国产SiC衬底上利用AIN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜

采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜.通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的...     

一道斜抛习题的多种解法比较

很多同行认为一题多解是多此一举,浪费时间,反正考试时只要答对就能得分。其实不然,物理教学不只是向学生传授知识,更重要的是教会学生科学的思维和科学的方法,培养学生的创造力。这不仅有利于学生分析复杂的、综合性强的物理问题,增加解题准确度、加快解题速度、优化解题方法,     

有关地球模型问题的探讨

在高中物理教学中,关于万有引力、重力和向心力之间的关系是一个难点。很多教师在运用地球模型讲解此问题时,由于教材涉及此内容过少,教辅的一些观点欠妥,加上本身对模型分析的不够,多采用回避的态度,给学生的学习带来一定困惑。本文就将对其中几个问题进行深入探讨。     

具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性

研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光致发光(PL)谱均出现了双发光峰。我们认为这两个 峰分别来自于量子点和量子阱,且存在着载流子从阱向点转移的输运机制。最后变温PL积分强度的Arrhenius 拟合表明,SL插入结构并没有在MQW中引入新的缺陷,使其发光效率下降。