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利用液滴外延法在GaAs(001)衬底表面制备InAs量子点，通过控制变量分别研究沉积速率、沉积量对In液滴在GaAs表面生长过程中的影响.使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)表征InAs纳米结构形貌，得出结论：(1)沉积速率主要通过影响In液滴成核率来控制液滴的密度，即随着沉积速率的增大，In原子在衬底表面的成核率增加，InAs量子点密度增加，实验符合生长动力学经典成核理论.(2)沉积量的改变主要影响液滴的熟化过程，即随着沉积量的增大，可参与生长的活跃的In原子增加，促进了液滴熟化，使得扩散坍塌的原子数量增加，导致在InAs纳米结构中出现多量子点现象. 相似文献
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