“变色冰火球”趣味实验的设计过程与思考

用乙酸钙、酒精和酚酞设计成"变色冰火球"趣味实验。介绍了该实验的设计缘由以及实验的原理、操作方法等,并探讨了"冰火球"变色的一些原因。最后,对中学化学实验教学提出了几点思考。     

Intermediate Self-similar Solutions of the Nonlinear Schrodinger Equation with an Arbitrary Longitudinal Gain Profile

We study pulse propagation in a normal-dispersion optical fibre amplifier with an arbitrary longitudinal gain profile by self-similarity techniques. We show the functional form of the development of low-amplitude wings on the parabolic pulse, which are associated with the evolution of an arbitrary input pulse to the asymptotic parabolic pulse solution. It is found that for the increasing gain the amplifier output corresponding to the input Gaussian pulse converges to the asymptotic parabolic pulse solution more quickly than the output obtained with the input hyperbolic secant pulse, whereas for the decreasing gain the input pulse profiles have nearly no effect on the speed of convergence to the parabolic pulse solution. These theoretical results are confirmed by numerical simulations.     

MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究

基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系,建立了辐照前的1/f噪声幅值与辐照诱生界面陷阱数量之间的半经验公式,并通过实验予以验证.研究结果表明,由于辐照诱生的氧化层内陷阱通过与分子氢作用而直接参与到界面陷阱的建立过程中,从而使界面陷阱生成数量正比于这种陷阱增加的数量,因此辐照前的1/f噪声功率谱幅值正比于辐照诱生的界面陷阱数量.研究结果为1/f噪声用作MOSFET辐照损伤机理研究的新工具,对其抗辐照性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型.     

A percolation study of RTS noise in deep sub-micron MOSFET by Monte Carlo simulation

Based on percolation theory and random telegraph signal (RTS) noise generation mechanism, a numerical model for RTS in deep submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) was presented, with which the dependence of Tc/Te (where Tc=capture time, Te=emission period ) on energy levels and trap depth with respect to the interface of traps can be simulated. Compared with experimental results, the simulated ones showed a good qualitative agreement.     

基于1/f噪声的NPN晶体管辐照感生电荷的定量分离

本文针对NPN双极性晶体管, 在研究辐照感生的氧化层电荷及界面态对晶体管基极电流和1/f噪声的影响的基础上, 建立辐照感生氧化层电荷及界面态与基极电流和1/f噪声的定量物理模型. 根据所建立的模型, 提出一种新的分离方法, 利用1/f噪声和表面电流求出氧化层电荷密度, 利用所求得氧化层电荷密度和表面电流求出界面态密度. 利用本方法初步实现了辐照感生氧化层电荷及界面态的定量计算.     

超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型

将晶核析出的Avrami 方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变. 根据电子散射理论，晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射. 为了描述这些离子的特征，引入了自由体积的概念，将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述，从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系，统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化. 数值模拟结果表明，在第一个空洞成核时刻电阻会发生急剧变化，这一结果已被实验所证实. 关键词： 电迁移 Al互连 电阻变化     

Benzofurans. Ketene intermediates in the perkin reaction

The intermediacy of ketenes in the intramolecular reaction of ketoacids with sodium acetate in acetic anhydride to form benzofurans is demonstrated. The Perkin reaction conditions are superior to the classical ketene generation method of triethylamine dehydrochlorination of the acid chloride.     

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法, 通过求解泊松方程, 建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 模型同时研究了短沟道, 窄沟道, 非均匀掺杂, 漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响. 采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数, 通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析, 验证了本文提出的模型的正确性. 该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考. 关键词： 应变Si NMOSFET 阈值电压 集约物理模型     

相干介观系统中散粒噪声的Monte Carlo模拟方法研究

根据电荷通过低温量子导体时具有的二项分布导致散粒噪声这一结论,结合Landauer电流公式的物理内涵建立了相干介观系统中的散粒噪声模型,并通过Monte Carlo模拟方法产生了散粒噪声时间序列.介观系统中散粒噪声的抑制来源于电子输运时的相关性,传输本征值双峰分布导致量子混沌腔和无序金属中的散粒噪声抑制.根据这两个结论,通过Monte Carlo模拟定性地分析了传输本征值分布与电子输运相关性之间的关系. 关键词： 散粒噪声 Landauer公式 介观系统     

亮暗屏蔽光伏孤子在LiNbO3晶体中的大自偏转

用数值方法证实了亮、暗屏蔽光伏孤子在有外加电场的LiNbO₃晶体中都可以发生大自偏转,并验证了这种自偏转现象不但与晶体中受主浓度N_A有关而且还与外加电场E₀有关. 在E₀相同的条件下,N_A越小这种自偏转现象越明显,在N_A相同的条件下,E₀越大自偏转现象越明显. 还发现亮、暗屏蔽光伏孤子的自偏转现象不同：亮屏蔽光伏孤子整体都发生明显偏转,暗屏蔽光伏孤子的偏转只是发生在一侧,其极值位置和另一侧几乎不发生偏转. 关键词： 自偏转 空间孤子 光折变效应