用于n、γ混合场的脉冲中子探测器研究

在瞬态的n、γ混合辐射场中，常采用飞行时间法原理，将n、γ射脉冲分开，实现对脉冲中子的探测。但在某些实验装置条件下，由于测量环境或者中子源强度等受到限制，不能采用成熟的n、γ飞行时间差甄别混合辐射场中的γ，尤其是在近距离测量中，n、γ分辨成为难题，因此，必须研究一种适合于n、γ混合辐射场的新型脉冲中子探测器。     

DPF中子峰下波形测量数据计算中长电缆滤波影响的研究

建立了一套门控闪烁测量系统（门控ST-PMT系统）, 测量了稠密等离子体聚焦（DPF）波形后沿中子峰下3～4个量级的物理图像, 分别讨论了长电缆对 DPF D-D, D-T中子峰下3～4个量级波形测量的影响, 采用数学方法分析了长电缆作为频率滤波函数在解逆卷积函数中的应用, 解析了电缆带宽对测量结果的影响。The influence of the Fourier Transform on long cable in the measurement of fall time of DPF neutron profile is discussed by mathematical methods. The application of anti convolution function with the Fourier Transform on long cable is analysed. The time interval between the peak time and the time that the height falls 3 orders of magnitude after peak is measured with gated detector array system which consists of PMT(photomultiplier tube) and organic scintillation crystal.     

对γ不灵敏的PIN脉冲中子探测器

将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的14MeV中子脉冲对探测器进行了研究.结果表明:PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射转换靶,探测器的信噪比达到30∶1,是一种在中子、γ混合脉冲辐射场中测量脉冲中子的新型探测器     

用于n,γ混合场的新型脉冲中子探测器研究

新型脉冲中子探测器采用特殊工艺将两个PIN半导体组合而成.利用脉冲γ辐射研究了探测器对γ的响应；利用脉冲中子源研究了探测器对DT中了的响应，并与闪烁探测器进行了比较 .结果表明：脉冲中子探测器对脉冲γ辐射基本不灵敏，对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射体，是一种用于n，γ混合脉冲辐射场中子测量的新型探测器. 关键词： 硅半导体 差分补偿 脉冲中子探测器 n γ混合场     

CeF3闪烁探测器对DD中子的相对灵敏度

 用国内近年新研制的CeF₃闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管，构成两种闪烁体探测器，在强度不随时间变化的DD中子源场中测量了这两种闪烁探测器的相对灵敏度，测量结果表明：CeF₃闪烁探测器对DD中子的灵敏度比同尺寸ST401的灵敏度低一个量级以上。     

门控光电倍增管（PMT）在α测量中的应用

当零功率堆处于次临界状态时，测量其衰变常数α通常采用罗西-α法或随机脉冲源法等统计方法。若采用瞬态方法测量，则需采用窄脉冲的外中子源(如DPF源)产生高强度中子，注人核装置产生裂变，裂变γ信号被探测器记录处理得到其衰变常数α。     

采用数学分析方法分析样品核素含量的方法研究

当样品含有多种能量的γ射线时，某一峰下的面积，不仅记录了该能量的光电效应事件，而且还包括了更高能量γ射线的Compton 散射事件。这样，就不能由峰下面积确定相应的γ射线强度，采用逆矩阵法对γ能谱进行分析可得到较好非结果。When the sample contains many kinds of energies γ rays,their peak’s area not only records the matters of optical electronic effect but also the Compton scattering matters with higher energyγ rays.So that,theγ rays intensity conducted by the peak’s area can’t gain.Using the anti-matrix method,the better results of anlyze on theγ Spectrometry may be getten.     

可见光条纹相机可靠性实验研究北大核心CSCD

基于“晨光号”X光机开展了可见光条纹相机在复杂的辐射/电磁环境中的可靠性实验研究。利用序列脉冲激光的成像状态表征条纹相机的扫描状态,采取了不同的辐射/电磁防护措施,研究其对扫描状态的影响。实验研究获得了该类相机在此类复杂环境中正常工作的防护方法,主要包括增强辐射屏蔽使条纹相机附近的单发次等效空气吸收剂量不超过6μGy、减少相机机壳的缝隙、采取光电隔离的触发方式等。     

中子管非中子产物性质

采用两只经过标定的ST401闪烁探测器,测量了脉冲中子管的中子产额,在其中一只探测器前端增加铅板屏蔽,1 cm的铅屏蔽使探测器输出减少了18.20%,在加速器中子源上进行的类似实验表明,0.5 cm的铅使探测器的输出减少了2.90%。对两个中子源上测量的情况进行了蒙特卡罗模拟,加速器实验与模拟符合较好,脉冲中子管实验差别较大。对实验和模拟的情况进行了分析,结果表明:中子管除产生中子外,还会产生数量较多的轫致辐射X射线,这些X射线对准确测量中子管中子产额将造成不良影响。     

脉冲DT中子场中的CeF3、ST401 闪烁探测器输出比对

本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量.在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3高30多倍.由此可得到CeF3对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体.