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Comparative study on transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires: Calculated based on first principles 下载免费PDF全文
According to the one-dimensional quantum state distribution, carrier scattering, and fixed range hopping model, the structural stability and electron transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires(N-SiCNWs, P-SiCNWs, and As-SiCNWs) are simulated by using the first principles calculations. The results show that the lattice structure of NSiCNWs is the most stable in the lattice structures of the above three kinds of doped SiCNWs. At room temperature,for unpassivated SiCNWs, the doping effect of P and As are better than that of N. After passivation, the conductivities of all doped SiCNWs increase by approximately two orders of magnitude. The N-SiCNW has the lowest conductivity. In addition, the N-, P-, As-doped SiCNWs before and after passivation have the same conductivity–temperature characteristics,that is, above room temperature, the conductivity values of the doped SiCNWs all increase with temperature increasing.These results contribute to the electronic application of nanodevices. 相似文献
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本文首先对Rn中连续映象讨论了af(a≠0)与f的Brouwer度之间的关系,得到了Brou-wer度的几个等式,顺便推出几个不动点定理.在此基础上研究了投影完备的实Banach空间中A-proper映象f与af的广义拓扑度之间的联系.作为应用,推广了关于P1紧映象的Altman不动点定理. 相似文献
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本文研究具有随机开参数集的随机场构造,获得了具有已知有穷维分布的随机场存在和唯一性条件。 相似文献
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