F离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件耐压分析

为了缓解AlGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors（HEMT）器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流,本文提出了具有氟离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件新结构．首先分析得出n型GaN缓冲层没有受主型陷阱时,器件输出特性为欧姆特性,这样就从理论和仿真方面解释了文献生长GaN缓冲层掺杂Fe,Mg等离子的原因．利用器件输出特性分别分析了栅边缘有和没有低掺杂漏极时,氟离子分别注入源区、栅极区域和漏区的情况,得出当氟离子注入源区时,形成的受主型陷阱能有效俘获源极发射的电子而减小GaN缓冲层的泄漏电流,击穿电压达到262v通过减小GaN缓冲层体泄漏电流,提高器件击穿电压,设计具有一定输出功率新型A1GaN／GaNHEMT提供了科学依据．     

平衡立方体的h-额外连通度及h-额外条件诊断数

互连网络的连通度和可诊断数是衡量网络性能优劣的经典参数.h-额外连通度作为连通度的一种推广,是度量互连网络可靠性的一个重要指标.相应地,h-额外条件诊断数作为传统可诊断度的推广,也是度量系统诊断能力的一种新的性能指标.另外,平衡立方体网络作为超立方体网络的变形,在保留前者原有优良性能的基础上,又增加了一些新的优良性能.文中确定了平衡立方体(BH_n)的4-额外连通度和5-额外连通度都是6n-8.在此基础上,进一步推导出当h=4,5,n≥4时,BH_n在PMC模型下的h-额外条件可诊断数是6n-3.从而表明了在h-额外条件诊断策略下的可诊断数几乎是传统可诊断数的3倍.     

利用发光磁效应研究同分异构体mCBP和CBP作为给体的激基复合物器件的微观过程

本文把同分异构体3,3’-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (m CBP)和4,4’-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP)作为给体, PO-T2T作为受体,以质量比1∶1制备了两种激基复合物器件,并在不同温度和偏压下测量了器件的发光磁效应(magneto-electroluminescence, MEL).发现室温下m CBP为给体的器件,其MEL的低磁场部分表现出反向系间窜越(reverse intersystem crossing, RISC)过程,降温时该RISC转变为系间窜越(intersystem crossing, ISC)过程;而CBP为给体的器件则表现出ISC过程,且降温时ISC过程先减弱后增强.室温下两种器件MEL的高磁场部分都体现为三重态激子与电荷的猝灭,但在20 K下CBP为给体的器件还出现了三重态-三重态激子湮灭.两种完全相反的低磁场线型与m CBP和CBP不同的结构导致三重态激子能量的高低有关.低温下微观过程的改变是因为低温不利于RISC过程、ISC过程和能量损失等演化通道.此外,当m CBP:PO-T2T质...     

K+,Ca2+,Fe2+催化β-O-4木质素多聚体模型化合物的快速热解特性研究

为揭示Cα官能团和金属离子对木质素热解过程的影响机制,本研究合成了两种β-O-4型木质素多聚体模型化合物(Cα上分别连接羰基和羟基官能团),开展了在不同温度(500℃、650℃、800℃)和不同金属离子(K+、Ca2+、Fe2+)醋酸盐催化的Py-GC-MS快速热解实验.实验结果表明,Cβ-O键比Cα-Cβ键更容易断裂发生均裂反应产生较多的酚类化合物;添加K+、Ca2+、Fe2+金属离子均能降低热解时所需温度,促进酚类产物的生成,抑制茴香基(醛)类和乙酰苯基类产物的生成.     

中子辐照α-Al2O3单晶的光学性质研究

本文利用吸收光谱法、光致发光光谱法和拉曼光谱法对中子辐照的α-Al2O3进行研究.吸收光谱表明,中子辐照除产生F2、F2+、F2+2和F3色心外,还能产生[Al-O]3-色心,它对应着325 nm和638 nm两个吸收峰,且具有较低的热稳定性,经300℃退火后消失.光致发光谱法除了检测到F2、F2+和F2+2色心对应的发光峰外,还检测到625nm和657 nm发光峰.625 nm发光峰可能对应着高剂量中子辐照下特有的发光中心.657 nm发光峰是经800℃处理后唯一存在的发光峰,它可能来自于反位铝缺陷(AlO).此外,拉曼光谱显示该剂量的中子辐照不能导致明显的拉曼峰频移和展宽.