磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究

研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一，对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响，基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况，推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明，磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率，材料去除速率越高，晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性，4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面：水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高，磨料分散均匀，水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度；乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小，磨料易发生团聚，增大研磨过程的磨料切入深度，晶片的材料去除速率提高，晶片最大划痕深度随之增大。     

以氧化锌为锌源的手性金属-有机骨架的合成及其用于联糠醛外消旋体的选择性吸附

通过使用氧化锌代替传统的金属无机盐为锌源,制备了手性金属-有机骨架（CMOF）[Zn（L-mal）（H₂O）₂]_n并对其手性分离性能进行了考察。将ZnO和L-苹果酸按物质的量之比1：1溶于水中,在室温下静置24 h即可得到[Zn（L-mal）（H₂O）₂]_n。以100 mg[Zn（L-mal）（H₂O）₂]_n为吸附剂,将250 μL 1 g/L的联糠醛外消旋体加入其中,并以4.5 mL异丙醇和1 mL甲醇为萃取剂和洗脱剂进行选择性吸附实验,最终滤液使用高效液相色谱仪（HPLC）进行分析。结果表明,[Zn（L-mal）（H₂O）₂]_n对R-联糠醛具有较好的选择性吸附,其对映体过量（ee）值为20%。该工作为CMOF的绿色制备提供了一定的方法和经验并拓展了其在手性分离领域的应用。     

采用连续/不连续单元边界元法的声学灵敏度分析

采用连续单元与不连续单元混合离散建模的方法,将源点与场点分别划分为连续单元与不连续单元,由于两种网格节点互不重合,从而可以有效避免边界元法中奇异积分的问题。该方法简单易执行,利于工程应用。将该边界元公式应用于声学灵敏度分析中,所得的公式可以用来计算设计参数的改变而导致的场点声压改变量,为验证这一方法的正确性,以脉动球为例进行声灵敏度计算,并与常单元方法比较,证实了该方法的准确性。      

几何电子光学简述

一、导言最近三十年以来,随着电子光学的成就,各种电子仪器也迅速地发展起来。如应用在雷达和电视中的电子示波管、析像管、显影管以及电子显微镜等,均需要有一套完整的电子光学系统来控制电子射束的轨迹。在电子光学发展的过程中,苏联的科学家起了主导的作用。例如在1897年俄国就制造出电子束管,合乎实用的第一个电子束管是