铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

用300—500 keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×10¹⁵ cm^-2 的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程R_p和射程离散ΔR_p,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现R_p的实验值与理论值符合较好,ΔR_p的实验值和理论值差别大一些 关键词： 离子注入 投影射程和射程离散 退火行为 卢瑟福背散射技术     

再入环境中的遥测信号软解调研究

PCM/FM遥测形式是飞行器再入遥测中应用较广泛的一种信号体制;针对跟踪目标再入过程中信噪比较低,而传统非相干鉴频法存在门限过高的问题,结合调频遥测信号的相位连续性,研究一种基于基带正交复旋转多符号检测(MSD)的软件化解调方法;通过仿真,验证了该方法可使解调门限有效降低。     

深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型

对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zn_i^?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zn_i^?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''_Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''_Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证.     

PPV中极化子动力学方程的龙格-库塔求解

构造求解-阶微分方程组初值问题的八阶龙格-库塔递推公式,结合描述有机分子运动的-维紧束缚模型,研究PPV原子链中极化子的形成及运动.对碳原子数N=160的PPV原子链,由可控步长八阶龙格-库塔公式求解2N(2N+1)=102720个方程组成的方程组,用Fortran语言编程计算,得到稳定的极化子结构和运动图像;在场强E=1×105V·cm^-1的电场作用下,极化子沿分子链的运动速率约为0.2635Å·fs^-1.计算结果表明,八阶龙格-库塔方程可以有效地用于有机分子链中载流子运动的模拟.     

The effect of spin-orbit coupling on magnetoresistance in nonmagnetic organic semiconductors

We investigated the effect of spin-orbit coupling on magnetoresistance in nonmagnetic organic semiconductors.A Lorentz-type magnetoresistance is obtained from spin-orbit coupling-dependent spin precession under the condition of a space-charge-limited current.The magnetoresistance depends on the initial spin orientation of the electron with respect to the hole in electron-hole pairs,and the increasing spin-orbit coupling slows down the change in magnetoresistance with magnetic field.The field dependence,the sign and the saturation value of the magnetoresistance are composite effects of recombination and dissociation rate constants of singlet and triplet electron-hole pairs.The simulated magnetoresistance shows good consistency with the experimental results.     

铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和 60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×10¹⁵ cm^-2 的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM98和SRIM 关键词： 离子注入 6H-SiC 卢瑟福背散射技术 横向离散     

高效液相色谱法在二氨基二苯甲烷四缩水甘油醚树脂合成中的应用

采用高效液相色谱法跟踪了二氨基二苯甲烷四缩水甘油醚环氧树脂的合成反应,对中间产物进行定性分析并观察其在反应过程中的变化,分析了反应条件对产品的影响。结果表明,合成反应的关键在于开环反应的第一步,通过控制第一步反应的温度及时间,可以得到环氧值为０．７０～０．９０环氧当量／１００ｇ的树脂产品。     

Investigation of the inhibiting outdiffusion of erbium atoms to a silicon-on-insulator surface after annealing at high temperature

The annealing behaviour of 400 keV Er ions at a fluence of 2×1015 cm-2 implanted into silicon-on-insulator(SOI) samples is investigated by Rutherford backscattering spectrometry of 2.1 MeV He2+ ions with a multiple scattering model.It is found that the damage close to the SOI surface is almost removed after being annealed in O2 and N2 atmospheres,successively,at ℃,and that only a small number of the Er atoms segregated to the surface of the SOI sample,whereas a large number of Er atoms diffused to a deeper position because of the affinity of Er for oxygen.For the SOI sample co-implanted with Er and O ions,there is no evident outdiffusion of Er atoms to the SOI surface after being annealed in N2 atmosphere at ℃.     

铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的.用200—500 keV能量的铒(Er)离子注入SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上的硅)样品中,利用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了剂量为2×1015cm-2的Er离子注入SOI的平均投影射程Rp和射程离散△Rp,把测出的实验值和SRIM软件得到的理论计算值进行了比较,发现平均投影射程Rp的实验值跟理论计算值符合较好,射程离散△Rp的实验值和理论计算值差别大一些.     

自旋极化有机电致发光器件中单线态与三线态激子的形成及调控

由于有机半导体（OSC）材料自旋弛豫时间长、自旋扩散长度大,OSC自旋器件逐渐成为研究热点.对于有机电致发光器件（OLED）,通过自旋极化电极调控单线态和三线态激子比率是提高其效率的有效方法.本文从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合朗之万定律建立了一个自旋注入、输运、复合的理论模型.计算了OSC中的极化电子、空穴浓度,得出了单线态和三线态激子的比率.分析了电场强度、自旋相关界面电导、电极和OSC电导率匹配和电极极化率等因素的影响.计算结果表明：两电极注入反向极化的载流子并提高载流子自旋极化率,有