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利用微波对基于poly(3-hexylthiophene) (P3HT)和 -phenyl-C61-buytyric acid methyl ester (PCBM) 的体异质结太阳能电池进行退火处理,提高了器件的效率。使用的微波频率为2.45 GHz,当处理时间为10 min时,获得的短路电流为9.13 mA/cm2,开路电压为0.63 V,能量转化效率为3.21%,其性能参数完全可以与普通真空干燥箱退火相比拟。研究了微波对活性层的作用,从微波退火处理后的UV-Vis吸收谱和SEM图发现,微波退火主要改善了活性层的粗糙度,提高了相分离程度,有利于激子在界面处的解离和载流子的传输。 相似文献
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采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Liq/Al有机电致发光器件的最优掺杂比例为MEH-PPV∶TBPe=100∶30(质量比),其发光亮度相比于未掺杂器件提高了44%。在上述器件的基础上增加Alq3层提高电子注入,分别制作了Liq和LiF作为修饰层的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/Liq/Al和ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/LiF/Al多层器件,发光亮度分别达到4 162 cd/m2和4 701 cd/m2。所有器件的电致发光波长均为580 nm,为MEH-PPV的发光,TBPe的掺杂对MEH-PPV的发光起到了增强作用。 相似文献
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制备了一类以苯甲酰水杨酸 (BenzoylSalicylicAcid ,BSA)为第一配体 ,邻菲罗啉 (phenanthroline ,phen)为第二配体的共掺杂稀土铕镧配合物La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen。用其作为发光层材料制作了电致发光器件 :ITO/PVK :La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al。讨论并证明了稀土La3 与Eu3 之间存在F rster能量传递。同时将该器件与器件ITO/PVK :Eu(BSA) 3 phen/Alq/Al和ITO/PVK :Tb0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al的发光进行了比较。表明该器件具有单色性好 ,整流性好的特性 ,同时得到了最大亮度为 10 2尼特的红光 相似文献
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两种铽配合物与PVK混合体系的发光机理研究 总被引:4,自引:2,他引:2
研究了稀土配合物Tb(p-MBA)3phen(样品Ⅰ)和Tb(p-ClBA)3phen(样品Ⅱ)与导电聚合物材料PVK掺杂体系的光致发光和电致发光特性。发现在样品Ⅰ与PVK混合薄膜的光致发光中,除了三价铽离子的发光外,还能看到明显的PVK的发光;而在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,只能看到Tb3+的绿光发射。对样品Ⅱ与PVK的混合发光层,无论其光致发光谱还是电致发光谱,都没有看到410 nm处PVK的发射。进一步测量两种材料的激发光谱,初步探讨了器件的发光机理。样品Ⅰ的发光可能来源于两个方面,一是PVK到稀土配合物的不完全的能量传递,二是由于载流子俘获机理;样品Ⅱ的发光则是由于PVK到稀土配合物的完全的能量传递。 相似文献
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苯甲酰水杨酸铽与PVK混合体系的发光特性 总被引:5,自引:6,他引:5
合成了一类以苯甲酰水杨酸(benzoyl salicylic acid,BSA)为第一配体,邻菲罗啉(1,10-phenanthroline,Phen)为第二配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO/PVK:Tb(BSA)3phen/PBD/Alq/LiF/Al电致发光器件,并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,实验数据表明在PVK与Tb(BSA)3phen之间存在着Forster能量传递,该配合物具有很好的光致发光和电致发光性能。本文同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。 相似文献
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采用新合成的有机材料-硅烷衍生物作为发光物质制备了发蓝、绿光的薄膜电致发光器件。其结构为glass/ITO/PVK SiH/Alq/Mg:Ag。分别测量了SCS-SiH,聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的光致发光光谱以及器件的电致发光光谱。其中SCS-SiH薄膜的光致发光谱峰位置在496nm,有机器件的电致发光光谱的峰值为500nm。随着驱动电压的增加发光谱峰蓝移,其变化范围为25nm。在电流密度为89mA/cm^2下器件的发光亮度可达810cd/m^2。 相似文献