掺Perylene的PVK薄膜荧光谱及发光机理

用高荧光效率的有机染料芘(perylene)掺杂聚乙烯咔唑(PVK),其荧光光谱与芘的发射光谱基本一致,而且亮度比纯芘发光提高十多倍,说明发光主要来自芘分子,并在PVK和perylene之间存在十分有效的能量传递或电荷转移过程,荧光谱强度随掺杂浓度的变化关系说明存在一个最佳的掺杂浓度比.分析PVK和perylene之间可能发生的能量转移过程,认为从PVK到perylene这种能量转移与实验不符;分析PVK和perylene薄膜的光致发光过程,认为从(PVK+)→(perylene+)和从(PVK-)→(p     

载流子迁移率对单层有机发光二极管复合效率的影响

建立了在单层有机发光二极管中电场强度不太大(E≤104Vcm)的情况下,载流子注入、传输和复合的理论模型.通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函数关系式以及电流密度随电压变化关系,给出了电流密度以及器件的复合效率在不同的载流子迁移率情况下随电压变化关系图像.结果表明,复合效率受载流子迁移率影响较大,在器件中多数载流子应具有较低的迁移率,而少数载流子应具有较高的迁移率,这样有利于载流子的注入和传输,从而可提高发光效率.并且得出当空穴迁移率大于电子迁移率时,复合区域偏向阴极,反之亦 关键词： 单层有机发光二极管 复合效率 迁移率     

有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响

建立了双层有机发光二极管中载流子在有机层界面复合的无序跳跃理论模型.由于有机分子材料的空间及能带结构的无序性，采用刚体模型处理有机层界面问题是不恰当的，而采用无序跳跃模型比较合理.复合效率及复合电流由载流子跳跃距离、有机层界面的有效势垒高度及该界面处的电场强度分布所决定：在双层器件ITO/α-NPD/Alq₃/Al中，当所加电压小于19.5V时，复合效率随着载流子跳跃距离的增加而增加，而大于19.5V时，复合效率随着其距离的增加而减少；复合效率随着有机层界面有效势垒高度的增加而增加； 关键词： 有机层界面 双层有机发光二极管 复合效率 有效势垒高度 无序跳跃模型     

掺杂PVK薄膜的荧光谱及电荷转移

根据PVK掺杂后荧光谱的变化，说明掺杂PVK薄膜的电致发光存在着从基质分子向掺杂分子的能量传递，用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量进行数值求解，结果表明：在PVK和杂质分子之间有效的能量传递是源于它僮之间的电荷转移，且随着杂质浓度的变化，其荧光谱峰位的移动与掺杂前后系统总能量的改变及荧光谱强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系。该模型较好地解释了有关的实验结果。     

多孔硅的表面碳膜钝化

报道对多孔硅（ＰＳ）进行碳膜（ＣＦ）钝化处理的结果。红外吸收光谱表明,经钝化处理样品的表面由Ｓｉ－Ｃ、Ｓｉ－Ｎ和Ｓｉ－Ｏ键所覆盖;荧光我谱表明,经钝化处理的样品较未处理的样品发光强度提高４￣４．５倍,且发光峰位明显蓝移;存放实验显示,经钝化处理的样品发光强度稳定、发光峰位不变。这些结果表明正丁胺可以在多孔硅表面形成优良的钝化碳膜,是一种十分有效的多孔硅后处理途径。     

多孔硅表面钝化对其发光性能的影响

报道多孔硅（PS）的表面钝化对其光致发光（PL）和电致发光（EL）的影响。PL和EL谱表明,经钝化处理的PS的PL和EL强度明显增强,且发光峰位较大蓝移;存放实验表明,经钝化处理的PS的PL和EL发光强度和发光峰位具有较好的稳定性;I～V曲线显示,经钝化处理的PS发光器件具有较低的启动电压。这些结果表明：用钝化处理的方法是提高PS的PL和EL强度和稳定性及改善其器件性能的有效途径。     

5,6,11,12-四苯基四苯并掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的荧光谱及发光机理

用高荧光染料的5，6，11，12－四苯基四苯并对8－羟基喹啉铝进行掺杂，测量其光致发光和电致发光谱。结果表明：在低掺杂时，主发光体是Alq，掺入的Rubrene作为客发光体只是在Alq带隙中引入了分立能级；随着掺入的Rubrene浓度增加，Rubrene成了主发光体，Alq变成了客发光体，出现了发光体的互换现象。由于Rubrene的吸收光谱与Alq的发射谱重叠较大，在光致发光中存在从Alq向Rubrene的能量传递和电荷转移过程，而电致发光则是由于Rubrene导带中电子浓度远大于注入到Alq导带中电子浓度，造成Rubrene导带电子与价带空穴复合的几率比Alq中的复合几率大得多，其EL主要是Rubrene的发光。     

温度和电压对双层有机发光二极管复合效率的影响

提出了双层有机电致发光二极管ITO/PPV/PBD/Ca复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响：在电压为6～7.5 V时,复合效率随温度变化出现两个峰值,但随着电压升高,两峰值相互靠拢,当电压达到9 V时,峰值位置重叠,我们认为这一现象除了浅缺陷能级和深缺陷能级贡献的结果以外,还由于复合区域发生变化引起的。该模型较好地解释了有关实验现象。     

输运层厚度对双层有机器件复合发光的影响

采用ITO/PVK/Alq/Al双层电致发光（EL）结构,制备了三种载流子输运层厚度分别为30、60、120nm,发光层厚度均为300nm的有机薄膜EL器件,测试其EL谱及J-V特性曲线。根据有机EL器件中载流子的产生和输运过程导出了载流子复合几率及电子和空穴密度分布表示式,用以解释其发光强度随输运层厚度的变化关系,用一维无序结构载流子随机跃迁模型讨论输运层厚度对器件电流密度及启动电压的影响,探讨了载流子在薄膜中的输运过程,其理论与实验符合得很好。     

聚合物发光器件中激子的解离与复合效率

对聚合物发光器件中极化子激子的形成与解离过程进行了详细探讨,提出了极化子激子解离的理论模型及解离概率的解析式,分析了激子解离后正、负极化子的输运过程,认为是极化子的链间跃迁实现了聚合物的电导,计算并讨论了内量子效率随外加电场、温度及杂质浓度的变化关系.该模型较好地解释了有关实验现象. 关键词： 聚合物发光器件 极化子激子 激子解离 内量子效率