给出了一个应用实例     

A Compact Magnetically Insulated Line Oscillator with New-Type Beam Dump

We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results.     

遗传中紧空间与散射分解

本文证明了可数仿紧(中紧、亚紧)空间有类似Junnila的刻画，遗传中紧空间不具有类似Junnila的刻画，并给出了每个散射分解有紧有限的开膨胀的充要条件．     

Banach空间非线性混合型微分-积分方程整体解的存在性和唯一解

研究了Banach空间中非线性混合型微分-积分方程初值问题u′=f(t,u,Tu,Su),u(0)=x0的整体解,完全没有要求f的任何增性,利用Mnch不动点定理和比较结果得到了初值问题整体解的存在性和唯一解,并且给出了一致收敛于唯一解的迭代序列,改进推广和统一了已有的许多结果.