首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  免费   6篇
  国内免费   2篇
晶体学   3篇
力学   3篇
物理学   8篇
  2013年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   2篇
  2006年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   3篇
  2003年   2篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 171 毫秒
1.
胡德贵  王增梅 《实验力学》1994,9(4):332-337
本文介绍了在重水反应堆中进行应变测量的若干技术成果,主要是较好地解决了用在核辐射条件下,有水流冲刷的环境中的应用变计的粘贴与防护技术。在具有核辐射的环境中测试,通常选用聚酰亚胺胶作粘结剂。但是这种胶需在高温条件下固化,如果被测构件较大,是无法实现的。经测试筛选出具有防水防辐射性能的常温固化胶,并介绍了可用航空导线替代具有抗辐射性能的铠装电缆在堆内进行测量问题。采用有关措施后,经标定,在核辐射前后应  相似文献   
2.
Sr3NbGa3Si2O14压电晶体旋光性质的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
本文测定了紫外、可见光区新型压电晶体-Sr3NbGa3Si2O14(SNGS) 的透过率,并利用一种新方法即通过测量晶体在平行偏振系统中的透过率谱研究了其旋光性,且拟合出旋光色散曲线.此晶体属左旋单轴晶体,旋光非常大,其旋光率ρ在513nm处达到43.69°/mm.  相似文献   
3.
La3Ga5SiO14晶体压电系数的温度特性   总被引:2,自引:2,他引:0  
测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30~300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高.  相似文献   
4.
分析了俄罗斯的Q开关LiNbO3晶体的成分,这种开关用在Nd∶YAG激光测距仪上,能够在温度-50~50℃范围内稳定工作.通过测量紫外吸收边的位置、红外振动光谱、晶格常数和居里温度的方法,测出晶体中的锂铌比([Li]/[Nb])为49.02/50.98.分析认为晶体中的锂铌比是影响LiNbO3晶体Q开关温度稳定性的主要因素.  相似文献   
5.
可变孔径超高真空盒系电子对撞机实施同步辐射装置扩建工程的关键部件。本文给出了不同孔径变化的8-环型波纹管在超高真空状态下电测应力实验结果。本实验选用了七个截面,布片较多,测出了不同截面的应力分布规律。同时,测出了装配应力对结构的影响。该测试结果为改进设计正式投入生产提供了可靠的科学依据。  相似文献   
6.
利用X射线粉末衍射确定了Tm3+掺杂硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体的晶体结构;运用DICVOL91程序计算了该晶体不同部位的晶胞参数;测定了Tm:LGS晶体的室温吸收谱和470nm光激发下的发射光谱;根据Judd-Ofelt理论拟合了Tm3+的三个晶场调节参数Ωt(t=2,4,6),分别为2.694×10-20cm2,1.842×10-20cm2,0.030×10-20cm2;计算了各个能级跃迁的谱线强度、振子强度、吸收截面等,进而计算了3H43F4态的自发跃迁概率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面,并对结果进行了分析. 关键词: Tm:LGS晶体 吸收谱 Judd-Ofelt理论 光谱参数  相似文献   
7.
La3Ga5SiO14晶体的介电性质、弹性与压电性质   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
研究了La3Ga5SiO14晶体的介电性质、弹性和压电性质,其中弹性和压电性质是利用高频振动模式通过谐振法测定的. 关键词: 介电性质 弹性 压电性质  相似文献   
8.
为了研究CNGS晶体的结构,构造了Ca3NbGa2SiO12和Ca3NbGaSi2O12两个团簇模型,对其构型进行优化并计算了振动频率.利用Raman光谱技术测量了该晶体的Raman光谱,依据理论计算结果对测得的Raman光谱进行了指认,讨论了CNGS晶体的层状结构和压电性能.  相似文献   
9.
利用Y切和(yxl)30°切两种样品测量了Ca3NbGa3Si2O14晶体的介电、压 电和部分弹性参数.计算了(yxl)θ切型相关压电常数随切角的变化.与La3Ga5SiO14晶体相比,Ca3NbGa3Si2O14晶体具有更优良的压电性能,其压电常数 d11=7.93×10-12C/N,d14=-5.88×10-12C/N. 关键词: Ca3NbGa3Si2O14晶体 介电常数 压电常数  相似文献   
10.
利用Y切和 (yxl) 30°切两种样品测量了Ca3NbGa3Si2 O1 4晶体的介电、压电和部分弹性参数 .计算了 (yxl)θ切型相关压电常数随切角的变化 .与La3Ga5SiO1 4晶体相比 ,Ca3NbGa3Si2 O1 4晶体具有更优良的压电性能 ,其压电常数d1 1=7 93× 10 - 1 2 C N ,d1 4=- 5 88× 10 - 1 2 C N .  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号