有机硅改性双酚A型环氧树脂研究

采用二氯二甲基硅烷 (DMS) ,或DMS与α ,ω 二氯聚二甲基硅氧烷 (DPS)的混合物来改性双酚A型环氧树脂 ,通过对固化物的冲击强度、拉伸强度、断裂伸长率和玻璃化转变温度 (Tg)的测定 ,探讨了改性方法、有机硅组成与含量等对材料性能的影响 .结果表明 ,用 5 7phr的DMS改性时 ,树脂固化物的冲击强度达2 0 2kJ m2 ,拉伸强度达 6 7 0MPa ,断裂伸长率达 11 2 9% ,Tg 达 16 8 0℃ ;分别比未改性时提高了 9 4kJ m2 ,2 1 1MPa ,5 4 %以及 32 6℃ .而用 0 7phrDMS +10phrDPS共同改性时 ,除Tg 和拉伸强度略有上升外 ,冲击强度达到了 31 6kJ m2 ,断裂伸长率达到 81 6 % ,分别比纯环氧提高了 2 0 8kJ m2 和 75 7% .     

蒙脱土硅氧烷双重改性水性聚氨酯

蒙脱土硅氧烷双重改性水性聚氨酯;水性聚氨酯;蒙脱土;硅烷偶联剂;乳液     

有机硅蒙脱土复合改性水性聚氨酯的研究

采用插层聚合制备了改性的水性聚氨酯乳液。X射线研究表明,蒙脱土以层间距5．19nm分散在水性聚氨酯基体中。硅烷和蒙脱土改性水性聚氨酯具有性能互补的效果,当有机蒙脱土和有机硅烷的质量分数分别为O．01及O．02时,聚氨酯乳液涂膜的拉伸强度和断裂伸长率比未改性时分别提高了70％、18％,吸水率降低了49％。     

国产SiC衬底上利用AIN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜

采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜.通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的...     

毛细管电色谱手性分离进展

 :比较全面地评述了毛细管电色谱(CEC)在手性拆分领域中的应用和发展,包括CEC的不同操作模式、手性试剂和手性固定相。92篇。     

不确定Lur'e系统的鲁棒脉冲饱和镇定

对一类参数不确定的Lur'e系统,提出了具有饱和执行器的脉冲镇定问题.将饱和非线性项表示为有限个线性函数的凸组合,运用与脉冲时间序列关联的时变Lyapunov函数,建立了具有饱和脉冲输入的不确定Lur'e系统指数稳定性的判据,并获得了零解吸引域的估计.然后,基于线性矩阵不等式,给出了脉冲饱和控制器存在的条件,同时给出了求解最大吸引域估计的凸优化问题.最后,数值实例验证了所提出方法的有效性.     

含氯硅烷/聚硅氧烷改性环氧树脂

含氯硅烷/聚硅氧烷改性环氧树脂;环氧树脂;α;ω-二氯聚二甲基硅氧烷;一氯三甲基硅烷;二氯二甲基硅烷;电子封装     

阻抑动力学分光光度法测定痕量镉

基于在盐酸介质中,镉(Ⅱ)对溴酸钾氧化甲基蓝褪色反应有显著的阻抑作用,建立了测定痕量镉(Ⅱ)的动力学方法.以604nm为测定波长,镉(Ⅱ)在0.01-1.7μg·mL-1内呈线性关系,检出限为5.6×10-3μg·mL-1.测定了动力学参数,该阻抑反应为一级反应,表观反应速率常数为1.58×10-3s-1,活化能为67.89kJ·mol-1.方法用于环境水样中痕量镉(Ⅱ)的测定,相对标准偏差为4.35％,回收率为96.1％-99.0％.