基于氟代苯乙胺有机阳离子的准二维钙钛矿发光二极管EI北大核心CSCD

近年来,钙钛矿发光二极管(PeLEDs)发展非常迅速,其性能得到了大幅提升,而构筑具有量子阱结构的准二维钙钛矿是开发高性能PeLEDs的有效方法之一。大尺寸有机阳离子是构成准二维钙钛矿的关键组分,对调节准二维钙钛矿的薄膜结构和光电性质具有重要作用。本文通过在铯铅卤化物(CsPb X3)钙钛矿中引入两种单氟取代的溴化苯乙胺(o-FPEABr(邻位取代)和p-FPEABr(对位取代)),采用无反溶剂的一步法制备了准二维钙钛矿薄膜和发光器件,研究了它们对准二维钙钛矿成相分布和器件性能的影响。研究发现,pFPEABr使准二维钙钛矿形成了大量的低维相,特别是具有强激子-声子耦合的二维相,而高维相含量较少。相反地,o-FPEABr能够有效地抑制低维相,并促进高维相的形成,有利于降低非辐射复合和提高辐射复合。形成能计算结果显示,基于p-FPEABr的低维相比基于o-FPEABr的低维相具有更好的热力学稳定性,导致了准二维钙钛矿中成相分布的差异,表明改变氟原子的取代位置能够调控准二维钙钛矿的结晶动力学过程,进而影响器件的发光性能。基于o-FPEABr,我们制备出高效的绿光和蓝光PeLEDs。其中绿光器件的最大外量子效率(EQE)达到了10.27%,发光峰位于521 nm;而蓝光器件的最大EQE也达到了8.88%,发光峰位于488 nm。     

一种苯乙烯基喹啉衍生物的稳态和瞬态光电性质

苯乙烯和喹啉是有机荧光材料的常用官能基团,已经在有机发光二极管(OLED)中得到了应用.本文用一种苯乙烯基喹啉衍生物2,2’-(2,5-二甲氧基-1,4-苯二乙烯基)双-8-乙酰氧基喹啉(MPV-AQ)同时作为发光材料和电子传输材料,研究了它在OLED器件中的稳态和瞬态光电性质.研究发现,在基于N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)/MPV-AQ的双层OLED中,电子以Fowler-Nordheim(FN)隧穿的方式从阴极注入到MPV-AQ层,这与MPV-AQ单电子器件中电子以Richardson-Schottky(RS)热电子发射的注入方式完全不同.这种电子注入方式的差别,主要是由于MPV-AQ的电子迁移率较低,大量空穴在NPB/MPV-AQ界面处形成电荷积累,使得MPV-AQ层的能带发生了弯曲,造成阴极一侧的电子隧穿距离减小,从而导致了FN隧穿的发生.通过拟合稳态电流-电压特性得到了电子注入势垒为0.23 e V,通过瞬态电致发光的延迟时间计算得到MPV-AQ的电子迁移率在10^-6 cm~2/(V·s)数量级,通过瞬态电致发光的衰减获得...     

新型蒽衍生物蓝光材料的合成及其光电性能

新型蒽衍生物蓝光材料的合成及其光电性能;蒽;芴;电致发光     

Comparative Study on Hole Transport in N,N＇-bis（naphthalen-l-yl）-N,Nt- bis（pheny） Benzidine and 4, 4＇, 4″-tri（N-carbazolyl）triphenylamine

Hole transport characteristics in N,N＇-bis（naphthalen-l-yl）-N,N＇-bis（pheny） benzidine （NPB） and 4, 4＇, 4″- tri（N-carbazolyl）triphenylamine （TCTA） are comparatively investigated. The current density-voltage （J - V） characteristics of hole-only devices based on NPB and TCTA at different temperatures and thicknesses show that the hole current is dominated by the bulk conduction with an exponential trap distribution. Detailed analyses of the J- V characteristics give the trap densities Nt of （6.3 ± 0.3） × 10^18 and （1.9 ±0.02）× 10^18 cm^3, characteristic trap depths of 135 ± 6 and 117 ± 5 meV, hole mobifities of （8.1 ± 0.5） × 10^-5 and （1.9 ± 0.1）× 10^-4 cm^2 v^-1s^-1 for NPI3 and TCTA, respectively. It is found that TCTA exhibits higher hole mobility. Obviously, this is directly related to the lower trap density and shallow trap depth in TCTA films, leading to good charge carrier transport.     

Nonvolatile Memory Devices Based on Gold Nanoparticle and Poly （N-Vinylcarbazole） Composite

A rewritable polymer memory device based on gold nanoparticle doped poly （N-vinylcarbazole） （PVK）, which can be easily fabricated by simple spin coating, has been described. An electrical bistable phenomenon is observed in the current-voltage characteristics of this device, and it is found that the electrical bistability is repeatable by proper writing voltage and erasing voltage. The unique behaviour of the devices provides an interesting approach such that doping nanoparticles in polymer can be used to realize high performance nonvolatile polymer memory devices.     

有机电致发光器件中由缓冲层薄膜诱导产生的空穴传输层薄膜的结晶化

有机薄膜层的结晶是有机电致发光器件衰减的主要机理之一。研究发现以CaPe做为缓冲层时比没有缓冲层时NPB薄膜更容易结晶,CuPc对NPB薄膜具有诱导结晶作用。通过原子力显微镜(AFM)以及宽角X射线衍射(WAXRD)详细研究了不同厚度、不同颗粒大小的缓冲层CuPc薄膜对空穴传输层NPB薄膜的结晶诱导作用。这个发现为以下结论提供了证据,以CuPc薄膜做为缓冲层的OLED器件的长期衰减可部分归结于由缓冲层CuPc引起的空穴传输层NPB薄膜的结晶。     

超薄铝/碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备蓝色磷光反转底发光有机发光二极管

在氧化铟锡（ITO）阴极上依次蒸镀2 nm铝和2 nm碳酸锂（Li2CO3）薄膜作为电子注入层,成功制备出器件结构为ITO/Al/Li2CO3/SPPO13/SPPO13∶FIrpic/TCTA/MoO3/Al(SPPO13：2,7-双（二苯基磷）-9,9′-螺二[芴];FIrpic：双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱;TCTA：4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)的蓝色磷光反转底发光有机发光二极管（IBOLED）。 结果表明,Al/Li2CO3作为电子注入层可以有效降低ITO与有机材料之间的电子注入势垒,蓝色磷光IBOLED的起亮电压由11 V降至4.2 V,器件的发光效率也得到有效提高。 蓝光磷光IBOLED的最大电流效率与功率效率分别达到了28.2 cd/A和19.6 lm/W,制备出的反转结构器件性能可与传统正置结构比美,说明Al/Li2CO3可以作为反转有机发光二极管优良的电子注入层。